GD400HFX170C2S, IGBT Modulis, STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1700

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

648

400

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

800

A

P D

Maksimālais enerģijas izmešana T =175 o C

2380

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1700

V

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

400

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

800

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

o C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =400A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 o C

1.85

2.20

V

I C =400A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 o C

2.25

I C =400A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 o C

2.35

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C = 16.0mA,V CE =V ĢEN , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

1.88

ω

C 125 °C

Ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

48.2

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

1.17

mHz

Q G

NF

V ĢEN =- 15V...+15V

3.77

μC

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =400A, R G =0.82Ω,V ĢEN =±15V, T j =25 o C

204

ns

t r

Atkāpšanās laiks

38

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

425

ns

t f

Nolieku laiks

113

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

97.9

mJ

E izslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

84.0

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =400A, R G =0.82Ω,V ĢEN =±15V, T j =125 o C

208

ns

t r

Atkāpšanās laiks

50

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

528

ns

t f

Nolieku laiks

184

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

141

mJ

E izslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

132

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =400A, R G =0.82Ω,V ĢEN =±15V, T j = 150 o C

216

ns

t r

Atkāpšanās laiks

50

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

544

ns

t f

Nolieku laiks

204

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

161

mJ

E izslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

137

mJ

I SC

SC dati

t P ≤ 10 μs,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 o C,V CC = 100V, V CEM ≤ 1700V

1600

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =400A,V ĢEN =0V,T j =25 o C

1.80

2.25

V

I F =400A,V ĢEN =0V,T j =125 o C

1.90

I F =400A,V ĢEN =0V,T j = 150 o C

1.95

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V ĢEN =- 15V T j =25 o C

116

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

666

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

63.8

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V ĢEN =- 15V T j =125 o C

187

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

662

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

114

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 150 o C

209

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

640

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

132

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

R CC+EE

Modulā "Slēpuma pretestība" nce, termināls uz čipu

0.35

mΩ

R tJC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

0.063

0.105

K/W

R tCH

Izmērs: IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes)

Izmērs: Modulis)

0.032

0.053

0.010

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Svars of Modulis

300

g