CRRC 1700V 2400A Hoog-Spanning IGBT Module TIM2400ESM17-TSA000 Nieuw/Origineel Slimnet-netwerkkrachtmodule Choppers Inverter Converter

Bedrijfsprofiel

Beijing World E To Technology Co., Ltd. is een technologiebedrijf met import- en exportkwalificaties, opgericht op de principes van innovatie en excellentie, staat aan de voorste linie van semiconductoralternatieve oplossingen en technologieën. Specialisatie in het ontwerp van semiconductorproducten, contractaangepaste diensten en distributie. Wij stellen strikte eisen aan bij het kiezen van samenwerkingspartners, we werken alleen samen met technologiebedrijven en fabrikanten met topontwerp- en productietechnologie. De aanpassing van de optimalisatie van automatische transmissielijnen in de fabriek is een ander belangrijk onderdeel van onze contractmanufacturing. .

Onze pRODUCTEN

1	IGBT-module en Bestuurder
2	IGCT-module en Bestuurder
3	Inverter kernbord
4	Diodemodule
5	Thyristor module
6	Stroomsensor
7	Capacitors
8	Weerstand
9	Vastestandsschakelaar
10	Industrieële robots en Kernonderdelen
11	Civiele Onbemande Vliegtuigen en Kernonderdelen

Productbeschrijving

Kenmerken

(1) AISiC-basisplaat
(2) AIN Substraten
(3) Hoog thermisch cyclustalent
(5) Laag Vce(sat)-apparaat

(5) Laag Vce(sat) apparaat

(6) Hoge stroomdichtheid

Typische toepassingen

(1) Trekkracht aandrijvingen
(2) Motorregelaars
(3) Slim netwerk
tIM2400ESM17-TSA000

YMIF2400-17(E)

1700V/2400A

schakelen IGBT Enkel Schakelaar IGBT

Sleutelparameters

Symbool	Beschrijving	Waarde	Eenheid
V _CES		1700	V
V _{CE (sat)}	- Een type.	1.75	V
I _C	Max.	2400	Een
I _{C ((RM)}	IC ((RM)	4800	Een

Absolute maximale ratings

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Waarde	Eenheid
V _CES	Spanning van de collectieverzender	V _GE= 0V, T _C= 25 °C	1700	V
V _GES	Spanning van de poort-emitter	T _C= 25 °C	±20	V
I _C	Stroom van de collectieverzender naar de zender	T _C= 75°C	2400	Een
I _{C (((PK)}	Piekstroom van de collector	t _P=1 ms	4800	Een
P _maximaal	Max. vermogensafvoer van de transistor	Tvj= 150°C, TC= 25 °C	19200	W
I ²t	Diode I ²t	V _R=0V, T _P= 10ms, Tvj= 150 °C	1170	kA ²s
Visol	Isoleringspanning - per module	( Gemeenschappelijke terminals naar basisplaat), AC RMS, 1 min, 50Hz, T _C= 25 °C	4000	V
Q _PD	Partiële ontlading - per module	IEC1287. V1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS	10	pC

Thermische & Mechanische Gegevens

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	Max.	Waarde		Eenheid
R _{th(J-C) IGBT}	Thermische weerstand – IGBT			6.5	K / kW		℃
R _{th(J-C) Diode}	Thermische weerstand – Diode			13	K / kW		℃
R _{th(C-H) IGBT}	Thermische weerstand – behuizing naar koellichaam (IGBT)	Montagekoppelingsmoment 5Nm, met montagevet 1W/m·°C		6	K / kW		℃
T _vj	Werktemperatuur van de knooppunt	IGBT	-40	150	°C
T _vj	Werktemperatuur van de knooppunt			Diode	-40	150	°C
M	Schroefkoppel	Montage –M6		5	nm
				Elektrische verbindingen - M4		2	nm
				Elektrische verbindingen - M8		10	nm

Elektrische Kenmerken

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
I _CES	De verzamelaar moet de volgende gegevens bevatten:	V _GE= 0V,V _CE= V _CES			1	mA
				V _GE= 0V, V _CE= V _CES, T _C=125 °C			40	mA
				V _GE= 0V, V _CE= V _CES, T _C=150 °C			60	mA
I _GES	Doorlaatstroom	V _GE= ±20V, V _CE= 0V			1	μA
V _{GE (TH)}	De grensspanning van de poort	I _C= 40mA, V _GE= V _CE	5.0	6.0	7.0	V
V _{CE (sat)}	Collector-Emitter Verzadigingsspanning	VGE=15V, IC= 1200A,Tvj = 25 °C		1.75		V
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C		1.95		V
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 150 °C		2.05		V
I _F	Diode-voorkrants	DC		2400		Een
I _FRM	Diode piek voorwaartse stroom	t _P= 1ms		4800		Een
V _F	Diode-spanning naar voren	I _F= 250A, V _GE= 0		1.65		V
				I _F= 250A, V _GE= 0, T _vj= 125 °C		1.75		V
				I _F= 250A, V _GE= 0, T _vj= 150 °C		1.75		V
I _SC	Kortsluitstroom	Tvj= 150°C, V _CC= 1000V, V _GE≤15V, tp≤10μs, V _CE(max)= V _CES–L(*2)×di/dt, IEC 6074-9		12000		Een
Cies	Ingangs capaciteit	V _CE= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		400		nF
Qg	Gate-lading	±15		19		μC
Cres	Omgekeerde overdracht capaciteit	V _CE= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		3.0		nF
L _M	Module-inductie			10		nH
R _INT	Interne transistor weerstand			110		mΩ

T geval = 25°C tenzij anders vermeld

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

Typ

Maximaal

Eenheid

t _d(uit)

Vertragingstijd voor uitschakeling

I _C= 2400A
V _CE= 900V
L _S~ 50nH
V _GE= ±15V
R _{G (((ON)}= 0,5Ω
R _{G ((OFF)}= 0,5Ω

2320

n

E _Afgeschakeld

Energieverlies bij uitschakeling

500

mJ

t _{de volgende categorieën}

Tijd voor de inlichtingsachterstand

1050

n

E _Aan

Inschakel energieverlies

410

mJ

Q _rR

Diode omgekeerde herstel lading

I _F= 2400A
V _CE= 900V
diF/dt =10000A/us

480

μC

I _rR

Diode omgekeerde herstelstroom

1000

Een

E _rec

Diode omgekeerde herstel energie

320

mJ

T geval = 150°C tenzij anders aangegeven