TIM500GDM33-PSA011 Nieuw Origineel CRRC IGBT Krachtmodule Discrete Halvegeleidertransistor Choppers Omvormers/Converter Systemen

Bedrijfsprofiel

Beijing World E To Technology Co., Ltd. is een technologiebedrijf met import- en exportkwalificaties, opgericht op de principes van innovatie en excellentie, staat aan de voorste rand van semiconductoralternatieve oplossingen en technologieën. gespecialiseerd in het ontwerp van semiconductorproducten, contractaangepaste oplossingen en distributie. We stellen strikte eisen aan bij het kiezen van samenwerkingspartners, We werken alleen samen met technologiebedrijven en fabrikanten met topontwerp- en productietechnologie. De aanpassing van optimale automatische transmissielijnen in de fabriek is een ander belangrijk onderdeel van onze contractmanufacturing.

Onze producten

1	IGBT-module en Bestuurder
2	IGCT-module en Bestuurder
3	Inverter kernbord
4	Diodemodule
5	Thyristor module
6	Stroomsensor
7	Capacitors
8	Weerstand
9	Vastestandsschakelaar
10	Industrieële robots en Kernonderdelen
11	Civiele Onbemande Vliegtuigen en Kernonderdelen

Productbeschrijving

Kenmerken

(1) AISiC-basisplaat voor hoge vermogenscycluskapasiteit
(2) AIN Substraten voor lage thermische weerstand
(3) Hoog thermisch cyclustalent
(4) Hoge stroomdichtheid

(5) 10μs kortsluitverdraagzaamheid
(6) Lage VCEsat

Typische toepassingen

(1) Trekkracht aandrijvingen
(2) Motorregelaars
(3) Koppers
(4) Middelspanningsinverters/converters

TIM500GDM33 -PSA011

YMIBD500-33

3300V/500A Hoogspannings IGBT-modules

Sleutelparameters

Symbool	Beschrijving	Waarde	Eenheid
V _CES		3300	V
V _{CE (sat)}	- Een type.	2.4	V
I _C	Max.	500	A
I _CM	ICRM	1000	A

Absolute maximale ratings

Symbool	Beschrijving	Waarde	Eenheid
V _CES	Spanning van de collectieverzender	3300	V
V _GES	Spanning van de poort-emitter	±20	V
I _C	Verzamelaarsstroom @ T _C=100℃	500	A
I _CM	Puls collectorstroom, tp=1ms, Tc=140°C	1000	A
P _tot	Totale vermogensdissipatie, TC=25°C, per schakelaar (IGBT)	5200	W
I ²t	Diode I ²t ,VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150°C	80	kA ²s
V _isolatie	1min,f=50Hz	6000	V
t _psc	IGBT Kortsluit SOA VCC=2500V,VCEMCHIP≤3300V VGE≤15V,Tvj≤125°C	10	μs
I _F	DC-voortstroming	500	A
I _FRM	Pieken voorwaartse stroom ,tp=1ms	1000	A
Q _PD	Partiële ontlading,V1= 3500V ,V2= 2600V, 50Hz RMS,TC=25°C(IEC 61287)	10	pC
Montagetorques	M _SBevestiging – M6	5	Nm
		M _T1Elektrische verbindingen – M4		2
		M _T2Elektrische verbindingen – M8		8

Diode Kenmerkwaarden

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	typ	Max.	Waarde		Eenheid
V _F	Voorwaartse Spanning IF =500A	Tvj = 25 °C		2.10	2.60	V		℃
				Tvj = 125 °C		2.25	2.7	V		℃
				Tvj = 15 0°C		2.25	2.7	V		℃
I _rR	Terugloopstroom I _F=500A V _CC=1800V, diF/dt=2100A/μs	Tvj = 25 °C		420		A
				Tvj = 125 °C			460		A		V
				Tvj = 150 °C			490
Q _rR	Teruggevorderde heffing I _F=500A V _CC=1800V, diF/dt=2100A/μs	Tvj = 25 °C		390		µC
				Tvj = 125 °C			620
				Tvj = 150 °C			720
E _rec	Energie van omgekeerde terugwinning I _F=500A V _CC=1800V, diF/dt=2100A/μs	Tvj = 25 °C		480		mJ
				Tvj = 125 °C			760
				Tvj = 150 °C			900

IGBT Kenmerkwaarden

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
_{V _CEsat}	Collector-emitter doorgangsspanning.I _C=500A,V _GE=15V	Tvj= 25°C		2.40	2.90	V
				Tvj= 125°C		2.95	3.40	V
				Tvj= 150°C		3.10	3.60	V
I _GES	Doorlaatstroom	V _CE=0V, V _GE=±20V, Tvj=25°C	-500		500	nA
V _{GE (TH)}	Gate-Emitter Drempelspanning	I _C=40mA, V _CE=V _GE, Tvj=25°C	5.5	6.1	7.0	V
I _CES	Verzamelaar-emitter verzadigingsspanning.V _CE=3300V,V _GE=0V	Tvj= 25°C			1	mA
				Tvj= 125°C			30	mA
				Tvj = 150 °C			50	mA
I _SC	Kortsluitstroom	tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 150°C,VCC= 2500V		250		A
I _FRM	Diode piek voorwaartse stroom	t _P= 1ms		500		A
t _{de volgende categorieën}	Tijd voor de inlichtingsachterstand	Tvj = 25 °C		650		n
				Tvj = 125 °C		630		n
				Tvj = 150 °C		620		n
t _d(uit)	Vertragingstijd voor uitschakeling	Tvj = 25 °C		1720		n
				Tvj = 125 °C		1860		n
				Tvj = 150 °C		1920		n
I _SC	Kortsluitstroom	t _psc≤ 10μs, V _GE=15V, T _vj= 150°C,V _CC= 2500V		1800		A
Cies	Ingangs capaciteit	V _CE=25V,V _GE=0V,f=1MHz,Tvj=25°C		90		nF
Qg	Gate-lading	C=500A,V _CE=1800V,V _GE=-15V…15V		5.0		µC
Cres	Omgekeerde overdracht capaciteit	V _CE=25V,V _GE=0V,f=1MHz,Tvj=25°C		2		nF
E _aan	Inschakelverliezen energie Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C	V _CC=1800V, I _C=500A, RG(ON)=3.0Ω RG(OFF)=4.5Ω,C _GE=100nF,V _GE=±15V L _δ=150nH		730		nH
							880		mJ
							930
E _afgeschakeld	Uitschakelverliezen energie Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C				780		mJ
							900
							1020

Waarom ons kiezen

1. we distribueren alleen producten van Chinese fabrikanten met top technologie. Dit is onze belangrijkste maatregel.
2. We hebben strikte eisen bij de selectie van fabrikanten.
3. We kunnen klanten alternatieve oplossingen uit China bieden.
4. We hebben een verantwoordelijke team.

Productverpakking