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간략한 소개
IGCT 시리즈 제품
당사는 고성능 통합 게이트 커뮤테이션 티라이스터(IGCT)를 제공합니다. 제품 고전력 및 중압 전력 전자 응용 분야에 사용됩니다. IGCT는 티라이스터 기술과 고급 게이트 커뮤테이션 기술의 장점을 결합하여 높은 전압 내성, 초고전류 처리 능력, 낮은 도통 손실, 우수한 스위칭 성능, 그리고 뛰어난 신뢰성을 갖추고 있습니다.
IGCT 제품 포트폴리오에는 두 가지 주요 시리즈가 포함되어 있습니다.
1. 역전도형 IGCT(RC-IGCT)
역전도형 IGCT는 IGCT와 프리휠링 다이오드를 단일 반도체 구조로 통합하여, 우수한 스위칭 성능과 간소화된 시스템 설계를 가능하게 하는 소형 솔루션을 제공합니다. 중압 드라이브, 컨버터, 고전력 인버터 시스템 등 다양한 응용 분야에 널리 적합합니다.
2. 비대칭형 IGCT(A-IGCT)
비대칭 IGCT는 고전력 스위칭 응용 분야에 최적화되어 탁월한 차단 능력, 낮은 도통 손실, 높은 전류 밀도를 제공합니다. 중압 변환기, 산업용 드라이브, 고전력 에너지 변환 시스템 등 최대 전력 처리 능력을 요구하는 엄격한 응용 분야를 위해 설계되었습니다.
고급 반도체 기술과 신뢰성 있는 프레스팩 패키징을 통해 당사의 IGCT 제품은 HVDC 시스템, 재생 가능 에너지 변환, 산업용 모터 드라이브, 견인 시스템 및 기타 고전력 응용 분야에 효율적이고 신뢰성 높은 솔루션을 제공합니다.
적용 분야
고전력 변환기
모터 구동 장비
유연한 전송 시스템
특징
자동 끄는 기능
낮은 운영 손실
에 적합함 용도 연속적으로
키 매개변수
V DRM |
4500 |
V |
이 TGQM |
5000 |
A |
이 TSM |
35 |
kA |
V 에 |
1.22 |
V |
r T |
0.28 |
mΩ |
V DClink |
2800 |
V |
차단 데이터
상징 |
조건 |
분 |
종류 |
최대 |
단위 |
V DRM |
TVJ = 125℃, ID ≤ IDRM, tp = 10ms |
- |
- |
4500 |
V |
DRM |
TVJ = 125℃, VD = VDRM, tp = 10ms |
- |
- |
50 |
mA |
dv/dt |
TVJ = 125℃, VD = 0.67 × VDRM |
|
|
1000 |
V/μs |
VDClink |
100FIT 고장률에서 허용되는 중간 직류 전압 |
- |
- |
2800 |
V |
VRRM |
/ |
- |
- |
17 |
V |
온 상태 데이터
상징 |
조건 |
분 |
종류 |
최대 |
단위 |
이 T(RMS) |
TC = 85℃, 사인 반파, 양면 냉각 |
- |
- |
3000 |
A |
|
이 TSM 이 2t |
TVJ = 125℃, 사인 반파, 10ms, VD = VR = 0 |
- - |
- - |
35 545 |
kA 104A 2s |
V TM |
TVJ = 125℃, IT = 5000A |
- |
2.37 |
2.61 |
V |
|
V 에 r T |
TVJ = 125℃, IT = 1000…5000A |
- - |
- - |
1.22 0.28 |
V mΩ |
켜 데이터
상징 |
조건 |
분 |
종류 |
최대 |
단위 |
diT/dt |
TVJ = 125℃, IT = 5000A, VD = 2800V, f = 0~500Hz |
- |
- |
5000 |
A/μs |
tdon |
|
- |
- |
4 |
μs |
|
t donSF tr |
TVJ = 125℃, IT = 5000A, VD = 2800V, di/dt = VD/Li, CCL = 20μF, RS = 0.4Ω, Li = 3μH, LCL = 0.3μH |
- - |
- - |
8 1 |
μs μs |
E에 |
|
- |
- |
1.8 |
J |
차단 데이터
상징 |
조건 |
분 |
유형 e |
최대 |
단위 |
|
이 TGQM |
TVJ = 125℃, VDM ≤ VDRM, VD = 2800V, LCL = 0.3μH, CCL = 20μF, RS = 0.4Ω, f = 0~300Hz DFWD = DCL=SF8.FYB2000-45 |
- |
- |
5000 |
A |
|
t doff t doffSF t f E OFF |
TVJ = 125℃, ITGQ = 5000A, VD = 2800V, VDM ≤ VDRM, CCL = 20μF, RS = 0.4Ω L i = 4μH, L CL = 0.3μH DFWD = DCL = SF8.FYB2000-45 |
- - - - |
- - - 28 |
8 10 1 33 |
μs μs μs J |
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