IGBT-module,YMIF1500-33 | I1-01 ,Enkel schakel-IGBT,38mm,CRRC

parameters

符号

条件

最小值

maksimale waarde

enkel eenheid

verzamel-Emitter kortsluiting Collector emitter spanning

V CES

3300

V

集电极电流

IC

1500

A

maximale Collector piekstroom

ICm

t p =1ms

3000

A

collector-Emitter kortsluiting Gate emitter spanning

V GES

-20

20

V

totaal dissipatievermogen

Ptot

T c = 25°C, Tvj =150°C

14700

W

diode gemiddelde voorwaartse stroom

IF

1500

A

diode herhaalbare piekstroom

IFRM

3000

A

2o-tube-stroming

IFSM

V R =0V, T vj =150°C, t p =10ms,sinus halve golf

13500

A

kortsluit veilige werkgebied

t psc

V CC =2500V, V GE ≤ 15 V, T vj ≤ 150°C

10

µs

绝缘elektrische druk

V isolatie

1mIN ,f=50 Hz

6000

V

junction temperatuur

T vj

175

°C

werk junction temperatuur

T vj(op)

-50

150

°C

壳温

T c

-50

150

°C

opslag temperatuur

T sTG

-50

125

°C

installatie koppel

Ms

tussen basisplaat en koellichaam M6 schroef

4

6

Nm

Mt1

hoofdelektrode M8 schroef

8

10

Mt2

hulpelektrode M4 schroef

2

3

parameters

符号

条件

最小值

kenmerkwaarden

maksimale waarde

单位

verzamel-Emitter kortsluiting collector-Emitter spanning

V (BR )CES

V GE =0V, IC=10mA ,T vj =25°C

3300

V

集电极-发射极和电 压

V CEsat

IC=1500A, V GE =15V

T vj =25°C

2.5

2.9

V

T vj =125°C

3.1

3.4

V

T vj = 150°C

3.25

集电极截止电流

ICES

V CE =3300V, V GE =0V

T vj =25°C

0.06

4

mA

T vj =125°C

20

40

mA

T vj = 150°C

100

栅极漏电流

IGES

V CE =0V, V GE = ±20V, T vj =125°C

-500

500

nA

gate-Emitter drempelspanning

V GE (de)

IC=240mA ,V CE =V GE ,T vj =25°C

5

7

V

栅极电荷

V G

IC=1500A, V CE =1800V, V GE =-15V..15V

11

µC

ingangscondensator

Cies

V CE = 25V, V GE =0V,f=1 MHz , T vj =25°C

151

nF

uitgangscondensator

Coes

12.6

teruggaande overdracht capaciteit

Cres

3.85

inschakelvertraging

t d (aan )

V CC =1800V, IC=1500A,

V GE =±15V, Cge =330nF ,

R G= 1.0ω ,L σ =280nH ,

inductieve belasting

T vj =25°C

650

n

T vj =125°C

590

T vj =150°C

590

stijgingstijd

t r

T vj =25°C

240

T vj =125°C

270

T vj =150°C

280

uitschakelvertraging

t d (afgeschakeld )

V CC =1800V, IC=1500A,

V GE =±15V, Cge =330nF ,

R G= 1.0ω ,L σ =280nH ,

inductieve belasting

T vj =25°C

1600

n

T vj =125°C

1750

T vj =150°C

1800

dalingstijd

t f

T vj =25°C

380

T vj =125°C

440

T vj =150°C

470

inschakelenergie

Eaan

V CC =1800V, IC=1500A,

V GE =±15V, Cge =330nF ,

R G= 1.0ω ,L σ =280nH ,

inductieve belasting

T vj =25°C

1600

mJ

T vj =125°C

2150

T vj =150°C

2350

uitschakelenergie

Eafgeschakeld

V CC =1800V, IC=1500A,

V GE =±15V, Cge =330nF ,

R G= 1.0ω ,L σ =280nH ,

inductieve belasting

T vj =25°C

2`00

mJ

T vj =125°C

2800

T vj =150°C

3000

kortsluitstroom

ISC

t psc ≤ 10 μs, V GE =15V, T vj =150°C, V CC =2500V,

6400

A

parasitische inductie

Lσ CE

8

nH

parameters

符号

条件

最小值

kenmerkwaarden

maksimale waarde

单位

gemiddelde voorwaartse spanning van de diode

V F

IF =1500A

T vj =25°C

2.05

2.5

V

T vj =125°C

2.25

2.6

T vj = 150°C

2.2

in de eerste plaats:

IrR

V CC =1800V,

IC=1500A,

V GE =±15V,

R G= 1.3ω ,

Cge =220nF

Lσ =280nH ,

inductieve belasting

T vj =25°C

1700

A

T vj =125°C

1850

A

T vj = 150°C

1900

inrichting van de centrale

V rR

T vj =25°C

950

µC

T vj =125°C

1550

µC

T vj = 150°C

1800

terugkeerhersteltijd

t rR

T vj =25°C

1050

n

T vj =125°C

1350

T vj = 150°C

1500

terugkeerherstel energie

Erec

T vj =25°C

1150

mJ

T vj =125°C

1900

T vj = 150°C

2250