TIM250PHM33-PSA011 IGBT-module transistor voor Choppers Inverter Nieuw en Origineel Choppers CRRC IGBT Krachtmodule

Bedrijfsprofiel

Beijing World E To Technology Co., Ltd. is een technologiebedrijf met import- en exportkwalificaties. Opgericht op de principes van innovatie en excellentie, staat het bedrijf aan de voorste rand van semiconductoralternatieve oplossingen en -technologieën. Het specialiseert zich in het ontwerp van semiconductorproducten, contractaannpassing en distributie. Wij stellen strikte eisen aan bij het kiezen van samenwerkingspartners. We werken alleen samen met technologiebedrijven en fabrikanten die over eerste-klas ontwerptechnologie en -productietechnologie beschikken. De aangepaste optimalisatie van fabrieksautomaatlijnen is een ander belangrijk onderdeel van onze contractmanufacturing.

Onze producten

1	IGBT-module en Bestuurder
2	IGCT-module en Bestuurder
3	FRD-module
4	Diodemodule
5	Thyristor module
6	Stroomsensor
7	Capacitors
8	Weerstand
9	Vastestandsschakelaar
10	Industrieële robots en Kernonderdelen
11	Civiele Onbemande Vliegtuigen en Kernonderdelen

Productbeschrijving

Kenmerken

(1) AISiC-basisplaat
(2) AIN Substraten
(3)Hoge Thermische Cyclingscapaciteit
(5) Laag Vce(sat)-apparaat

Typische toepassingen

(1) Trekkingshulpmiddelen
(2) Motorregelaars
(3) Koppers
tIM2400ESM17-TSA000

TIM250PHM33-PSA011

3300V/250A Halfbrug IGBT

Sleutelparameters

Symbool	Beschrijving	Waarde	Eenheid
V _CES		3300	V
V _{CE (sat)}	- Een type.	2.5	V
I _C	Max.	250	A
I _{C ((RM)}	IC ((RM)	500	A

Absolute maximale ratings

Symbool	Beschrijving	Waarde	Eenheid
V _CES	Spanning van de collectieverzender	3300	V
V _GES	Spanning van de poort-emitter	±20	V
I _C	Verzamelaarsstroom @ T _C=100℃	250	A
I _{C (((PK)}	Pulsed Collectorstroom t _p=1 ms	500	A
P _maximaal	Max. vermogensafvoer van de transistor Tvj = 150 °C, TC = 25 °C	2600	W
I ²t	Diode I ²t V _R=0V, T _P= 10ms, Tvj = 150 °C	20	kA ²s
V _isolatie	Isolatiespanning – per module (Gemeenschappelijke aansluitingen naar de basisplaat), AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25 °C	6000	W
Q _PD	Deelontlading – per module IEC1287.V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS	10	pC

Thermische & Mechanische Gegevens

Symbool	Uitleg	Waarde	Eenheid
Kruipafstand	Terminal naar Heatsink	33.0	mm
Kruipafstand		Terminal naar terminal	33.0	mm
Vrije ruimte	Terminal naar Heatsink	20.0	mm
Vrije ruimte		Terminal naar terminal	20.0	mm
CTI (Vergelijkende Tracking Index)	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t _p=1 ms	＞600

Thermische & Mechanische Gegevens

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	Max.	Waarde		Eenheid
R _{th(J-C) IGBT}	Thermische weerstand – IGBT			48	K / kW		℃
R _{th(J-C) Diode}	Thermische weerstand – Diode			80	K / kW		℃
R _{th(C-H) IGBT}	Thermische weerstand – behuizing naar koellichaam (IGBT)	Montagekoppelingsmoment 5Nm, met montagevet 1W/m·°C		18	K / kW		℃

R _{th(C-H) Diode}	Thermische weerstand – behuizing naar koellichaam (Diode)	Montagekoppelingsmoment 5Nm, met montagevet 1W/m·°C		36	K / kW		V
T _{vj op}	Werktemperatuur van de knooppunt	IGBT	-40	150	°C
T _{vj op}	Werktemperatuur van de knooppunt			Diode	-40	150	°C
M	Schroefkoppel	Montage –M6		5	nm
M			Elektrische verbindingen – M5		4	nm

Elektrische Kenmerken

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
I _CES	De verzamelaar moet de volgende gegevens bevatten:	V _GE= 0V,V _CE= V _CES			1	mA
				V _GE= 0V, V _CE= V _CES, T _C=125 °C			15	mA
				V _GE= 0V, V _CE= V _CES, T _C=150 °C			25	mA
I _GES	Doorlaatstroom	V _GE= ±20V, V ^CE= 0V			1	μA
V _{GE (TH)}	De grensspanning van de poort	I _C= 20mA, V _GE= VCE	5.5	6.1	7.0	V
VCE _(gesat)	Collector-Emitter Verzadigingsspanning	VGE = 15V, IC = 250A
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C
I _F	Diode-voorkrants	DC		250		A
I _FRM	Diode piek voorwaartse stroom	t _P= 1ms		500		A
V _F	Diode-spanning naar voren	I _F= 250A, V _GE= 0		2.10	2.40	V
				I _F= 250A, V _GE= 0, T _vj= 125 °C		2.25	2.25	V
				I _F= 250A, V _GE= 0, T _vj= 150 °C		2.25	2.25	V
I _SC	Kortsluitstroom	T _vj= 150° C, V _CC= 2500V, V _GE≤15V, tp≤10μs, V _CE(max) = V _CES– L (*2)×di/dt, IEC 6074		900		A
Cies	Ingangs capaciteit	VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz		27		nF
Qg	Gate-lading	±15		2.6		V
Cres	Omgekeerde overdracht capaciteit	VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz		0.9		nF
L _M	Module-inductie			40		nH
R _INT	Interne transistor weerstand			0.5		mΩ

Waarom ons kiezen

1. we distribueren alleen producten van Chinese fabrikanten met top technologie. Dit is onze belangrijkste maatregel.
2. We hebben strikte eisen bij de selectie van fabrikanten.
3. We kunnen klanten alternatieve oplossingen uit China bieden.
4. We hebben een verantwoordelijke team.

Productverpakking