GD2400SGX170C4S, IGBT-module, Hoogstroom-IGBT-module, STARPOWER

Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,gemaakt door STARPOWER. 1 700V 2400A ,C4 .

Kenmerken

Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
10 μs kortsluiting
VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
Maximale aansluittemperatuur 175 ℃
Geval met lage inductance
Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typische toepassingen

Vervaardiging van elektrische apparaten
Motorbesturingen

Absoluut Maximum Beoordelingen T C =25 o C tenzij anders opgemerkt

IGBT

Symbool	Beschrijving	Waarde	Eenheid
V CES	Spanning van de collectieverzender	1700	V
V GES	Spanning van de poort-emitter	±20	V
I C	Verzamelaarsstroom @ T C =100 o C	2400	A
I CM	Pulsed Collectorstroom t p =1 ms	4800	A
P D	Maximale vermogensafvoer @ T j = 175 o C	15.8	kW

Diode

Symbool	Beschrijving	Waarde	Eenheid
V RRM	Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd	1700	V
I F	Diode Continuous Forward Cu rrent	2400	A
I Fm	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms	4800	A
I FSM	Piek Voorwaartse Stroom V R =0V,T p =10ms, @T j =25 o C @T j =150 o C	18.65 15.25	kA
I 2t	I 2t-waarde,V R =0V,T p =10m s,T j =25 o C I 2t-waarde,V R =0V,T p =10ms ,t j =150 o C	1739 1162	kA 2s

Module

Symbool	Beschrijving	Waarde	Eenheid
T jmax	Maximale temperatuur van de knooppunt	175	o C
T - Jaap.	Werktemperatuur van de knooppunt	-40 tot +150	o C
T STG	Opslagtemperatuurbereik	-40 tot +125	o C
V Iso	Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT Kenmerken T C =25 o C tenzij anders opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
V CE (sat)	Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging	I C =2400A,V GE =15V, T j =25 o C		1.85	2.30	V
		I C =2400A,V GE =15V, T j =125 o C		2.25
		I C =2400A,V GE =15V, T j =150 o C		2.35
V GE (th )	De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning	I C =96.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld Stroom	V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C			5.0	mA
I GES	Doorlaat van de poort-emitter Stroom	V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C			400	nA
R Gint	Interne poortweerstand			0.6		ω
C ies	Ingangs capaciteit	V CE =25V, f=100kHz, V GE =0V		285		nF
C res	Omgekeerde overdracht Vermogen	V CE =25V, f=100kHz, V GE =0V		7.13		nF
Q G	Gate-lading	V GE =-15…+15V		23.5		μC
t d (aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 900V,I C =2400A, R G =0.82Ω, L S =32 nH ,V GE =-9V/+15V, T j =25 o C		609		n
t r	Opstijgtijd			232		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			1676		n
t f	Ouderdom			192		n
E aan	Aanzetten Schakelen Verlies			784		mJ
E afgeschakeld	Afschakeling Verlies			785		mJ
t d (aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 900V,I C =2400A, R G =0.82Ω, L S =32 nH ,V GE =-9V/+15V, T j =125 o C		732		n
t r	Opstijgtijd			280		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			2171		n
t f	Ouderdom			243		n
E aan	Aanzetten Schakelen Verlies			1350		mJ
E afgeschakeld	Afschakeling Verlies			1083		mJ
t d (aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 900V,I C =2400A, R G =0.82Ω, L S =32 nH ,V GE =-9V/+15V, T j =150 o C		772		n
t r	Opstijgtijd			298		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			2294		n
t f	Ouderdom			298		n
E aan	Aanzetten Schakelen Verlies			1533		mJ
E afgeschakeld	Afschakeling Verlies			1126		mJ
I SC	SC-gegevens	t P ≤ 10 μs, V GE =15V, T j =150 o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V		10.5		kA

Diode Kenmerken T C =25 o C tenzij anders opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
V F	Diode naar voren Spanning	I F =2400A,V GE =0V,T j = 25o C		1.80	2.25	V
		I F =2400A,V GE =0V,T j =125 o C		1.90
		I F =2400A,V GE =0V,T j =150 o C		1.95
Q r	Teruggevorderde heffing	V R = 900V,I F =2400A, -di/dt=9570A/μs,V GE =-9V, L S =32 nH ,T j =25 o C		243		μC
I RM	Piek omgekeerd Terugwinningstroom			1656		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			274		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V R = 900V,I F =2400A, -di/dt=7500A/μs,V GE =-9V, L S =32 nH ,T j =125 o C		425		μC
I RM	Piek omgekeerd Terugwinningstroom			1692		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			438		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V R = 900V,I F =2400A, -di/dt=6990A/μs,V GE =-9V, L S =32 nH ,T j =150 o C		534		μC
I RM	Piek omgekeerd Terugwinningstroom			1809		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			563		mJ

Module Kenmerken T C =25 o C tenzij anders opgemerkt

Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
L CE	Inductie van de afwijking		6.0		nH
R CC+EE	Module Loodweerstand, Terminal naar chip		0.10		mΩ
R thJC	Junctie -om -Casus (perIGBT ) De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)			9.5 15.8	K/kW
R thCH	Casus -om -Verwarmingssink (perIGBT )De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode) De verwarming van de verwarming is niet verplicht. (geïntegreerd)		6.4 10.7 4.0		K/kW
d - Wat een rotzooi.	Terminal-naar-koelplaat Terminal-naar-terminal		32.2 32.2		mm
d Helder	Terminal-naar-koelplaat Terminal-naar-terminal		19.1 19.1		mm
M	Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M4 Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M8 Montage-koppel Schroef M6	1.8 8.0 4.25		2.1 10 5.75	N.m
G	Gewicht van Module		2060		g