Visi kategorijas
Saņemt Kalkulāciju
EN EN

Saņemt bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis sazināsies ar jums drīz.
E-pasts
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņa
0/1000

IGBT modulis 1200V

IGBT modulis 1200V

Mājas Lapa /  Produkti /  IGBT Modulis /  IGBT Modulis 1200V

IGBT modulis 1200V

GD720HTA120P6HLT,IGBT Modulis,STARPOWER
GD720HTA120P6HLT,IGBT Modulis,STARPOWER
GD720HTA120P6HLT,IGBT Modulis,STARPOWER
GD720HTA120P6HLT,IGBT Modulis,STARPOWER
GD720HTA120P6HLT,IGBT Modulis,STARPOWER
GD720HTA120P6HLT,IGBT Modulis,STARPOWER

GD720HTA120P6HLT,IGBT Modulis,STARPOWER

1200V 720A Pakotne:P6

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD720HTA120P6HLT
Saņemt Kalkulāciju
  • Ievads
  • Kontūra
  • Ekvivalentā shēma
Ievads

Īss ievads

IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 1200V 720A.

Īpašības

  • Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
  • Zemas slēgšanas zudumi
  • 4μs īsā ceļa spēja
  • VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
  • Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC
  • Zema induktivitātes kārta
  • Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
  • Isolētais kupfera pinfin pamatplāksnis, izmantojot Si3N4AMB tehnoloģiju

Tipiskas lietošanas metodes

  • Autoindustrija pIEKTAIS
  • Hibrīda un elektriskā transportlīdzeklis
  • Inverteris motora vadībai

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T F =25 o C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I CN

Izmantotais kolektors Cu īr

720

A

I C

Kolektora strāva @ T F =65 o C

600

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

1440

A

P D

Maksimālais jaudas izmešana cijas @ T F =75 o C T vj =175 o C

1204

Platums

Dioda

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volta ģEN

1200

V

I FN

Izmantotais kolektors Cu īr

720

A

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

600

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

1440

A

Modulis

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

T vjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

o C

T vjop

Darbības savienojuma temperatūra nepārtraukta

Par 10s laikposmā 30 gadu vecumā, gadījums maksimāli 3000 reizes uz ilgāku laiku es

-40 līdz +150 +150 līdz +175

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

3000

V

IGBT Raksturlielumi T F =25 o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

I C = 600A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 o C

1.50

V

I C = 600A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 o C

1.80

I C = 600A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175 o C

1.85

I C =720A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 o C

1.60

I C =720A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175 o C

2.05

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C = 15,6 mA ,V CE = V ĢEN , T vj =25 o C

6.0

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Iekšējā vārtu pretestība

1.67

ω

C 125 °C

Ies

V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V

48.7

mHz

C ejs

Izvades jauda

1.55

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.26

mHz

Q G

NF

V CE =800V,I C =600A, V ĢEN =-8...+15V

3.52

μC

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =800V,I C = 600A,

R Gons =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, Garums S =24nH,

V ĢEN =-8V/+15V, T vj =25 o C

208

ns

t r

Atkāpšanās laiks

65

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

505

ns

t f

Nolieku laiks

104

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

77.7

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

62.2

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =800V,I C = 600A,

R Gons =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, Garums S =24nH,

V ĢEN =-8V/+15V, T vj = 150 o C

225

ns

t r

Atkāpšanās laiks

75

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

567

ns

t f

Nolieku laiks

191

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

110

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

83.4

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =800V,I C = 600A,

R Gons =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, Garums S =24nH,

V ĢEN =-8V/+15V, T vj =175 o C

226

ns

t r

Atkāpšanās laiks

77

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

583

ns

t f

Nolieku laiks

203

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

118

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

85.9

mJ

I SC

SC dati

t P ≤4μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T vj =175 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2600

A

Dioda Raksturlielumi T F =25 o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I F = 600A,V ĢEN =0V,T vj =2 5o C

1.95

V

I F = 600A,V ĢEN =0V,T vj = 150 o C

1.95

I F = 600A,V ĢEN =0V,T vj =175 o C

1.90

I F =720A,V ĢEN =0V,T vj =2 5o C

2.05

I F =720A,V ĢEN =0V,T vj =175 o C

2.05

Q r

Atgūstamā nodeva

V R =800V,I F = 600A,

-di\/dt=8281A\/μs, L S =24n H, V ĢEN =-8V, T vj =25 o C

44.3

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

346

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

16.2

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R =800V,I F = 600A,

-di/dt=6954A/μs, L S =24n H, V ĢEN =-8V, T vj = 150 o C

73.4

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

385

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

27.8

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R =800V,I F = 600A,

-di/dt=6679A/μs, L S =24n H, V ĢEN =-8V, T vj =175 o C

80.7

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

392

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

30.7

mJ

NTC Raksturlielumi T F =25 o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

R 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe of R 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Jauda

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Modulis Raksturlielumi T F =25 o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

8

nH

R CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", Termināls uz čipu

0.75

mΩ

p

Maksimālais spiediens dzesēšanas sistēmā apģērbs

T atbalsta plāksne <40 o C

T atbalsta plāksne 40o C

(relatīvā spiediena)

2.5 2.0

bars

R tJF

Savienojums -uz -Dzesēšana Sūknis (perIGBT )Savienojuma-dzesēšanas šķidrums (par Di) ode) △ V/ △ t=10,0 dM 3/min ,T F =75 o C

0.072 0.104

0.083 0.120

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, Skrūve M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m.

G

Svars of Modulis

750

g

Kontūra

Ekvivalentā shēma

Saņemt bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis sazināsies ar jums drīz.
E-pasts
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņa
0/1000

SAISTĪTS PRODUKTS

Y50KFG, nesimetriskais ātrā izslēgšanas tiristors
Y50KFG, nesimetriskais ātrā izslēgšanas tiristors
MDC90,Metināšanas diodes modulis,Gaisa dzesēšana
MDC90,Metināšanas diodes modulis,Gaisa dzesēšana
Y53ZPA-B, bezmāju metināšanas diods
Y53ZPA-B, bezmāju metināšanas diods
MDC160,Metināšanas diodes modulis,Gaisa dzesēšana
MDC160,Metināšanas diodes modulis,Gaisa dzesēšana
MD600-A, Diodes moduļi
MD600-A, Diodes moduļi
T65ZPR, Taisnojo diodi
T65ZPR, Taisnojo diodi
Vai jums ir jautājumi par kādiem produktiem?

Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.

Saņemt Kalkulāciju

Saņemt bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis sazināsies ar jums drīz.
E-pasts
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņa
0/1000

Saņemt bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis sazināsies ar jums drīz.
E-pasts
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņa
0/1000