Jauns atgādinājums. :F vai vairāk IGBT diskreta, lūdzu, sūtīt e-pastu.
Funkcijas
- Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
- Zema pārlūknes zaudējumi
- Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC
- VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
- Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
- Pakete bez svina
Tipisks Lietojumprogrammas
- Inverteris motora vadībai
- AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
- Nepārtraukta strāva nodrošināšana
Absolūta Maksimāli Reitingu rādītāji T C=25o C ja norādīts atzīmēts
IGBT
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V Tips |
Sildītājs-izsildītājs |
650 |
V |
V =150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
±20 |
V |
Es C |
Kolektora strāva @ T C=25o C @ T C=135o C |
240
120
|
A |
Es Cm |
Pulss Kolektors Pašreizējais t p ierobežotas autors T jmax |
360 |
A |
PD |
Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175o C |
893 |
V |
Dioda
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums |
650 |
V |
Es F |
Diodes nepārtraukta priekšējā strāva @ T C=25o C @ T C=80o C |
177
120
|
A |
Es FM |
Dioda Maksimāli Uz priekšu Pašreizējais t p ierobežotas autors T jmax |
360 |
A |
Diskretas
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtības |
Vienība |
T žop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +175 |
o C |
T STG |
Uzglabāšanas temperatūras diapazons |
-55 līdz +150 |
o C |
T S |
Lūdes temperatūra 1,6 mm f rom lietu 10s |
260 |
o C |
IGBT Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V CE (sat)
|
Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums
|
Es C= 120A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C |
|
1.40 |
1.85 |
V
|
Es C= 120A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C |
|
1.70 |
|
Es C= 120A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =175o C |
|
1.75 |
|
V ĢEN (th) |
Vārda emitenta slieksnis Spriegums |
Es C=1.92mA ,V CE =V ĢEN , T j =25o C |
5.1 |
5.8 |
6.5 |
V |
Es Tips |
Kolektors Griezts – Izslēgt Pašreizējais |
V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25o C |
|
|
250 |
uA |
Es =150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais |
V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
200 |
nA |
Stienis Gint |
Iekšējā vārtu pretestība - - - - |
|
|
/ |
|
ω |
C125 °C |
Ies |
V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V |
|
14.1 |
|
mHz |
Cpretestība |
Atgriezītais pārvedums Jauda |
|
0.42 |
|
mHz |
J G |
NF |
V ĢEN =-15 ...+15V |
|
0.86 |
|
uC |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 300V,I C= 120A, Stienis G=7,5Ω,
V ĢEN =±15V, LS =40nH ,T j =25o C
|
|
68 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
201 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
166 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
54 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
7.19 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
2.56 |
|
mJ |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 300V,I C= 120A, Stienis G=7,5Ω,
V ĢEN =±15V, LS =40nH ,T j =150o C
|
|
70 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
207 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
186 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
106 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
7.70 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
2.89 |
|
mJ |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 300V,I C= 120A, Stienis G=7,5Ω,
V ĢEN =±15V, LS =40nH ,T j =175o C
|
|
71 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
211 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
195 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
139 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
7.80 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
2.98 |
|
mJ |
|
Es SC
|
SC dati
|
t P≤ 6 μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums
T j =150 o C,V CC = 300 V, V CEM ≤ 650V
|
|
600
|
|
A
|
Dioda Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V F
|
Diode uz priekšu Spriegums |
Es F = 120A,V ĢEN =0V,T j =25o C |
|
1.65 |
2.10 |
V
|
Es F = 120A,V ĢEN =0V,T j =150o C |
|
1.60 |
|
Es F = 120A,V ĢEN =0V,T j =175o C |
|
1.60 |
|
t r |
Dioda atkārtots Atgūšanas laiks |
V Stienis = 300V,I F = 120A,
-di/dt=450A/μs,V ĢEN =-15V LS =40nH ,T j =25o C
|
|
184 |
|
ns |
J stienis |
Atgūstamā nodeva |
|
1.65 |
|
μC |
Es RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
17.2 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
0.23 |
|
mJ |
t r |
Dioda atkārtots Atgūšanas laiks |
V Stienis = 300V,I F = 120A,
-di/dt=450A/μs,V ĢEN =-15V LS =40nH ,T j =150o C
|
|
221 |
|
ns |
J stienis |
Atgūstamā nodeva |
|
3.24 |
|
μC |
Es RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
23.1 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
0.53 |
|
mJ |
t r |
Dioda atkārtots Atgūšanas laiks |
V Stienis = 300V,I F = 120A,
-di/dt=450A/μs,V ĢEN =-15V LS =40nH ,T j =175o C
|
|
246 |
|
ns |
J stienis |
Atgūstamā nodeva |
|
3.98 |
|
μC |
Es RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
26.8 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
0.64 |
|
mJ |
Diskretas Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
Stienis tJC |
Savienojums ar lietu (par IGB) T) Savienojums ar kārtu (par D) jods) |
|
|
0.168 0.369 |
K/W |
Stienis tJN |
Savienojums ar vidi |
|
40 |
|
K/W |
EN
