Īss ievads
IGBT modulis ,izgatavots uzņēmumā STARPOWER. 1 700V 1200A ,A3 .
Īpašības
- Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
- 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
- VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
- Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC
- Zema induktivitātes kārta
- Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
- AlSiC pamatne augstas jaudas ciklu spējām
-
AlN substrāts zemākās temperatūras pretestībai cE
Tipiskas lietošanas metodes
- AC invertera dzinēji
- Pārvietojošā režīmā esošie enerģijas avoti
- Elektroniski velmētāji
Absolūta Maksimālais Reitingu rādītāji T C =25o C ja norādīts atzīmēts
IGBT
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V Tips |
Sildītājs-izsildītājs |
1700 |
V |
V =150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
±20 |
V |
T C |
Kolektora strāva @ T C =25o C @ T C =100o C |
2206
1200
|
A |
T CM |
Impulsu kolektora strāva t p =1ms |
2400 |
A |
P D |
Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175o C |
8.77 |
Kw |
Dioda
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums |
1700 |
V |
T F |
Dioda nepārtraukta uz priekšu īr |
1200 |
A |
T FM |
Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms |
2400 |
A |
Modulis
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
T jmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
175 |
o C |
T žop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
o C |
T STG |
Uzglabāšanas temperatūras diapazons |
-40 līdz +125 |
o C |
V ISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min. |
4000 |
V |
IGBT Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V CE (sat)
|
Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums
|
T C =1200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C |
|
1.85 |
2.20 |
V
|
T C =1200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125o C |
|
2.25 |
|
T C =1200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C |
|
2.35 |
|
V ĢEN (th) |
Vārda emitenta slieksnis Spriegums |
T C =48.0mA ,V CE =V ĢEN , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
T Tips |
Kolektors Griezts -Izslēgt Pašreizējais |
V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25o C |
|
|
5.0 |
mA |
T =150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais |
V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
Stienis Gint |
Iekšējā vārtu pretestība |
|
|
1.0 |
|
ω |
C 125 °C |
Ies |
V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V |
|
145 |
|
mHz |
C pretestība |
Atgriezītais pārvedums Jauda |
|
3.51 |
|
mHz |
Q G |
NF |
V ĢEN =-15 ...+15V |
|
11.3 |
|
μC |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 900V,I C =1200A, Stienis G =1,0Ω,
V ĢEN =-9/+15V,
L S =65nH ,T j =25o C
|
|
440 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
112 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
1200 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
317 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
271 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
295 |
|
mJ |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 900V,I C =1200A, Stienis G =1,0Ω,
V ĢEN =-9/+15V,
L S =65nH ,T j =125o C
|
|
542 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
153 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
1657 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
385 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
513 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
347 |
|
mJ |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 900V,I C =1200A, Stienis G =1,0Ω,
V ĢEN =-9/+15V,
L S =65nH ,T j =150o C
|
|
547 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
165 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
1695 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
407 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
573 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
389 |
|
mJ |
|
T SC
|
SC dati
|
t P ≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums
T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V
|
|
4800
|
|
A
|
Dioda Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V F
|
Diode uz priekšu Spriegums |
T F =1200A,V ĢEN =0V, T j =25℃ |
|
1.80 |
2.25 |
V
|
T F =1200A,V ĢEN =0V, T j =125℃ |
|
1.90 |
|
T F =1200A,V ĢEN =0V, T j =150℃ |
|
1.95 |
|
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V CC = 900V,I F =1200A,
-di/dt=10500A/μs,V ĢEN =-9V, L S =65nH,T j =25℃
|
|
190 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
844 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
192 |
|
mJ |
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V CC = 900V,I F =1200A,
-di/dt=7050A/μs,V ĢEN =-9V, L S =65nH,T j =125℃
|
|
327 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
1094 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
263 |
|
mJ |
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V CC = 900V,I F =1200A,
-di/dt=6330A/μs,V ĢEN =-9V, L S =65nH,T j =150℃
|
|
368 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
1111 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
275 |
|
mJ |
Modulis Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
L CE |
Neatklāta induktantība |
|
12 |
|
nH |
Stienis CC+EE |
Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu |
|
0.19 |
|
mΩ |
Stienis tJC |
Savienojums -pret -Gadījums (perIGBT ) Savienojums ar kārtu (par D) jods) |
|
|
17.1 26.2 |
K/kW |
|
Stienis tCH
|
Gadījums -pret -Siltumapdalītājs (perIGBT )Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes) Izmērs: Modulis) |
|
9.9 15.2 6.0 |
|
K/kW |
|
M
|
Jaudas termināls Šķirbju:M4 Jaudas termināls Šķirbju:M8 Pievienošanas skrūvs:M6 |
1.8 8.0 4.25 |
|
2.1 10.0 5.75 |
N.m.
|
G |
Svars no Modulis |
|
1050 |
|
g |
EN
