Korte introductie
IGCT-serieproducten
Ons bedrijf levert hoogwaardige geïntegreerde gate-gestuurde thyristors (IGCT) producten voor hoogvermogens- en middenspannings-krachtelektronische toepassingen. De IGCT combineert de voordelen van thyristortechnologie en geavanceerde gate-commutatietechnologie, met kenmerken als hoge spanningscapaciteit, uiterst hoge stroomcapaciteit, lage geleidingsverliezen, uitstekende schakelprestatie en buitengewone betrouwbaarheid.
Het IGCT-productassortiment omvat twee belangrijke series:
1. Omgekeerd geleidende IGCT (RC-IGCT)
De omgekeerd geleidende IGCT integreert de IGCT en een vrijloopdiode in één halfgeleiderstructuur, waardoor een compacte oplossing ontstaat met uitstekende schakelprestatie en vereenvoudigd systeemontwerp. Deze is breed toepasbaar in toepassingen zoals middenspanningsaandrijvingen, omvormers en hoogvermogensomvormersystemen.
2. Asymmetrische IGCT (A-IGCT)
De asymmetrische IGCT is geoptimaliseerd voor schakeltoepassingen met hoog vermogen en biedt uitstekende uitschakelmogelijkheden, lage geleidingsverliezen en een hoge stroomdichtheid. Deze component is ontworpen voor veeleisende toepassingen waarbij maximale vermogensverwerking vereist is, zoals middenspanningsomzetters, industriële aandrijvingen en energieomzetters voor hoog vermogen.
Met geavanceerde halfgeleidertechnologie en betrouwbare press-pack-verpakking bieden onze IGCT-producten efficiënte en betrouwbare oplossingen voor HVDC-systemen, hernieuwbare-energieomzetting, industriële motoraandrijvingen, tractiesystemen en andere toepassingen met hoog vermogen.
Toepassingen
Hoge vermogensomvormer
Motor aandrijfapparatuur
Flexibel transmissiesysteem
Kenmerken
Met een vermogen tot zelfverstopping
Lage bedrijfsverliezen
Geschikt zijn voor toepassing in serie
Sleutel Parameters
V DRM |
4500 |
V |
I TGQM |
5000 |
Een |
I TSM |
35 |
kA |
V Tot |
1.22 |
V |
r T |
0.28 |
mΩ |
V DClink |
2800 |
V |
Blokkeren Gegevens
Symbool |
Conditie |
Min. |
Type |
Maximaal |
Eenheid |
V DRM |
TVJ = 125 ℃ , ID ≤ IDRM, tp = 10 ms |
- |
- |
4500 |
V |
I DRM |
TVJ = 125 ℃ , VD = VDRM, tp = 10 ms |
- |
- |
50 |
mA |
dv/dt |
TVJ = 125 ℃ , VD = 0,67 × VDRM |
|
|
1000 |
V/μs |
VDClink |
midden-DC-spanning toegestaan bij een faalratio van 100 FIT |
- |
- |
2800 |
V |
VRRM |
/ |
- |
- |
17 |
V |
Doorlaattoestand Gegevens
Symbool |
Conditie |
Min. |
Type |
Maximaal |
Eenheid |
I T(RMS) |
TC = 85 ℃ , sinusvormige halve golf, koeling aan beide zijden |
- |
- |
3000 |
Een |
|
I TSM
I 2t
|
TVJ = 125 ℃ , sinusvormige halve golf, 10 ms, VD = VR = 0 |
-
-
|
-
-
|
35
545
|
kA
104Een 2s
|
V TM |
TVJ = 125 °C, IT = 5000 A |
- |
2.37 |
2.61 |
V |
|
V Tot
r T
|
TVJ = 125 °C, IT = 1000…5000 A
|
-
-
|
-
-
|
1.22
0.28
|
V mΩ |
Aanzetten Gegevens
Symbool |
Conditie |
Min. |
Type |
Maximaal |
Eenheid |
diT/dt |
TVJ = 125 °C, IT = 5000 A, VD = 2800 V, f = 0…500 Hz |
- |
- |
5000 |
A/μs |
tdon |
|
- |
- |
4 |
μs |
|
t donSF
tr
|
TVJ = 125 °C, IT = 5000 A, VD = 2800 V, di/dt = VD/Li, CCL = 20 μF, RS = 0,4 Ω, Li = 3 μH, LCL = 0,3 μH |
-
-
|
-
-
|
8
1
|
μs
μs
|
E op |
|
- |
- |
1.8 |
J |
Uitschakelgegevens
Symbool |
Conditie |
Min. |
Typ e |
Maximaal |
Eenheid |
|
I TGQM
|
TVJ = 125 °C, VDM ≤ VDRM, VD = 2800 V, LCL = 0,3 μH, CCL = 20 μF, RS = 0,4 Ω, f = 0…300 Hz
De in punt 5.2.4.1 bedoelde vergunningen zijn niet van toepassing op de volgende voertuigen:
|
-
|
-
|
5000
|
Een
|
|
t doff
t doffSF
t f
E OFF
|
TVJ = 125 °C, ITGQ = 5000 A, VD = 2800 V, VDM ≤ VDRM, CCL = 20 μF, RS = 0,4 Ω
L i = 4 μH, L CL = 0,3 μH
De in punt 5.2.4.1 bedoelde vergunningen zijn niet van toepassing op de volgende voertuigen:
|
-
-
-
-
|
-
-
-
28
|
8
10
1
33
|
μs
μs
μs
J
|
EN
