IDG75X12T2, IGBT diskretas, STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

T C

Kolektora strāva @ T C =25o C @ T C =100o C

150

75

A

T CM

Pulss Kolektors Pašreizējais t p ierobežotas ar T vjmax

225

A

P D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =175o C

852

V

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1200

V

T F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

75

A

T FM

Pulss Kolektors Pašreizējais t p ierobežotas ar T vjmax

225

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Vienība

T vjop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +175

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-55 līdz +150

o C

T S

Lūdes temperatūra 1,6 mm f rom lietu 10s

260

o C

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

T C =75A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25o C

1.75

2.20

V

T C =75A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =150o C

2.10

T C =75A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175o C

2.20

V ĢEN (th)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

T C =3.00mA ,V CE =V ĢEN , T vj =25o C

5.0

5.8

6.5

V

T Tips

Kolektors Griezts -Izslēgt Pašreizējais

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25o C

250

μA

T =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25o C

100

nA

Stienis Gint

Iekšējā vārtu pretestība

2.0

ω

C 125 °C

Ies

V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V

6.58

mHz

C ejs

Izvades jauda

0.40

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.19

mHz

Q G

NF

V ĢEN =-15...+15V

0.49

μC

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =75A, Stienis G =4,7Ω,

V ĢEN =±15V, Ls=40nH,

T vj =25o C

41

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

135

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

87

ns

t f

Nolieku laiks

255

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

12.5

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

3.6

mJ

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =75A, Stienis G =4,7Ω,

V ĢEN =±15V, Ls=40nH,

T vj =150o C

46

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

140

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

164

ns

t f

Nolieku laiks

354

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

17.6

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

6.3

mJ

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =75A, Stienis G =4,7Ω,

V ĢEN =±15V, Ls=40nH,

T vj =175o C

46

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

140

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

167

ns

t f

Nolieku laiks

372

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

18.7

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

6.7

mJ

T SC

SC dati

t P ≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T vj =175o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

300

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu Spriegums

T F =75A,V ĢEN =0V,T vj =25o C

1.75

2.20

V

T F =75A,V ĢEN =0V,T vj =150o C

1.75

T F =75A,V ĢEN =0V,T vj =175o C

1.75

trr

Dioda atkārtots Atgūšanas laiks

V Stienis = 600V,I F =75A,

-di/dt=370A/μs,V ĢEN =-15V, Ls=40nH,

T vj =25o C

267

ns

Q stienis

Atgūstamā nodeva

4.2

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

22

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

1.1

mJ

trr

Dioda atkārtots Atgūšanas laiks

V Stienis = 600V,I F =75A,

-di/dt=340A/μs,V ĢEN =-15V, Ls=40nH,

T vj =150o C

432

ns

Q stienis

Atgūstamā nodeva

9.80

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

33

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

2.7

mJ

trr

Dioda atkārtots Atgūšanas laiks

V Stienis = 600V,I F =75A,

-di/dt=320A/μs,V ĢEN =-15V, Ls=40nH,

T vj =175o C

466

ns

Q stienis

Atgūstamā nodeva

11.2

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

35

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

3.1

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienība

Stienis tJC

Savienojums ar lietu (par IGB) T) Savienojums ar kārtu (par D) jods)

0.176 0.371

K/W

Stienis tJN

Savienojums ar vidi

40

K/W