GD75HFX170C1S, IGBT modulis, STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1700

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

Es C

Kolektora strāva @ T C=25o C @ T C=100o C

136

75

A

Es Cm

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

150

A

PD

Maksimāli Enerģiju Zudums @ T vj =175o C

539

V

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1700

V

Es F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

75

A

Es FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

150

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

Es C=75A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25o C

1.85

2.20

V

Es C=75A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125o C

2.25

Es C=75A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =150o C

2.35

V ĢEN (th)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

Es C=3.0mA ,V CE =V ĢEN , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Es Tips

Kolektors Griezts – Izslēgt Pašreizējais

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25o C

5.0

mA

Es =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Stienis Gint

Iekšējā vārtu pretestība

8.5

ω

C125 °C

Ies

V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V

9.03

mHz

Cpretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.22

mHz

J G

NF

V ĢEN =-15 ...+15V

0.71

μC

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C=75A, Stienis G=6.8Ω,V ĢEN =±15V, LS =60nH ,T vj =25o C

237

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

59

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

314

ns

t f

Nolieku laiks

361

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

25.0

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

9.5

mJ

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C=75A, Stienis G=6.8Ω,V ĢEN =±15V, LS =60nH ,T vj =125o C

254

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

70

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

383

ns

t f

Nolieku laiks

524

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

33.3

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

15.1

mJ

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C=75A, Stienis G=6.8Ω,V ĢEN =±15V, LS =60nH ,T vj =150o C

257

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

75

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

396

ns

t f

Nolieku laiks

588

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

36.9

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

16.6

mJ

Es SC

SC dati

t P≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T vj =150o C,V CC =1000V

V CEM ≤ 1700V

300

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu Spriegums

Es F =75A,V ĢEN =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

Es F =75A,V ĢEN =0V,T vj =125o C

1.90

Es F =75A,V ĢEN =0V,T vj =150o C

1.95

J stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 900V,I F =75A,

-di/dt=700A/μs,V ĢEN =-15V LS =60nH ,T vj =25o C

16.4

μC

Es RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

58

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

7.2

mJ

J stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V ĢEN =-15V LS =60nH ,T vj =125o C

30.8

μC

Es RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

64

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

15.8

mJ

J stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V ĢEN =-15V LS =60nH ,T vj =150o C

31.4

μC

Es RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

64

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

18.2

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienība

LCE

Neatklāta induktantība

30

nH

Stienis CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", Termināls uz čipu

0.65

mΩ

Stienis tJC

Savienojums – līdz – Gadījums (perIGBT ) Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

0.278 0.467

K/W

Stienis tCH

Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: (atkārtojiet)

0.160 0.268 0.050

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m.

G

Svars no Modulis

150

g