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하프 브리지 IGBT 모듈
홈페이지 / 제품 / IGBT 모듈 / IGBT 모듈 1800V
V CES |
|
1700 |
V |
V CE (sat) |
전형적인. |
1.45 |
V |
I C |
최대. |
1800 |
A |
I C (RM ) |
최대. |
3600 |
A |
전형적 응용
기능
절대 최대 등급
상징 |
매개변수 |
시험 조건 |
값 |
UNIT |
V CES |
컬렉터-이미터 전압 |
V GE = 0V, T C = 25 °C |
1700 |
V |
V GES |
게이트-이미터 전압 |
T C = 25 °C |
± 20 |
V |
I C |
컬렉터-이미터 전류 |
T C = 100 °C, T vjmax = 175°C |
1800 |
A |
I C(PK) |
피크 컬렉터 전류 |
t P = 1ms |
3600 |
A |
P 최대 |
최대 트랜지스터 전력 소산 |
T vj = 175°C, T C = 100 °C |
5.3 |
kW |
I 2t |
다이오드 I 2t |
V R = 0V, t P = 10ms T vj = 175 °C |
320 |
kA2s |
|
V 단독 |
모듈당 절연 전압 |
(베이스플레이트에 연결된 단자), 교류 실효값, 1분, 50Hz, T C = 25 °C |
4 |
kV |
|
Q PD |
모듈당 부분 방전 |
IEC1287 V 1 = 1800V, V 2 = 1300V, 50Hz 실효값 |
10 |
pC |
열적 & 기계적 데이터
상징 |
설명 |
값 |
UNIT |
|
크리페이지 거리 |
터미널에서 히트싱크로 |
44.0 |
mm |
터미널에서 터미널 |
33.0 |
mm |
|
|
정리 |
터미널에서 히트싱크로 |
33.0 |
mm |
터미널에서 터미널 |
26.0 |
mm |
|
CTI (비교 추적 지수) |
|
600 |
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