IGBT modulis,YMIF650-45,viens slēdzis IGBT,CRRC

Parametrs/参数

Simbols/符号

Nosacījumi/条件

min

max

Drošības un drošības politika

Sildītājs-izsildītājs kolektors -Izstarošanas spriegums

V Tips

V ĢEN =0V,T vj ≥25°C

4500

V

DC kolektors pašreiz 集电极电流

I C

T C =80°C

650

A

Pīķa kolektors pašreiz kolektora maksimālā strāva

I CM

tp=1ms,Tc=80°C

1300

A

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums vārsta izstarošanas spriegums

V =150 °C

-20

20

V

Kopēja jaudas izkliede kopējā jaudas zudums

P tot

T C =25°C,perswitch(IGBT)

6670

Platums

DC priekšējā strāva tiešā pozitīvā strāva

I F

650

A

Pīķa priekšējā strāva pīķa pozitīvā strāva

I Diodes uzpriekšējā strāva

tP=1ms

1300

A

Pārspriegums pašreiz 浪涌电流

I FSM

V R =0V,T vj =125°C,tp=10ms, puse-sinusa viļņi

5300

A

IGBT īss īpašums SOA IGBT īssavienojuma drošības darba zona

t pSc

V CC =3400V,V CEMCHIP ≤4500V V ĢEN ≤15V,Tvj≤125°C

10

μ s

Izolācijas spriegums 绝缘电压

V izoli

1 min, f=50 Hz

10200

V

Junkcijas temperatūra 结温

T vj

150

°C

Savienojuma darba temperatūra erature darba temperatūra

T vj(op)

-50

125

°C

Korpusa temperatūra 温

T C

-50

125

°C

Uzglabāšanas temperatūra 储存温度

T sTG

-50

125

°C

Montāžas griezes momenti instalācijas jauda

M S

4

6

Nm

M T 1

8

10

M T 2

2

3

Parametrs/参数

Simbols/符号

Nosacījumi/条件

Min

tips

max

Drošības un drošības politika

Kolektors (- emiters) pārtraukums spriegums

kolektors -Izstarošanas bloķēšanas spriegums

V (BR) CES

V ĢEN =0V,IC=10mA, Tvj=25°C

4500

V

Sātums kolektorā un emitentā spriegums

kolektors -Izstarošanas piesātinājuma spriegums

V CEsat

I C =650A, V ĢEN =15V

Tvj= 25°C

2.7

3.2

V

Tvj=125°C

3.4

3.8

V

Kolektora izslēgšana pašreiz 集电极截止电流 (Klīniskā elektriskā plūsma)

I Tips

V CE =4500V, V ĢEN =0V

Tvj= 25°C

10

mA

Tvj=125°C

100

mA

Vārsts svārstīšanās strāva 极漏电流

I =150 °C

V CE =0V,V ĢEN =20V, T vj = 125°C

-500

500

nA

Vārsta-emisijas sliekšņa spriegums vārsta izstarošanas sliekšņa spriegums

V GE (š)

I C =160mA,V CE =V ĢEN , T vj =25°C

4.5

6.5

V

Vārsts uzlāde 极电荷

Q g

I C =650A,V CE = 2800V, V ĢEN =-15V … 15V

5.4

μC

Ies ievades jauda

C 125 °C

V CE =25V,V ĢEN =0V, f=1MHz,T vj =25°C

71.4

mHz

Izvades jauda izejas jauda

C ejs

4.82

Apgādes pārneses kapacitāte atpakaļ pārvietošanās kapacitāte

C pretestība

1.28

Ieslēgšanas aizkave laiks ieslēgšanas aizkaves laiks

t d ((on)

V CC = 2800V,

I C =650A,

R G =2.2 ω ,

V ĢEN =±15V,

Garums σ =280nH,

感性负载

TVj = 25 °C

420

ns

TVj = 125 °C

528

Atkāpšanās laiks pacešanās laiks

t r

TVj = 25 °C

160

TVj = 125 °C

190

Izslēgšanas kavējuma laiks izslēgšanas aizkave

t d (izslēgt )

TVj = 25 °C

2100

ns

TVj = 125 °C

2970

Nolieku laiks nepieciešams

t f

TVj = 25 °C

1600

TVj = 125 °C

2760

Slēpšanas pārvēršana zudumu enerģija ieslēgšanas zudumu enerģija

E ieslēgta

TVj = 25 °C

1000

mJ

TVj =125 °C

1600

Izslēgtas zudumu enerģija izslēgšanas zudumu enerģija

E izslēgt

TVj = 25 °C

2000

mJ

TVj =125 °C

2740

Īssaites strāva pašreiz īssavienojuma strāva

I SC

t pSc ≤ 10μ s, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 125°C,V CC = 3400V

3940

A

Parametrs/参数

Simbols/符号

Nosacījumi/条件

min

tips

max

Drošības un drošības politika

Uz priekšu spriegums virszemes spiediens

V F

I F =650A

TVj = 25 °C

3.2

V

TVj = 125 °C

3.6

Atkārtots atgūšanas strāvas atpakaļ atjaunošanas strāva

I r

V CC = 2800V,

I C =650A,

R G =2.2 ω ,

V ĢEN =±15V,

Garums σ =280nH,

感性负载

TVj = 25 °C

1200

A

TVj = 125 °C

1300

A

Atgūstamā nodeva atjaunošanas lādiņš

Q r

TVj = 25 °C

450

μC

TVj = 125 °C

550

μC

Atkārtots atgūšanas laiks atpakaļ atjaunošanas laiks

t r

TVj = 25 °C

660

ns

TVj = 125 °C

750

Atkārtots atjaunojamo enerģiju atpakaļ atjaunošanas enerģija

E rec

TVj =25 °C

720

mJ

TVj = 125 °C

860