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고전류 IGBT 모듈, 단일 스위치, CRRC
간략한 소개
IGBT 모듈 ,H 고전류 IGBT 모듈 cRRC에서 생산한 단일 스위치 IGBT 모듈. 1700V 2400A.
키 파라미터
V C ES |
1700 V |
V CE (sat) |
(유형 ) 1.75 V |
I C |
(최대 ) 2400 A |
I C(RM) |
(최대 ) 4800 A |
전형적 응용
기능
절대 최대 등급
(기호) |
(매개변수) |
(테스트 조건) |
(value) |
(단위) |
VCES |
컬렉터-이미터 전압 |
V GE = 0V,Tvj = 25°C |
1700 |
V |
V GES |
게이트-이미터 전압 |
|
± 20 |
V |
I C |
컬렉터-이미터 전류 |
T case = 100 °C, Tvj = 150 °C |
2400 |
A |
I C(PK) |
피크 컬렉터 전류 |
tP = 1ms |
4800 |
A |
P max |
최대. 트랜지스터 전력 손실 |
Tvj = 150°C, T case = 25 °C |
19.2 |
kW |
I 2t |
다이오드 I2t |
VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C |
1170 |
kA2s |
|
Visol |
모듈당 절연 전압 |
(기판에 공통 터미널), AC RMS,1 분, 50Hz |
4000 |
V |
Q PD |
모듈당 부분 방전 |
IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS |
10 |
pC |
전기적 특성
Tcase = 25 °C T case = 25°C 명시되지 않는 한 |
||||||||
(기호) |
(매개변수) |
(테스트 조건) |
(Min) |
(전형) |
(Max) |
(단위) |
||
|
I CES |
컬렉터 차단 전류 |
V GE = 0V, VCE = VCES |
|
|
1 |
mA |
||
V GE = 0V, VCE = VCES , T case =125 °C |
|
|
40 |
mA |
||||
V GE = 0V, VCE = VCES , T case =150 °C |
|
|
60 |
mA |
||||
I GES |
게이트 누설 전류 |
V GE = ±20V, VCE = 0V |
|
|
1 |
μA |
||
V GE (TH) |
게이트 임계 전압 |
I C = 80mA, V GE = VCE |
5.0 |
6.0 |
7.0 |
V |
||
|
VCE (sat)(*1) |
컬렉터-이미터 포화 전압 |
VGE =15V, IC = 2400A |
|
1.75 |
|
V |
||
VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 125 °C |
|
1.95 |
|
V |
||||
VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 150 °C |
|
2.05 |
|
V |
||||
I F |
다이오드 순방향 전류 |
DC |
|
2400 |
|
A |
||
I FRM |
다이오드 최대 전류 |
t P = 1ms |
|
4800 |
|
A |
||
|
VF(*1) |
다이오드 순방향 전압 |
IF = 2400A |
|
1.65 |
|
V |
||
IF = 2400A, Tvj = 125 °C |
|
1.75 |
|
V |
||||
IF = 2400A, Tvj = 150 °C |
|
1.75 |
|
V |
||||
시스 |
입력 용량 |
VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz |
|
400 |
|
nF |
||
본부 |
게이트 요금 |
±15V |
|
19 |
|
μC |
||
크레스 |
역전환 용량 |
VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz |
|
3 |
|
nF |
||
L M |
모듈 인덕턴스 |
|
|
10 |
|
nH |
||
R INT |
내부 트랜지스터 저항 |
|
|
110 |
|
μΩ |
||
|
I SC |
단락 전류, ISC |
Tvj = 150°C, V CC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2) ×di/dt, IEC 6074-9 |
|
12000 |
|
A |
||
td(off) |
차단 지연 시간 |
I C = 2400A VCE = 900V L S ~ 50nH V GE = ±15V R G(ON) = 0.5Ω R G(OFF)= 0.5Ω |
|
2320 |
|
nS |
||
t f |
하강 시간 |
|
500 |
|
nS |
|||
E OFF |
차단 에너지 손실 |
|
1050 |
|
mJ |
|||
td(on) |
턴온 지연 시간 |
|
450 |
|
nS |
|||
tr |
상승 시간 |
|
210 |
|
nS |
|||
EON |
켜기 에너지 손실 |
|
410 |
|
mJ |
|||
Qrr |
다이오드 역회복 전하 |
I F = 2400A VCE = 900V diF/dt =10000A/us |
|
480 |
|
μC |
||
I rr |
다이오드 역회복 전류 |
|
1000 |
|
A |
|||
Erec |
다이오드 역회복 에너지 |
|
320 |
|
mJ |
|||
td(off) |
차단 지연 시간 |
I C = 2400A VCE = 900V L S ~ 50nH V GE = ±15V R G(ON) = 0.5Ω R G(OFF)= 0.5Ω |
|
2340 |
|
nS |
||
t f |
하강 시간 |
|
510 |
|
nS |
|||
E OFF |
차단 에너지 손실 |
|
1320 |
|
mJ |
|||
td(on) |
턴온 지연 시간 |
|
450 |
|
nS |
|||
tr |
상승 시간 |
|
220 |
|
nS |
|||
EON |
켜기 에너지 손실 |
|
660 |
|
mJ |
|||
Qrr |
다이오드 역회복 전하 |
I F = 2400A VCE = 900V diF/dt =10000A/us |
|
750 |
|
μC |
||
I rr |
다이오드 역회복 전류 |
|
1200 |
|
A |
|||
Erec |
다이오드 역회복 에너지 |
|
550 |
|
mJ |
|||
td(off) |
차단 지연 시간 |
I C = 2400A VCE = 900V L S ~ 50nH V GE = ±15V R G(ON) = 0.5Ω R G(OFF)= 0.5Ω |
|
2340 |
|
nS |
||
t f |
하강 시간 |
|
510 |
|
nS |
|||
E OFF |
차단 에너지 손실 |
|
1400 |
|
mJ |
|||
td(on) |
턴온 지연 시간 |
|
450 |
|
nS |
|||
tr |
상승 시간 |
|
220 |
|
nS |
|||
EON |
켜기 에너지 손실 |
|
820 |
|
mJ |
|||
Qrr |
다이오드 역회복 전하 |
I F = 2400A VCE = 900V diF/dt =12000A/us |
|
820 |
|
μC |
||
I rr |
다이오드 역회복 전류 |
|
1250 |
|
A |
|||
Erec |
다이오드 역회복 에너지 |
|
620 |
|
mJ |
|||
회사 소개
우리는 IGBT의 응용 에 중점을 둡니다 제품 . IGBT의 적용을 기반으로 하여, 당사는 고성능 파워 어셈블리 맞춤 제작으로 제품 스펙트럼을 확장하였으며, 동시에 당사의 사업 영역을 ADC/DAC, LDO, 계측용 증폭기, 전자기 릴레이, PhotoMOS 및 MOSFET과 같은 자동화 제어 제품 분야로 확대하였습니다. 이를 통해 당사는 전문 분야에서 중국 최고 제조업체들과 협력하여 고객에게 신뢰성 있고 비용 효율적인 제품을 제공할 수 있습니다.
혁신과 탁월함이라는 원칙을 바탕으로 설립되어 반도체 대체 솔루션 및 기술 분야의 선두에 서 있습니다.
저희의 비전은 중국 생산을 통해 고객에게 대체 솔루션을 제공하고, 고객의 애플리케이션 솔루션 비용 효율성을 개선하며, 공급망의 안정성을 보장하는 것입니다.


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