YMIF1500-33-I1-01 3300V 1500A Hoogspannings IGBT Module Slim Netwerk CRRC Choppers Inverter/Converteerder Drijven

Bedrijfsprofiel

Beijing World E To Technology Co., Ltd. is een technologiebedrijf met import- en exportkwalificaties. Opgericht op de principes van innovatie en excellentie, staat het bedrijf aan de voorste rand van semiconductoralternatieve oplossingen en -technologieën. Het specialiseert zich in het ontwerp van semiconductorproducten, contractaannpassing en distributie. Wij stellen strikte eisen aan bij het kiezen van samenwerkingspartners. We werken alleen samen met technologiebedrijven en fabrikanten die over eerste-klas ontwerptechnologie en -productietechnologie beschikken. De aangepaste optimalisatie van fabrieksautomaatlijnen is een ander belangrijk onderdeel van onze contractmanufacturing.

Onze producten

1	IGBT-module en Bestuurder
2	IGCT-module en Bestuurder
3	Inverter kernbord
4	Diodemodule
5	Thyristor module
6	Stroomsensor
7	Capacitors
8	Weerstand
9	Vastestandsschakelaar
10	Industrieële robots en Kernonderdelen
11	Civiele Onbemande Vliegtuigen en Kernonderdelen

Productbeschrijving

Kenmerken

(1) AISiC-basisplaat
(2) AIN Substraten
(3) Hoog thermisch cyclustalent
(5) Laag Vce(sat)-apparaat

(5) Laag Vce(sat) apparaat

(6) Hoge stroomdichtheid

Typische toepassingen

(1) Trekkracht aandrijvingen
(2) Motorregelaars
(3) Slim netwerk
tIM2400ESM17-TSA000

YMIF1500-33-I1-01

3300V/1500A Enkel Schakelaar IGBT

Sleutelparameters

Symbool	Beschrijving	Waarde	Eenheid
V _CES		3300	V
V _{CE (sat)}	- Een type.	2.40	V
I _C	Max.	1500	A
I _{C ((RM)}	IC ((RM)	3000	A

Absolute maximale ratings

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Waarde	Eenheid
V _CES	Spanning van de collectieverzender	V _GE= 0V, T _C= 25 °C	3300	V
V _GES	Spanning van de poort-emitter	T _C= 25 °C	±20	V
I _C	Stroom van de collectieverzender naar de zender	T _C= 75°C	1500	A
I _{C (((PK)}	Piekstroom van de collector	t _P=1 ms	3000	A
P _maximaal	Max. vermogensafvoer van de transistor	Tvj= 150°C, TC= 25 °C	15600	W
I ²t	Diode I ²t	V _R=0V, T _P= 10ms, Tvj= 150 °C	720	kA ²s
Visol	Isoleringspanning - per module	( Gemeenschappelijke terminals naar basisplaat), AC RMS, 1 min, 50Hz, T _C= 25 °C	6000	V
Q _PD	Partiële ontlading - per module	IEC1287. V1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS	10	pC

Thermische & Mechanische Gegevens

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	Max.	Waarde		Eenheid
R _{th(J-C) IGBT}	Thermische weerstand – IGBT			8	K / kW		℃
R _{th(J-C) Diode}	Thermische weerstand – Diode			16	K / kW		℃
R _{th(C-H) IGBT}	Thermische weerstand – behuizing naar koellichaam (IGBT)	Montagekoppelingsmoment 5Nm, met montagevet 1W/m·°C		6	K / kW		℃
T _vj	Werktemperatuur van de knooppunt	IGBT	-40	150	°C
T _vj	Werktemperatuur van de knooppunt			Diode	-40	150	°C
M	Schroefkoppel	Montage –M6		5	nm
				Elektrische verbindingen - M4		2	nm
				Elektrische verbindingen - M8		10	nm

Elektrische Kenmerken

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
I _CES	De verzamelaar moet de volgende gegevens bevatten:	V _GE= 0V,V _CE= V _CES			1	mA
				V _GE= 0V, V _CE= V _CES, T _C=125 °C			90	mA
				V _GE= 0V, V _CE= V _CES, T _C=150 °C			150	mA
I _GES	Doorlaatstroom	V _GE= ±20V, V _CE= 0V			1	μA
V _{GE (TH)}	De grensspanning van de poort	I _C= 40mA, V _GE= V _CE	5.0	6.1	7.0	V
V _{CE (sat)}	Collector-Emitter Verzadigingsspanning	VGE=15V, IC= 1200A,Tvj = 25 °C		2.40	2.90	V
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C		2.95	3.40	V
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 150 °C		3.10	3.60	V
I _F	Diode-voorkrants	DC		1500		A
I _FRM	Diode piek voorwaartse stroom	t _P= 1ms		3000		A
V _F	Diode-spanning naar voren	I _F= 250A, V _GE= 0		2.10	2.60	V
				I _F= 250A, V _GE= 0, T _vj= 125 °C		2.25	2.70	V
				I _F= 250A, V _GE= 0, T _vj= 150 °C		2.25	2.70	V
I _SC	Kortsluitstroom	Tvj= 150°C, V _CC= 1000V, V _GE≤15V, tp≤10μs, V _CE(max)= V _CES–L(*2)×di/dt, IEC 6074-9		5800		A
Cies	Ingangs capaciteit	V _CE= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		260		nF
Qg	Gate-lading	±15		25		μC
Cres	Omgekeerde overdracht capaciteit	V _CE= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		6.0		nF
L _M	Module-inductie			10		nH
R _INT	Interne transistor weerstand			110		mΩ

T geval = 25°C tenzij anders vermeld

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

Typ

Maximaal

Eenheid

t _d(uit)

Vertragingstijd voor uitschakeling

I _C= 2400A
V _CE= 900V
L _S~ 50nH
V _GE= ±15V
R _{G (((ON)}= 0,5Ω
R _{G ((OFF)}= 0,5Ω

2100

n

E _Afgeschakeld

Energieverlies bij uitschakeling

2400

mJ

t _{de volgende categorieën}

Tijd voor de inlichtingsachterstand

750

n

E _Aan

Inschakel energieverlies

1450

mJ

Q _rR

Diode omgekeerde herstel lading

I _F= 2400A
V _CE= 900V
diF/dt =10000A/us

1150

μC

I _rR

Diode omgekeerde herstelstroom

1250

A

E _rec

Diode omgekeerde herstel energie

1550

mJ

T geval = 150°C tenzij anders aangegeven