GD75HFX170C1S, IGBT modulis, STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1700

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

T C

Kolektora strāva @ T C =25o C @ T C =100o C

136

75

A

T CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

150

A

P D

Maksimālais Enerģiju Zudums @ T vj =175o C

539

V

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1700

V

T F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

75

A

T FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

150

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

T C =75A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25o C

1.85

2.20

V

T C =75A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125o C

2.25

T C =75A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =150o C

2.35

V ĢEN (th)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

T C =3.0mA ,V CE =V ĢEN , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

T Tips

Kolektors Griezts -Izslēgt Pašreizējais

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25o C

5.0

mA

T =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Stienis Gint

Iekšējā vārtu pretestība

8.5

ω

C 125 °C

Ies

V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V

9.03

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.22

mHz

Q G

NF

V ĢEN =-15 ...+15V

0.71

μC

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =75A, Stienis G =6.8Ω,V ĢEN =±15V, LS =60nH ,T vj =25o C

237

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

59

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

314

ns

t f

Nolieku laiks

361

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

25.0

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

9.5

mJ

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =75A, Stienis G =6.8Ω,V ĢEN =±15V, LS =60nH ,T vj =125o C

254

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

70

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

383

ns

t f

Nolieku laiks

524

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

33.3

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

15.1

mJ

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =75A, Stienis G =6.8Ω,V ĢEN =±15V, LS =60nH ,T vj =150o C

257

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

75

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

396

ns

t f

Nolieku laiks

588

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

36.9

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

16.6

mJ

T SC

SC dati

t P ≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T vj =150o C ,V CC =1000V

V CEM ≤ 1700V

300

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu Spriegums

T F =75A,V ĢEN =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

T F =75A,V ĢEN =0V,T vj =125o C

1.90

T F =75A,V ĢEN =0V,T vj =150o C

1.95

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 900V,I F =75A,

-di/dt=700A/μs,V ĢEN =-15V LS =60nH ,T vj =25o C

16.4

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

58

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

7.2

mJ

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V ĢEN =-15V LS =60nH ,T vj =125o C

30.8

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

64

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

15.8

mJ

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V ĢEN =-15V LS =60nH ,T vj =150o C

31.4

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

64

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

18.2

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienība

L CE

Neatklāta induktantība

30

nH

Stienis CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", Termināls uz čipu

0.65

mΩ

Stienis tJC

Savienojums -pret -Gadījums (perIGBT ) Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

0.278 0.467

K/W

Stienis tCH

Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: (atkārtojiet)

0.160 0.268 0.050

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m.

G

Svars no Modulis

150

g