IGBT modulis GD820HTX75P6HFB Starpower

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

750

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

T CN

Izmantotais kolektors Cu īr

820

A

T C

Kolektora strāva @ T F =75o C

450

A

T CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

1640

A

P D

Maksimālais jaudas izmešana cijas @ T F =75o C T j =175o C

751

V

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volta ģEN

750

V

T FN

Izmantotais kolektors Cu īr

820

A

T F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

450

A

T FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

1640

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

o C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra nepārtraukta

Jo 10 sekundēm laikposmā 30s, notikums maksimāli 3000 reizes gar laiku

-40 līdz +150 +150 līdz +175

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

T C = 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C

1.25

1.50

V

T C = 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C

1.35

T C = 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =175o C

1.40

T C =820A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C

1.55

T C =820A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =175o C

1.90

V ĢEN (th)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

T C =9.60mA ,V CE =V ĢEN , T j =25o C

5.0

5.7

7.0

V

T C =9.60mA ,V CE =V ĢEN , T j =175o C

3.5

T Tips

Kolektors Griezts -Izslēgt Pašreizējais

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25o C

1.0

mA

T =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Stienis Gint

Iekšējā vārtu pretestība

0.7

ω

C 125 °C

Ies

V CE =50V,f=100kHz, V ĢEN =0V

42.1

mHz

C ejs

Izvades jauda

1.80

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

1.18

mHz

Q G

NF

V CE =400V, I C =450A, V ĢEN =-8...+15V

3.01

μC

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C = 450A, Stienis G =2,4Ω, L S =24nH ,V ĢEN =-8V/+15V,

T j =25o C

126

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

62

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

639

ns

t f

Nolieku laiks

149

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

17.3

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

25.4

mJ

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C = 450A, Stienis G =2,4Ω, L S =24nH ,V ĢEN =-8V/+15V,

T j =150o C

136

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

68

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

715

ns

t f

Nolieku laiks

221

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

22.5

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

31.0

mJ

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C = 450A, Stienis G =2,4Ω, L S =24nH ,V ĢEN =-8V/+15V,

T j =175o C

138

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

68

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

739

ns

t f

Nolieku laiks

227

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

24.8

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

32.6

mJ

T SC

SC dati

t P ≤ 6 μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

5100

A

T j =25o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

t P ≤3μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T j =175o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu Spriegums

T F = 450A,V ĢEN =0V,T j =25o C

1.40

1.65

V

T F = 450A,V ĢEN =0V,T j =150o C

1.35

T F = 450A,V ĢEN =0V,T j =175o C

1.30

T F =820A,V ĢEN =0V,T j =25o C

1.70

T F =820A,V ĢEN =0V,T j =175o C

1.65

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis =400V, I F = 450A,

-di/dt=7070A/μs,V ĢEN =-8V, L S =24nH ,T j =25o C

16.0

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

254

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

5.03

mJ

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis =400V, I F = 450A,

-di/dt=6150A/μs,V ĢEN =-8V, L S =24nH ,T j =150o C

36.0

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

320

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

9.49

mJ

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis =400V, I F = 450A,

-di/dt=6010A/μs,V ĢEN =-8V, L S =24nH ,T j =175o C

40.5

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

338

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

10.5

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

Stienis 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe no Stienis 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Enerģiju

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienība

L CE

Neatklāta induktantība

8

nH

Stienis CC+EE

Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu

0.75

mΩ

△p

△V/ △t=10,0 dM 3/min ,T F =75o C

64

bar

p

Maksimālais spiediens dzesēšanas sistēmā apģērbs

T atbalsta plāksne <40o C

T atbalsta plāksne 40o C

(relatīvā spiediena)

2.5 2.0

stienis

Stienis tJF

Savienojums -pret -Dzesēšana Sūknis (perIGBT )Savienojums uz dzesēšanas šķidrumu (saskaņā ar D jods) △V/ △t=10,0 dM 3/min ,T F =75o C

0.116 0.175

0.133 0.200

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, Skrūve M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m.

G

Svars no Modulis

750

g