IGBT modulis GD820HTX75P6HFB Starpower

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtības

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

750

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

IĶīna

Izmantotais kolektors Cu īr

820

A

IC

Kolektora strāva @ T F =75o C

450

A

ICm

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

1640

A

PD

Maksimālais jaudas izmešana cijas @ T F =75o C T j =175o C

751

V

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtības

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volta ģEN

750

V

IFN

Izmantotais kolektors Cu īr

820

A

IF

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

450

A

IFM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

1640

A

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtību

Vienība

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

o C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra nepārtraukta

Jo 10 sekundēm laikposmā 30s, notikums maksimāli 3000 reizes gar laiku

-40 līdz +150 +150 līdz +175

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 mINŪTE

2500

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

IC= 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C

1.25

1.50

V

IC= 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C

1.35

IC= 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =175o C

1.40

IC=820A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C

1.55

IC=820A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =175o C

1.90

V ĢEN (th)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

IC=9.60mA ,V CE =V ĢEN , T j =25o C

5.0

5.7

7.0

V

IC=9.60mA ,V CE =V ĢEN , T j =175o C

3.5

ITips

Kolektors Griezts —Izslēgt Pašreizējais

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25o C

1.0

mA

I=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Iekšējā vārtu pretestība

0.7

ω

C125 °C

Ies

V CE =50V,f=100kHz, V ĢEN =0V

42.1

mHz

Cejs

Izvades jauda

1.80

mHz

Cpretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

1.18

mHz

J G

NF

V CE =400V, I C =450A, V ĢEN =-8...+15V

3.01

μC

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C= 450A, R G=2,4Ω, LS =24nH ,V ĢEN =-8V/+15V,

T j =25o C

126

ns

t r

Atkāpšanās laiks

62

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

639

ns

t f

Nolieku laiks

149

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

17.3

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

25.4

mJ

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C= 450A, R G=2,4Ω, LS =24nH ,V ĢEN =-8V/+15V,

T j =150o C

136

ns

t r

Atkāpšanās laiks

68

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

715

ns

t f

Nolieku laiks

221

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

22.5

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

31.0

mJ

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C= 450A, R G=2,4Ω, LS =24nH ,V ĢEN =-8V/+15V,

T j =175o C

138

ns

t r

Atkāpšanās laiks

68

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

739

ns

t f

Nolieku laiks

227

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

24.8

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

32.6

mJ

ISC

SC dati

t P≤ 6 μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

5100

A

T j =25o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

t P≤3μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T j =175o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu Spriegums

IF = 450A,V ĢEN =0V,T j =25o C

1.40

1.65

V

IF = 450A,V ĢEN =0V,T j =150o C

1.35

IF = 450A,V ĢEN =0V,T j =175o C

1.30

IF =820A,V ĢEN =0V,T j =25o C

1.70

IF =820A,V ĢEN =0V,T j =175o C

1.65

J r

Atgūstamā nodeva

V R =400V, I F = 450A,

-di/dt=7070A/μs,V ĢEN =-8V, LS =24nH ,T j =25o C

16.0

μC

IRM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

254

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

5.03

mJ

J r

Atgūstamā nodeva

V R =400V, I F = 450A,

-di/dt=6150A/μs,V ĢEN =-8V, LS =24nH ,T j =150o C

36.0

μC

IRM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

320

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

9.49

mJ

J r

Atgūstamā nodeva

V R =400V, I F = 450A,

-di/dt=6010A/μs,V ĢEN =-8V, LS =24nH ,T j =175o C

40.5

μC

IRM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

338

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

10.5

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

R 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe no R 100

T C=100 o Cr 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Enerģiju

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/501/T 2— 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/801/T 2— 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/1001/T 2— 1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienība

LCE

Neatklāta induktantība

8

nH

R CC+EE

Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu

0.75

mΩ

△p

△V/ △t=10,0 dM 3/mINŪTE ,T F =75o C

64

bar

p

Maksimālais spiediens dzesēšanas sistēmā apģērbs

T atbalsta plāksne <40o C

T atbalsta plāksne 40o C

(relatīvā spiediena)

2.5 2.0

stienis

R tJF

Savienojums —līdz —Dzesēšana Sūknis (perIGBT )Savienojums uz dzesēšanas šķidrumu (saskaņā ar D jods) △V/ △t=10,0 dM 3/mINŪTE ,T F =75o C

0.116 0.175

0.133 0.200

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, Skrūve M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m.

G

Svars no Modulis

750

g