GD400HTX120P4SD, IGBT modulis, STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1200

V

T FN

Realizētais uz priekšu Cu īr

400

A

T F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

300

A

T FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

800

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

o C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min

2500

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

T C = 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C

1.50

1.95

V

T C = 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125o C

1.60

T C = 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C

1.65

V ĢEN (th)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

T C =16.0mA ,V CE =V ĢEN , T j =25o C

5.3

5.8

6.3

V

T Tips

Kolektors Griezts -Izslēgt Pašreizējais

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25o C

1.0

mA

T =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Stienis Gint

Iekšējā vārtu pretestība

0.5

ω

C 125 °C

Ies

V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V

41.4

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

1.16

mHz

Q G

NF

V ĢEN =15V

3.11

μC

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =500V,I C = 300A, Stienis G =1,5Ω,V ĢEN =±15V, LS =25nH ,T j =25o C

223

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

32

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

354

ns

t f

Nolieku laiks

228

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

6.24

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

20.1

mJ

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =500V,I C = 300A, Stienis G =1,5Ω,V ĢEN =±15V, Ls=25nH,T j =125o C

229

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

36

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

411

ns

t f

Nolieku laiks

344

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

11.0

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

28.6

mJ

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =500V,I C = 300A, Stienis G =1,5Ω,V ĢEN =±15V, Ls=25nH,T j =150o C

231

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

38

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

421

ns

t f

Nolieku laiks

352

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

12.2

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

29.7

mJ

T SC

SC dati

t P ≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T j =150o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu Spriegums

T F = 300A,V ĢEN =0V,T j =25o C

1.35

1.80

V

T F = 300A,V ĢEN =0V,T j =125o C

1.35

T F = 300A,V ĢEN =0V,T j =150o C

1.35

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis =500V,I F = 300A,

-di\/dt=9700A\/μs,V ĢEN =-15V Ls=25nH,T j =25o C

32.7

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

478

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

22.1

mJ

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis =500V,I F = 300A,

-di\/dt=8510A\/μs,V ĢEN =-15V Ls=25nH,T j =125o C

45.9

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

522

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

32.7

mJ

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis =500V,I F = 300A,

-di\/dt=8250A\/μs,V ĢEN =-15V Ls=25nH,T j =150o C

51.5

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

537

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

37.4

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

Stienis 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe no Stienis 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Enerģiju

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienība

△p

Spiediena kritums Dzesēšanas Cir apģērbs

△V/ △t=10,0 dM 3/min ;T F =25o C ;Dzesēšana Šķidrums=50% ūdens/50% etilēnglikols

100

bar

p

Maksimālais spiediens dzesēšanas sistēmā apģērbs

2.5

stienis

L CE

Neatklāta induktantība

14

nH

Stienis CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", Termināls uz čipu

0.80

mΩ

Stienis tJF

Savienojums -pret -Dzesēšana Sūknis (perIGBT ) Savienojuma-dzesēšanas šķidrums (par Di) ode)

0.100 0.125

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5 3.0

5.0 6.0

N.m.

G

Svars no Modulis

1340

g