모든 카테고리
견적 요청

무료 견적 받기

대표자가 곧 연락을 드릴 것입니다.
이메일
이름
회사명
메시지
0/1000

IGBT 모듈 1700V

IGBT 모듈 1700V

홈페이지 /  제품 /  IGBT 모듈 /  IGBT 모듈 1700V

YMIF2400-17, IGBT 모듈, 1700V 2400A

고전류 IGBT 모듈, 단일 스위치, CRRC

Brand:
CRRC
Spu:
YMIF2400-17 / TIM2400ESM17-TSA000
  • 소개
  • 개요
소개

간략한 소개

IGBT 모듈 ,H 고전류 IGBT 모듈 cRRC에서 생산한 단일 스위치 IGBT 모듈. 1700V 2400A.

키 파라미터

V C ES

1700 V

V CE (sat)

(유형 ) 1.75 V

I C

(최대 ) 2400 A

I C(RM)

(최대 ) 4800 A

전형적 응용

  • 견인동기
  • 모터 컨트롤러
  • 스마트 그리드
  • 높은 신뢰성 인버터

기능

  • AlSiC 기지
  • AIN 기판
  • 높은 열적 사이클링 능력
  • 10μ s 짧은 회로 견디세요
  • 낮은 V cE (위성 ) 장치
  • 높은 전류 밀도

절대 최대 등급

(기호)

(매개변수)

(테스트 조건)

(value)

(단위)

VCES

컬렉터-이미터 전압

V GE = 0V,Tvj = 25°C

1700

V

V GES

게이트-이미터 전압

± 20

V

I C

컬렉터-이미터 전류

T case = 100 °C, Tvj = 150 °C

2400

A

I C(PK)

피크 컬렉터 전류

tP = 1ms

4800

A

P max

최대. 트랜지스터 전력 손실

Tvj = 150°C, T case = 25 °C

19.2

kW

I 2t

다이오드 I2t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C

1170

kA2s

Visol

모듈당 절연 전압

(기판에 공통 터미널),

AC RMS,1 분, 50Hz

4000

V

Q PD

모듈당 부분 방전

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS

10

pC

전기적 특성

Tcase = 25 °C T case = 25°C 명시되지 않는 한

(기호)

(매개변수)

(테스트 조건)

(Min)

(전형)

(Max)

(단위)

I CES

컬렉터 차단 전류

V GE = 0V, VCE = VCES

1

mA

V GE = 0V, VCE = VCES , T case =125 °C

40

mA

V GE = 0V, VCE = VCES , T case =150 °C

60

mA

I GES

게이트 누설 전류

V GE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

V GE (TH)

게이트 임계 전압

I C = 80mA, V GE = VCE

5.0

6.0

7.0

V

VCE (sat)(*1)

컬렉터-이미터 포화

전압

VGE =15V, IC = 2400A

1.75

V

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 125 °C

1.95

V

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 150 °C

2.05

V

I F

다이오드 순방향 전류

DC

2400

A

I FRM

다이오드 최대 전류

t P = 1ms

4800

A

VF(*1)

다이오드 순방향 전압

IF = 2400A

1.65

V

IF = 2400A, Tvj = 125 °C

1.75

V

IF = 2400A, Tvj = 150 °C

1.75

V

시스

입력 용량

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

400

nF

본부

게이트 요금

±15V

19

μC

크레스

역전환 용량

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

3

nF

L M

모듈 인덕턴스

10

nH

R INT

내부 트랜지스터 저항

110

μΩ

I SC

단락 전류, ISC

Tvj = 150°C, V CC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2) ×di/dt, IEC 6074-9

12000

A

td(off)

차단 지연 시간

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2320

nS

t f

하강 시간

500

nS

E OFF

차단 에너지 손실

1050

mJ

td(on)

턴온 지연 시간

450

nS

tr

상승 시간

210

nS

EON

켜기 에너지 손실

410

mJ

Qrr

다이오드 역회복 전하

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

480

μC

I rr

다이오드 역회복 전류

1000

A

Erec

다이오드 역회복 에너지

320

mJ

td(off)

차단 지연 시간

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2340

nS

t f

하강 시간

510

nS

E OFF

차단 에너지 손실

1320

mJ

td(on)

턴온 지연 시간

450

nS

tr

상승 시간

220

nS

EON

켜기 에너지 손실

660

mJ

Qrr

다이오드 역회복 전하

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

750

μC

I rr

다이오드 역회복 전류

1200

A

Erec

다이오드 역회복 에너지

550

mJ

td(off)

차단 지연 시간

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2340

nS

t f

하강 시간

510

nS

E OFF

차단 에너지 손실

1400

mJ

td(on)

턴온 지연 시간

450

nS

tr

상승 시간

220

nS

EON

켜기 에너지 손실

820

mJ

Qrr

다이오드 역회복 전하

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =12000A/us

820

μC

I rr

다이오드 역회복 전류

1250

A

Erec

다이오드 역회복 에너지

620

mJ

회사 소개

우리는 IGBT의 응용 에 중점을 둡니다 제품 . IGBT의 적용을 기반으로 하여, 당사는 고성능 파워 어셈블리 맞춤 제작으로 제품 스펙트럼을 확장하였으며, 동시에 당사의 사업 영역을 ADC/DAC, LDO, 계측용 증폭기, 전자기 릴레이, PhotoMOS 및 MOSFET과 같은 자동화 제어 제품 분야로 확대하였습니다. 이를 통해 당사는 전문 분야에서 중국 최고 제조업체들과 협력하여 고객에게 신뢰성 있고 비용 효율적인 제품을 제공할 수 있습니다.
혁신과 탁월함이라는 원칙을 바탕으로 설립되어 반도체 대체 솔루션 및 기술 분야의 선두에 서 있습니다.
저희의 비전은 중국 생산을 통해 고객에게 대체 솔루션을 제공하고, 고객의 애플리케이션 솔루션 비용 효율성을 개선하며, 공급망의 안정성을 보장하는 것입니다.

办公场景.png

개요

image(ec9098f8d8).png

무료 견적 받기

대표자가 곧 연락을 드릴 것입니다.
이메일
이름
회사명
메시지
0/1000

관련 제품

제품에 대한 질문이 있나요?

전문 영업팀이 귀하의 문의를 기다리고 있습니다.
제품 목록을 따라가면 관심 있는 질문을 할 수 있습니다.

견적 요청

무료 견적 받기

대표자가 곧 연락을 드릴 것입니다.
이메일
이름
회사명
메시지
0/1000

무료 견적 받기

대표자가 곧 연락을 드릴 것입니다.
이메일
이름
회사명
메시지
0/1000