IGBT-module,YMIF1500-33 | I1-01 ,Enkel schakel-IGBT,38mm,CRRC

parameters

符号

条件

最小值

maksimale waarde

enkel eenheid

verzamel-Emitter kortsluiting Collector emitter spanning

V CES

3300

V

集电极电流

I C

1500

Een

maximale Collector piekstroom

I CM

t p =1 mS

3000

Een

collector-Emitter kortsluiting Gate emitter spanning

V GES

-20

20

V

totaal dissipatievermogen

P tot

T c = 25°C, Tvj =150°C

14700

W

diode gemiddelde voorwaartse stroom

I F

1500

Een

diode herhaalbare piekstroom

I FRM

3000

Een

2o-tube-stroming

I FSM

V R =0V, T vj =150°C, t p =10 mS ,sinus halve golf

13500

Een

kortsluit veilige werkgebied

t psc

V CC =2500V, V GE ≤ 15 V, T vj ≤ 150°C

10

µs

绝缘elektrische druk

V isolatie

1min. ,f=50 HZ

6000

V

junction temperatuur

T vj

175

°C

werk junction temperatuur

T vj(op)

-50

150

°C

壳温

T c

-50

150

°C

opslag temperatuur

T sTG

-50

125

°C

installatie koppel

M s

tussen basisplaat en koellichaam M6 schroef

4

6

Nm

M t1

hoofdelektrode M8 schroef

8

10

M t2

hulpelektrode M4 schroef

2

3

parameters

符号

条件

最小值

kenmerkwaarden

maksimale waarde

单位

verzamel-Emitter kortsluiting collector-Emitter spanning

V (BR )CES

V GE =0V, I C =10 mA ,T vj =25°C

3300

V

集电极-发射极和电 压

V CEsat

I C =1500A, V GE =15V

T vj =25°C

2.5

2.9

V

T vj =125°C

3.1

3.4

V

T vj = 150°C

3.25

集电极截止电流

I CES

V CE =3300V, V GE =0V

T vj =25°C

0.06

4

mA

T vj =125°C

20

40

mA

T vj = 150°C

100

栅极漏电流

I GES

V CE =0V, V GE = ± 20V, T vj =125°C

-500

500

nA

gate-Emitter drempelspanning

V GE (de)

I C =240 mA ,V CE = V GE ,T vj =25°C

5

7

V

栅极电荷

Q G

I C =1500A, V CE =1800V, V GE =-15V..15V

11

µC

ingangscondensator

C ies

V CE = 25V, V GE =0V,f=1 MHz , T vj =25°C

151

nF

uitgangscondensator

C oes

12.6

teruggaande overdracht capaciteit

C res

3.85

inschakelvertraging

t d (aan )

V CC =1800V, I C =1500A,

V GE =±15V, Cge =330 nF ,

R G = 1.0ω ,L σ = 280 nH ,

inductieve belasting

T vj =25°C

650

n

T vj =125°C

590

T vj =150°C

590

stijgingstijd

t r

T vj =25°C

240

T vj =125°C

270

T vj =150°C

280

uitschakelvertraging

t d (afgeschakeld )

V CC =1800V, I C =1500A,

V GE =±15V, Cge =330 nF ,

R G = 1.0ω ,L σ = 280 nH ,

inductieve belasting

T vj =25°C

1600

n

T vj =125°C

1750

T vj =150°C

1800

dalingstijd

t f

T vj =25°C

380

T vj =125°C

440

T vj =150°C

470

inschakelenergie

E aan

V CC =1800V, I C =1500A,

V GE =±15V, Cge =330 nF ,

R G = 1.0ω ,L σ = 280 nH ,

inductieve belasting

T vj =25°C

1600

mJ

T vj =125°C

2150

T vj =150°C

2350

uitschakelenergie

E afgeschakeld

V CC =1800V, I C =1500A,

V GE =±15V, Cge =330 nF ,

R G = 1.0ω ,L σ = 280 nH ,

inductieve belasting

T vj =25°C

2 ` 00

mJ

T vj =125°C

2800

T vj =150°C

3000

kortsluitstroom

I SC

t psc ≤ 10 μs, V GE =15V, T vj =150°C, V CC =2500V,

6400

Een

parasitische inductie

L σ CE

8

nH

parameters

符号

条件

最小值

kenmerkwaarden

maksimale waarde

单位

gemiddelde voorwaartse spanning van de diode

V F

I F =1500A

T vj =25°C

2.05

2.5

V

T vj =125°C

2.25

2.6

T vj = 150°C

2.2

in de eerste plaats:

I rR

V CC =1800V,

I C =1500A,

V GE =±15V,

R G = 1.3ω ,

Cge = 220 nF

L σ = 280 nH ,

inductieve belasting

T vj =25°C

1700

Een

T vj =125°C

1850

Een

T vj = 150°C

1900

inrichting van de centrale

Q rR

T vj =25°C

950

µC

T vj =125°C

1550

µC

T vj = 150°C

1800

terugkeerhersteltijd

t rR

T vj =25°C

1050

n

T vj =125°C

1350

T vj = 150°C

1500

terugkeerherstel energie

E rec

T vj =25°C

1150

mJ

T vj =125°C

1900

T vj = 150°C

2250