Y45KKD, 고주파 사이리스터

상징

특징

시험 조건

Tj( 。C)

가치

UNIT

분

유형

최대

IT (AV )

평균 온 상태 전류

180。반 사인파 50Hz 양면 냉각,

TC=55 。C

125

1010

A

VDRM VRRM

반복적 최대 오프 상태 전압 반복적 피크 역전압

tp=10ms

125

1200

1600

V

IDRM IRRM

반복적 최대 오프 상태 전류 반복적 최대 역전류

vDRM에서 VRRM에서

125

50

mA

ITSM

서지 온 상태 전류

10ms 반 사인 파동 가상 현실 =0.6 VRRM

125

11

kA

I 2t

I 2t 을 위해 융합 조정

605

A 2s*10 3

VTO

임계 전압

125

1.70

V

르티

온 상태 기울기 저항

0.48

mΩ

VTM

피크 온 상태 전압

ITM=1800A, F=21kN

25

3.20

V

dv/dt

급격한 증가율 오프 상태의 전압

VDM =0.67 VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

비판적 ri 비율 세 정식 상태 전류

VDM = 67% VDRM 에 1600A

게이트 펄스 tr ≤0.5μs IGM=1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

회복 전하

ITM=1000A, tp=4000µ s, di/dt=-20A/µs, VR=100V

125

83

100

μC

tq

회로 전환 차단 시간

ITM=1000A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=- 20A/µs

125

18

36

μs

IGT

게이트 트리거 전류

VA=12V, IA=1A

25

30

250

mA

Vgt

게이트 트리거 전압

0.8

3.0

V

I H

유지 전류

20

400

mA

I L

래칭 전류

500

mA

VGD

비트리거 게이트 전압

VDM =67% VDRM

125

0.3

V

Rth (j-c)

열적 저항 접합에서 케이스까지

At 1800 사인파, 이중 냉각 클램핑 힘 21kN

0.024

。C /W

Rth (c-h)

열적 저항 케이스에서 히트 싱크

0.006

Fm

장착 힘

18

25

kN

TVj

접점 온도

-40

125

。C

TSTG

저장 온도

-40

140

。C

Wt

무게

3800

g

개요

KT44cT