GD950HTA75P6H

Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers . 950V 750A. Ik ben een

Kenmerken

Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
Lage schakellosses
6 μs kortsluiting
VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
Maximale aansluittemperatuur 175 ℃
Geval met lage inductance
Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
Geïsoleerd koper pinfin onderstel met Si ₃N ₄AMB-technologie

Typische toepassingen

Automobieltoepassing
Hybride en elektrische voertuigen
Andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W

Absoluut Maximum Beoordelingen T F =25 o C tenzij anders opgemerkt

IGBT

Symbool	Beschrijving	Waarden	Eenheid
V CES	Spanning van de collectieverzender	750	V
V GES	Spanning van de poort-emitter	±20	V
I CN	Geïmplementeerde collector Cu rrent	950	A
I C	Verzamelaarsstroom @ T F =100 o C	450	A
I CM	Pulsed Collectorstroom t p =1 ms	1900	A
P D	Maximale vermogensafvoer atie @ T F = 75 o C T j = 175 o C	877	W

Diode

Symbool	Beschrijving	Waarden	Eenheid
V RRM	Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd	750	V
I FN	Geïmplementeerde collector Cu rrent	950	A
I F	Diode Continuous Forward Cu rrent	450	A
I Fm	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms	1900	A

Module

Symbool	Beschrijving	Waarde	Eenheid
T jmax	Maximale temperatuur van de knooppunt	175	o C
T - Jaap.	Werkpunttemperatuur continu Tijdens 10 seconden binnen een periode van 30s, voorkomen maximaal 3000 keer over de levensduur	-40 tot +150 +150 tot +175	o C
T STG	Opslagtemperatuurbereik	-40 tot +125	o C
V Iso	Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 min.	2500	V

IGBT Kenmerken T F =25 o C tenzij anders opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
V CE (sat)	Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging	I C = 450 A,V GE =15V, T j =25 o C		1.10	1.35	V
		I C = 450 A,V GE =15V, T j =150 o C		1.15
		I C = 450 A,V GE =15V, T j = 175 o C		1.15
		I C =950A,V GE =15V, T j =25 o C		1.40
		I C =950A,V GE =15V, T j = 175 o C		1.65
V GE (th )	De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning	I C =12.9 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C	5.5	6.5	7.0	V
I CES	Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld Stroom	V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C			1.0	mA
I GES	Doorlaat van de poort-emitter Stroom	V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C			400	nA
R Gint	Interne poortweerstand			1.0		ω
C ies	Ingangs capaciteit	V CE =50V, f=100kHz, V GE =0V		72.3		nF
C oes	Uitgangscondensator			1.51		nF
C res	Omgekeerde overdracht Vermogen			0.32		nF
Q G	Gate-lading	V CE =400V,I C = 450A, V GE =-15…+15V		4.77		μC
t d (aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC =400V,I C = 450A, R G =2.4Ω, V GE =-8V/+15V, L S =24nH, T j =25 o C		315		n
t r	Opstijgtijd			61		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			729		n
t f	Ouderdom			70		n
E aan	Aanzetten Schakelen Verlies			12.4		mJ
E afgeschakeld	Afschakeling Verlies			18.3		mJ
t d (aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC =400V,I C = 450A, R G =2.4Ω, V GE =-8V/+15V, L S =24nH, T j =150 o C		338		n
t r	Opstijgtijd			74		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			826		n
t f	Ouderdom			151		n
E aan	Aanzetten Schakelen Verlies			20.7		mJ
E afgeschakeld	Afschakeling Verlies			25.3		mJ
t d (aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC =400V,I C = 450A, R G =2.4Ω, V GE =-8V/+15V, L S =24nH, T j = 175 o C		343		n
t r	Opstijgtijd			77		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			846		n
t f	Ouderdom			171		n
E aan	Aanzetten Schakelen Verlies			25.0		mJ
E afgeschakeld	Afschakeling Verlies			27.3		mJ
I SC	SC-gegevens	t P ≤ 6 μs, V GE =15V, T j =25 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V		4500		A
		t P ≤3μs, V GE =15V, T j = 175 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V		3300

Diode Kenmerken T F =25 o C tenzij anders opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
V F	Diode naar voren Spanning	I F = 450 A,V GE =0V,T j =25 o C		1.40	1.65	V
		I F = 450 A,V GE =0V,T j =1 50o C		1.35
		I F = 450 A,V GE =0V,T j =1 75o C		1.30
		I F =950A,V GE =0V,T j =25 o C		1.75
		I F =950A,V GE =0V,T j =1 75o C		1.75
Q r	Teruggevorderde heffing	V R =400V,I F = 450A, -di/dt=7760A/μs,V GE =-8V L S =24 nH ,T j =25 o C		10.1		μC
I RM	Piek omgekeerd Terugwinningstroom			287		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			4.83		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V R =400V,I F = 450A, -di/dt=6300A/μs,V GE =-8V L S =24 nH ,T j =150 o C		25.6		μC
I RM	Piek omgekeerd Terugwinningstroom			341		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			9.32		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V R =400V,I F = 450A, -di/dt=5990A/μs,V GE =-8V L S =24 nH ,T j = 175 o C		30.4		μC
I RM	Piek omgekeerd Terugwinningstroom			354		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			10.6		mJ

NTC Kenmerken T F =25 o C tenzij anders opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
R 25	Nominale weerstand			5.0		kΩ
∆R/R	Afwijking van R 100	T C =100 o C r 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Vermogen Dissipatie				20.0	mW
B 25/50	B-waarde	R 2=R 25uitgave [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-waarde	R 2=R 25uitgave [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-waarde	R 2=R 25uitgave [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Module Kenmerken T F =25 o C tenzij anders opgemerkt

Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
L CE	Inductie van de afwijking		8		nH
R CC+EE	Module loodweerstand, terminal tot chip		0.75		mΩ
△ p	△ V/ △ t=10,0 dm 3/min. ,T F = 75 o C		64		mbar
p	Maximale druk in koelcircuit - De koek T basisker < 40 o C T basisker > 40 o C (relatieve druk)			2.5 2.0	bar
R de JF	Junctie -om -Koeling Vloeistof (perIGBT )Junctie-naar-koelvloeistof (per D iodum) △ V/ △ t=10,0 dm 3/min. ,T F = 75 o C		0.098 0.140	0.114 0.160	K/W
M	Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M5 Montage-koppel Schroef M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.m
G	Gewicht van Module		750		g