IGBT modulis GD820HFA75N6HY Starpower

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

750

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I CN

Izmantotais kolektors Cu īr

820

A

I C

Kolektora strāva @ T F = 95 o C T vj =175 o C

450

A

I CRM

Atkārtošanās Pīķis Kolektors Pašreiz tp ierobežotas ar T vjop

1640

A

P D

Maksimālais jaudas izmešana cijas @ T F =65 o C T vj =175 o C

909

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

750

V

I FN

Izmantotais kolektors Cu īr

820

A

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

450

A

I Diodes uzpriekšējā strāva

Atkārtošanās Pīķis Uz priekšu Pašreiz tp ierobežotas ar T vjop

1640

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

T vjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

o C

T vjop

Darbības savienojuma temperatūra nepārtraukta

-40 līdz +150

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min

2500

V

d Kāpšana

Termināls līdz Heatsink Termināls uz terminālu

7.3 7.3

mm

d Skaidrs

Termināls līdz Heatsink Termināls uz terminālu

7.3 4.0

mm

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

I C =680A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 o C

1.25

1.50

V

I C =680A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 o C

1.35

I C =680A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175 o C

1.40

I C =820A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 o C

1.30

I C =820A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175 o C

1.50

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =12.9 mA ,V CE = V ĢEN , T vj =25 o C

5.5

6.5

7.0

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Iekšējā vārtu pretestība

1.0

ω

C 125 °C

Ies

V CE =50V,f=100kHz, V ĢEN =0V

72.3

mHz

C ejs

Izvades jauda

1.51

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.32

mHz

Q G

NF

V CE =400V, I C =680A, V ĢEN =-10…+15V

4.10

μC

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C = 450A, R G =2,4Ω, Garums S =20 nH ,V ĢEN =-8V/+15V,

T vj =25 o C

483

ns

t r

Atkāpšanās laiks

60

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

664

ns

t f

Nolieku laiks

67

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

16.3

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

17.4

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C = 450A, R G =2,4Ω, Garums S =20 nH ,V ĢEN =-8V/+15V,

T vj = 150 o C

507

ns

t r

Atkāpšanās laiks

76

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

750

ns

t f

Nolieku laiks

125

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

26.3

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

22.1

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C = 450A, R G =2,4Ω, Garums S =20 nH ,V ĢEN =-8V/+15V,

T vj =175 o C

509

ns

t r

Atkāpšanās laiks

79

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

764

ns

t f

Nolieku laiks

139

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

27.6

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

23.0

mJ

I SC

SC dati

t P ≤3μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T j =175 o C,V CC =450V, V CEM ≤750V

3300

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I F =680A,V ĢEN =0V,T vj =2 5o C

1.60

2.05

V

I F =680A,V ĢEN =0V,T vj = 150 o C

1.60

I F =680A,V ĢEN =0V,T vj =175 o C

1.55

I F =820A,V ĢEN =0V,T vj =2 5o C

1.70

I F =820A,V ĢEN =0V,T vj =175 o C

1.65

Q r

Atgūstamā nodeva

V R =400V, I F = 450A,

-di/dt=8350A/μs,L S =20n H, V ĢEN =-8V, T vj =25 o C

12.4

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

273

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

3.45

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R =400V, I F = 450A,

-di/dt=6670A/μs,L S =20n H, V ĢEN =-8V, T vj = 150 o C

27.7

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

319

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

6.51

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R =400V, I F = 450A,

-di/dt=6410A/μs,L S =20n H, V ĢEN =-8V, T vj =175 o C

31.8

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

334

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

7.26

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

R

Nomināls Pretestība

T C =0 o C

T C = 150 o C

1000

1573

ω ω

T Cr

Temperatūras koeficients n

0.38

%/K

T SH

Paša Apkure

T C =0 o C

I m =0.1...0.3mA

0.4

K/mW

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

5

nH

p

Maksimālais spiediens dzesēšanas sistēmā apģērbs

2.5

bars

R tJF

Savienojums -uz -Dzesēšana Sūknis (perIGBT )Savienojuma-dzesēšanas šķidrums (par Di) ode) △ V/ △ t=2.67 L/ min ,T F =65 o C

0.105 0.157

0.121 0.181

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, M5 skrūvis

3.6 5.4

4.4 6.6

N.m.

G

Svars of Modulis

220

g