CRRC TG1000HF17H1-S300 IGBT Module 1700V Inverters Converters Drives Origineel Nieuw Wind Turbines Discrete Semiconductor Modules

Bedrijfsprofiel

Beijing World E To Technology Co., Ltd. is een technologiebedrijf met import- en exportkwalificaties. Opgericht op de principes van innovatie en excellentie, staat het bedrijf aan de voorste rand van semiconductoralternatieve oplossingen en -technologieën. Het specialiseert zich in het ontwerp van semiconductorproducten, contractaannpassing en distributie. Wij stellen strikte eisen aan bij het kiezen van samenwerkingspartners. We werken alleen samen met technologiebedrijven en fabrikanten die over eerste-klas ontwerptechnologie en -productietechnologie beschikken. De aangepaste optimalisatie van fabrieksautomaatlijnen is een ander belangrijk onderdeel van onze contractmanufacturing.

Onze producten

1	IGBT-module en Bestuurder
2	IGCT-module en Bestuurder
3	Inverter kernbord
4	Diodemodule
5	Thyristor module
6	Stroomsensor
7	Capacitors
8	Weerstand
9	Energieopslagsysteem
10	Industrieële robots en Kernonderdelen
11	Civiele Onbemande Vliegtuigen en Kernonderdelen

Productbeschrijving

Kenmerken

(1) AISiC-basisplaat voor hoge vermogenscycluskapasiteit
(2) Cu Baseplate
(3) Hoog thermisch cyclustalent
(4) Hoge stroomdichtheid

(5) 10μs kortsluitverdraagzaamheid
(6) Lage VCEsat

Typische toepassingen

(1) Motorbesturingen
(2) Vervaardiging van elektrische apparaten
(3) Windturbines
(4) Verbeteraar met hoge betrouwbaarheid

TG1000HF17H1-S300

1700V/1000A Halfbrug IGBT

Sleutelparameters

Symbool	Beschrijving	Waarde	Eenheid
V _CES		1200	V
V _{CE (sat)}	- Een type.	1.85	V
I _C	Max.	1000	A
IC ((RM)	Max.	2000	A

Absolute Maximale Waarden( Tcase = 25°C tenzij anders vermeld )

Symbool	Beschrijving	Waarde	Eenheid
V _CES	Spanning van de collectieverzender	1700	V
V _GES	Spanning van de poort-emitter	±20	V
I _C	Collectorstroom @ Tcase = 90 °C	1000	A
I _{C (((PK)}	Piek collectorstroom, tp=1ms, Tcase = 110 °C	2000	A
P _maximaal	Max. transistor vermogensdissipatie, Tvj = 150°C, Tcase = 25 °C	6250	W
I ²t	Diode I ²t ,V _R=0V, T _P= 10ms, T _vj= 150°C	144	kA ²s
V _isolatie	(Gemeenschappelijke terminalen naar basisplaat), AC RMS, 1 min, 50Hz	4000	V
I _F	Diodenvoorstroom, DC	1000	A
I _FRM	Maximale diodenvoorstroom, tp=1ms	2000	A
Montagetorques	Bevestiging – M5	6	Nm
	Bevestiging – M5	6
		Elektrische verbindingen – M8		10

Elektrische Kenmerken

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

typ

Max.

Waarde

Eenheid

V _F

Diode-spanning naar voren

I _F=1000A，V _GE = 0, Tvj = 25 °C

1.80

2.20

V

I _F=1000A，V _GE= 0, Tvj = 125 °C

1.90

2.30

I _F=1000A，V _GE= 0, Tvj = 125 °C

1.90

2.30

I _FRM

Diode piek voorwaartse stroom

t _P= 1ms

2000

A

I _F

Diodenvoorstroom,

DC

1000

A

Verplaats

Diode omgekeerd
terugwinningstroom

IF =1000A,
VCE = 900V,
- diF/dt = 7200A/us
(Tvj= 150 °C).

@Tvj= 25 °C

@Tvj= 125 °C

@Tvj= 150 °C

520

A

620

655

Qrr

Diode omgekeerd
terugvorderingsheffing

285

μC

315

340

E _rec

Diode omgekeerde herstel energie

IF =900A,
VCE = 600V,
- diF/dt = 6800A/us
(Tvj= 150 °C).@Tvj= 25 °C
@Tvj= 125 °C
@Tvj= 150 °C

110

mJ

235

240

Elektrische Kenmerken

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
V _{CE (sat)}	Collector-Emitter Verzadigingsspanning	V _GE=15V, I _C= 900A, T _vj= 25°C		1.75	2.15	V
				V _GE=15V, I _C= 900A, T _vj= 125°C			2.1	2.5
				V _GE=15V, I _C= 900A, T _vj= 150°C			2.2	2.6
I _CES	De verzamelaar moet de volgende gegevens bevatten:	V _GE=15V, I _C= 900A, Tvj= 25°C			1	mA
				V _GE=15V, I _C= 900A, Tvj= 125°C				10
				V _GE=15V, I _C= 900A, Tvj= 150°C				20
I _GES	Doorlaatstroom	V _CE=0V, V _GE= ±20V,			4	μA
V _{GE (TH)}	Gate-Emitter Drempelspanning	I _C= 40mA, V _GE= V _CE	5.0	6.0	7.0	V
t _{de volgende categorieën}	Tijd voor de inlichtingsachterstand @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IC =1000A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 1,8Ω, LS = 20nH, dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C). @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C		1320		n
								1410
								1440
td (uit)	Vertragingstijd voor uitschakeling @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IC =1000A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 1,8Ω, LS = 20nH, dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C). @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C		500		n
								470
								450
I _SC	Kortsluitstroom	Tvj= 150°C, V _CC= 800V, V _GE≤15V, tp≤10μs, V _CE(max)= VCES –L(*2)×di/dt, IEC 6074-9		3800		A
Cies	Ingangs capaciteit	V _CE= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		147		nF
Cres	Omgekeerde overdracht capaciteit	V _CE= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		1.5		nF
Qg	Gate-lading	±15V		11.4		µC
E _aan	Inschakel energieverlies @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IF =1000A, VCE = 900V, - diF/dt = 7200A/us (Tvj= 150 °C).		340		mJ
								370
								385
E _afgeschakeld	Uitschakelverliezen energie @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IIF =1000A, VCE = 900V, - diF/dt = 7200A/us (Tvj= 150 °C).		350		mJ
								360
								385

Waarom ons kiezen

1. we distribueren alleen producten van Chinese fabrikanten met top technologie. Dit is onze belangrijkste maatregel.
2. We hebben strikte eisen bij de selectie van fabrikanten.
3. We kunnen klanten alternatieve oplossingen uit China bieden.
4. We hebben een verantwoordelijke team.

Productverpakking