IGBT modulis GD820HFA75N6HY Starpower

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

750

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

T CN

Izmantotais kolektors Cu īr

820

A

T C

Kolektora strāva @ T F =95o C T vj =175o C

450

A

T CRM

Atkārtošanās Pīķis Kolektors Pašreizējais tp ierobežotas ar T vjop

1640

A

P D

Maksimālais jaudas izmešana cijas @ T F =65o C T vj =175o C

909

V

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

750

V

T FN

Izmantotais kolektors Cu īr

820

A

T F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

450

A

T Diodes uzpriekšējā strāva

Atkārtošanās Pīķis Uz priekšu Pašreizējais tp ierobežotas ar T vjop

1640

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

T vjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

o C

T vjop

Darbības savienojuma temperatūra nepārtraukta

-40 līdz +150

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min

2500

V

d Kāpšana

Termināls līdz Heatsink Termināls uz terminālu

7.3 7.3

mm

d Skaidrs

Termināls līdz Heatsink Termināls uz terminālu

7.3 4.0

mm

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

T C =680A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25o C

1.25

1.50

V

T C =680A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =150o C

1.35

T C =680A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175o C

1.40

T C =820A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25o C

1.30

T C =820A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175o C

1.50

V ĢEN (th)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

T C =12.9mA ,V CE =V ĢEN , T vj =25o C

5.5

6.5

7.0

V

T Tips

Kolektors Griezts -Izslēgt Pašreizējais

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25o C

1.0

mA

T =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Stienis Gint

Iekšējā vārtu pretestība

1.0

ω

C 125 °C

Ies

V CE =50V,f=100kHz, V ĢEN =0V

72.3

mHz

C ejs

Izvades jauda

1.51

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.32

mHz

Q G

NF

V CE =400V, T C =680A, V ĢEN =-10…+15V

4.10

μC

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C = 450A, Stienis G =2,4Ω, L S =20nH ,V ĢEN =-8V/+15V,

T vj =25o C

483

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

60

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

664

ns

t f

Nolieku laiks

67

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

16.3

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

17.4

mJ

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C = 450A, Stienis G =2,4Ω, L S =20nH ,V ĢEN =-8V/+15V,

T vj =150o C

507

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

76

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

750

ns

t f

Nolieku laiks

125

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

26.3

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

22.1

mJ

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C = 450A, Stienis G =2,4Ω, L S =20nH ,V ĢEN =-8V/+15V,

T vj =175o C

509

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

79

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

764

ns

t f

Nolieku laiks

139

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

27.6

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

23.0

mJ

T SC

SC dati

t P ≤3μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T j =175o C,V CC =450V, V CEM ≤750V

3300

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu Spriegums

T F =680A,V ĢEN =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

V

T F =680A,V ĢEN =0V,T vj =150o C

1.60

T F =680A,V ĢEN =0V,T vj =175o C

1.55

T F =820A,V ĢEN =0V,T vj =25o C

1.70

T F =820A,V ĢEN =0V,T vj =175o C

1.65

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis =400V, I F = 450A,

-di/dt=8350A/μs,L S =20n H, V ĢEN =-8V, T vj =25o C

12.4

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

273

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

3.45

mJ

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis =400V, I F = 450A,

-di/dt=6670A/μs,L S =20n H, V ĢEN =-8V, T vj =150o C

27.7

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

319

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

6.51

mJ

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis =400V, I F = 450A,

-di/dt=6410A/μs,L S =20n H, V ĢEN =-8V, T vj =175o C

31.8

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

334

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

7.26

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

Stienis

Nominālais Pretestību

T C =0 o C

T C =150 o C

1000

1573

ω ω

T Cr

Temperatūras koeficients n

0.38

%/K

T SH

Paša Apkure

T C =0 o C

T m =0.1...0.3mA

0.4

K/mW

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienība

L CE

Neatklāta induktantība

5

nH

p

Maksimālais spiediens dzesēšanas sistēmā apģērbs

2.5

stienis

Stienis tJF

Savienojums -pret -Dzesēšana Sūknis (perIGBT )Savienojuma-dzesēšanas šķidrums (par Di) ode) △V/ △t=2.67 L/ min ,T F =65o C

0.105 0.157

0.121 0.181

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, M5 skrūvis

3.6 5.4

4.4 6.6

N.m.

G

Svars no Modulis

220

g