YMIF2400-17,IGBT 모듈,고전류 IGBT 모듈, 단일 스위치,CRRC

(기호)

(매개변수)

(테스트 조건)

(value)

(단위)

VCES

컬렉터-이미터 전압

V GE = 0V,Tvj = 25°C

1700

V

V GES

게이트-이미터 전압

± 20

V

I C

컬렉터-이미터 전류

T case = 100 °C, Tvj = 150 °C

2400

A

I C(PK)

피크 컬렉터 전류

tP = 1ms

4800

A

P max

최대. 트랜지스터 전력 손실

Tvj = 150°C, T case = 25 °C

19.2

kW

I 2t

다이오드 I2t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C

1170

kA2s

Visol

모듈당 절연 전압

(기판에 공통 터미널),

AC RMS,1 분, 50Hz

4000

V

Q PD

모듈당 부분 방전

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS

10

pC

Tcase = 25 °C T case = 25°C 명시되지 않는 한

(기호)

(매개변수)

(테스트 조건)

(Min)

(전형)

(Max)

(단위)

I CES

컬렉터 차단 전류

V GE = 0V, VCE = VCES

1

mA

V GE = 0V, VCE = VCES , T case =125 °C

40

mA

V GE = 0V, VCE = VCES , T case =150 °C

60

mA

I GES

게이트 누설 전류

V GE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

V GE (TH)

게이트 임계 전압

I C = 80mA, V GE = VCE

5.0

6.0

7.0

V

VCE (sat)(*1)

컬렉터-이미터 포화

전압

VGE =15V, IC = 2400A

1.75

V

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 125 °C

1.95

V

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 150 °C

2.05

V

I F

다이오드 순방향 전류

DC

2400

A

I FRM

다이오드 최대 전류

t P = 1ms

4800

A

VF(*1)

다이오드 순방향 전압

IF = 2400A

1.65

V

IF = 2400A, Tvj = 125 °C

1.75

V

IF = 2400A, Tvj = 150 °C

1.75

V

시스

입력 용량

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

400

nF

본부

게이트 요금

±15V

19

μC

크레스

역전환 용량

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

3

nF

L M

모듈 인덕턴스

10

nH

R INT

내부 트랜지스터 저항

110

μΩ

I SC

단락 전류, ISC

Tvj = 150°C, V CC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2) ×di/dt, IEC 6074-9

12000

A

td(off)

차단 지연 시간

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2320

nS

t f

하강 시간

500

nS

E OFF

차단 에너지 손실

1050

mJ

td(on)

턴온 지연 시간

450

nS

tr

상승 시간

210

nS

EON

켜기 에너지 손실

410

mJ

Qrr

다이오드 역회복 전하

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

480

μC

I rr

다이오드 역회복 전류

1000

A

Erec

다이오드 역회복 에너지

320

mJ

td(off)

차단 지연 시간

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2340

nS

t f

하강 시간

510

nS

E OFF

차단 에너지 손실

1320

mJ

td(on)

턴온 지연 시간

450

nS

tr

상승 시간

220

nS

EON

켜기 에너지 손실

660

mJ

Qrr

다이오드 역회복 전하

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

750

μC

I rr

다이오드 역회복 전류

1200

A

Erec

다이오드 역회복 에너지

550

mJ

td(off)

차단 지연 시간

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2340

nS

t f

하강 시간

510

nS

E OFF

차단 에너지 손실

1400

mJ

td(on)

턴온 지연 시간

450

nS

tr

상승 시간

220

nS

EON

켜기 에너지 손실

820

mJ

Qrr

다이오드 역회복 전하

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =12000A/us

820

μC

I rr

다이오드 역회복 전류

1250

A

Erec

다이오드 역회복 에너지

620

mJ