Alle categorieën
Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

IGBT-module 1700V

IGBT-module 1700V

Startpagina/Producten/IGBT-module/IGBT Module 1700V

GD150HFX170C1S,IGBT Module,STARPOWER

1700V 150A

Brand:
Stardragers
Spu:
GD150HFX170C1S
  • Inleiding
  • Overzicht
  • Equivalent Circuit Schematic
Inleiding

Korte introductie

IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers .1700V 150A. Ik ben een

Kenmerken

  • Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
  • 10 μs kortsluiting
  • VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
  • Maximale aansluittemperatuur 175
  • Geval met lage inductance
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typische toepassingen

  • Andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • Met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • Ononderbroken voeding

Absoluut Maximum Beoordelingen T F =25o C tenzij anders opgemerkt

IGBT

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1700

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

IC

Verzamelaarsstroom @ T C=25o C@ T C=95o C

229

150

A

ICm

Pulsed Collectorstroom t p =1 ms

300

A

PD

Maximale vermogensafvoer @ T j =175o C

815

W

Diode

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd

1700

V

IF

Diode Continuous Forward Cu rrent

150

A

IFm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

300

A

Module

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

T jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

o C

T - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

o C

T STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

o C

V Iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t= 1 minuut

4000

V

IGBT Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

IC=150A,V GE =15V, T j =25o C

1.85

2.30

V

IC=150A,V GE =15V, T j =125o C

2.25

IC=150A,V GE =15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

IC=6.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld Stroom

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

IGES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand

5.0

ω

Cies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V

18.1

nF

Cres

Omgekeerde overdracht Vermogen

0.44

nF

V G

Gate-lading

V GE =-15 ...+15V

1.41

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C=150A, R G= 3,3Ω,V GE =±15V, LS =70nH ,T j =25o C

303

n

t r

Opstijgtijd

75

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

417

n

t f

Ouderdom

352

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

42.3

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

25.3

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C=150A, R G= 3,3Ω,V GE =±15V, LS =70nH ,T j =125o C

323

n

t r

Opstijgtijd

88

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

479

n

t f

Ouderdom

509

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

58.9

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

34.9

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C=150A, R G= 3,3Ω,V GE =±15V, LS =70nH ,T j =150o C

327

n

t r

Opstijgtijd

90

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

498

n

t f

Ouderdom

608

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

65.6

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

40.2

mJ

ISC

SC-gegevens

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

600

A

Diode Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

IF =150A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =150A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF =150A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

V r

Teruggevorderde heffing

V R = 900V,I F =150A,

-di/dt=1510A/μs,V GE =-15V LS =70nH ,T j =25o C

26.2

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

131

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

21.6

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V R = 900V,I F =150A,

-di/dt=1280A/μs,V GE =-15V LS =70nH, T j =125o C

48.0

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

140

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

40.1

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V R = 900V,I F =150A,

-di/dt=1240A/μs,V GE =-15V LS =70nH, T j =150o C

52.3

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

142

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

42.5

mJ

Module Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

LCE

Inductie van de afwijking

30

nH

R CC+EE

Module Loodweerstand, Terminal naar chip

0.65

R thJC

Junctie -naar -Geval (perIGBT ) De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)

0.184 0.368

K/W

R thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT) De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode) De verwarming van de verwarming is niet verplicht. (geïntegreerd)

0.150 0.300 0.050

K/W

M

Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M5 Montage-koppel Schroef M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

G

Gewicht van Module

150

g

Overzicht

Equivalent Circuit Schematic

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

Gerelateerd product

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam staat klaar voor uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000