홈페이지 / 제품 / IGCT 모듈 / 역방향 차단 IGCT(RB-IGCT)
역방향 차단 통합 게이트-환류 티라이스터(RB-IGCT) 모듈 rB-IGCT 모듈은 차세대 고전압 전력 변환 시스템을 위해 설계된 고성능 고전력 반도체 소자이다. 내장된 역방향 전압 차단 기능을 갖추고 있어, 엄격한 에너지 변환 응용 분야에서 뛰어난 전기적 성능, 높은 신뢰성 및 우수한 효율을 제공한다.
검증된 IGCT 기술과 첨단 프레스팩 패키징 을 기반으로 한 RB-IGCT 모듈은 티라이스터 소자의 장점—초저감 전도 손실 및 고전류 용량—을 게이트 제어 방식의 빠르고 효율적인 턴오프 성능과 결합한다. 견고한 프레스팩 구조는 탁월한 열 성능, 기계적 강도 및 극심한 전기적·열적 스트레스 하에서도 신뢰성 있는 작동을 가능하게 한다.
통합 역방향 차단 기능을 통해 RB-IGCT 모듈은 추가적인 역전압 보호 부품이 필요 없어 시스템 설계를 단순화하고, 전력 밀도와 전체 시스템 신뢰성을 향상시킵니다.
통합 역전압 차단 기능 간소화된 시스템 설계를 위해;
고전압 및 고전류 능력 대규모 전력 변환 응용 분야를 위해;
초저 전도 손실 향상된 에너지 효율성을 위해;
신속한 차단 능력 탁월한 스위칭 성능과 함께;
고급 프레스팩 패키지 설계 양면 냉각 기능을 갖춘;
전기적, 열적, 기계적 스트레스 조건에서 높은 신뢰성 .
고압 직류 송전(HVDC);
유연한 교류 송전 시스템(FACTS);
중압 및 고압 컨버터;
철도 견인 전력 시스템;
대규모 산업용 전원 공급 장치;
재생 에너지 및 계통 연계 전력 변환 시스템;
에너지 저장 및 고출력 변환 응용 분야.
YT-RBC5580Y11
키 파라미터
V DRM |
8000 |
V |
V RRM |
8000 |
V |
이 TGQM |
6600 |
A |
이 T(AV) |
3290 |
A |
이 TSM |
40 |
kA |
V 에 |
1.25 |
V |
r T |
0.26 |
mΩ |
R thJC |
3.6 |
K/ kW |
적용 분야
● DC 회로 |
● 브레이커 하이브리드 커뮤테이티드 컨버터 |
특징
● 고내전류 |
● 낮은 도통 손실 |
● 정방향 및 역방향 모두 차단 |
● 자체 에너지 획득 |
차단 데이터
심보 l |
사양 |
조건 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
단위 |
V DRM |
반복 피크 오프 상태 전압 |
게이트 유닛 전원 켜짐 ,T Vj =90℃,이 D ≤이 DRM ,t p = 10ms |
- |
- |
8000 |
V |
이 DRM |
반복 피크 오프-스테이트 전류 |
게이트 유닛 전원 켜짐 ,T Vj =90℃,V D ≤V DRM ,t p = 10ms |
- |
- |
300 |
mA |
V RRM |
반복 피크 역방향 차단 전압 |
게이트 유닛 전원 켜짐 ,T Vj =90℃,이 R ≤이 RRM ,t p = 10ms |
- |
- |
8000 |
V |
이 RRM |
반복 피크 역방향 차단 전류 |
게이트 유닛 전원 켜짐 ,T Vj =90℃,V R ≤V RRM ,t p = 10ms |
- |
- |
300 |
mA |
V GRM |
반복 피크 역방향 게이트 전압 |
/ |
- |
- |
24 |
V |
이 D(DC) |
DC 차단 전류 |
게이트 유닛 전원 켜짐 ,T Vj =90℃,V D (DC )=6450V |
- |
- |
40 |
mA |
이 R(DC) |
DC 역방향 전류 |
게이트 유닛 전원 켜짐 ,T Vj =90℃,V R (DC )=6450V |
- |
- |
40 |
mA |
V Ral |
역방향 장기 어벌런치 전압 |
게이트 유닛 전원 켜짐 , T Vj =90℃ ,t p =250μs/2 500마이크로초 |
- |
- |
8500 |
V |
이 Ral |
역방향 장기 어블레인 전류 |
게이트 유닛 전원 켜짐 , T Vj =90℃ ,t p =250μs/2 500마이크로초 |
- |
- |
30 |
A |
V 순환 수조 시스템 |
역방향 단기 어블레인 전압 |
게이트 유닛 전원 켜짐 , T Vj =90℃ ,t p= 1.5마이크로초/50마이크로초 |
- |
- |
8900 |
V |
이 순환 수조 시스템 |
역방향 단기 어블레인 전류 |
포트 단위 전원 켜짐, T Vj =90℃ ,t p= 1.5마이크로초/50마이크로초 |
- |
- |
50 |
A |
d v /dt |
오프 상태 전압의 비판적 상승 속도 |
게이트 유닛 전원 켜짐 ,T Vj =90℃,V Dm =6400볼트 |
- |
- |
4000 |
V/ μs |
전문 영업팀이 귀하의 문의를 기다리고 있습니다.
제품 목록을 따라가면 관심 있는 질문을 할 수 있습니다.
EN
