Diodu modulis, YMDBD1500-33 | I-03

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojamā spriegums

T C = 25 °C

3300

V

I F

Virszemes strāvas

DC

1500

A

I Diodes uzpriekšējā strāva

Pīķa priekšējā strāva

t P = diodes maksimālā uzpriekšējā

3000

A

I FSM

Sūknēšanas strāva

V R =0V, t P = 10 ms, T vj = 25 °C

12000

A

I 2t

I 2t

I 2t

V R =0V, t P = 10 ms, T vj = 125 °C

720

kA 2s

V izoli

Izolācija spriegums - par modulis

(Kopienas termināli bāze plāksne), AC RMS,1 min, 50 Hz, T C = 25 °C

10200

V

Q PD

Daļēji izlāde - par modulis

IEC1287. V 1=3500V, V 2= 2600V, 50Hz

RMS ,T C = 25 °C

10

pC

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

I RRM

Atkārtojams atkārtots

pašreiz

V RM = V RRM

1

mA

V RM = V RRM , T C =125 °C

100

mA

V F

Uz priekšu spriegums

I F = 1500A

2.40

V

I F = 1500A, T vj = 150 °C

2.80

V

Q r

Atgriezeniska atgūšana

uzlāde

IF = 1500A,

VCC = 1800V,

RG ((ON) = 1,0Ω,

CGE=330nF,

LS=150nH,

- diF/dt = 4000A/μs,

(Tvj= 150 °C).

IGBT:

TIM1500ESM33-PSA011

T vj = 25 °C

1020

μC

T vj = 150 °C

1710

μC

I r

Atgriezeniska atgūšana

pašreiz

T vj = 25 °C

1260

A

T vj = 150 °C

1450

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana

enerģija

T vj = 25 °C

1.50

J

T vj = 150 °C

2.60

J