TG1800HF17H1-S500,IGBT 모듈,하프 브릿지 IGBT,CRRC

符号 상징

参数名称 매개변수

테스트 조건

시험 조건

数값 가치

단위 UNIT

V CES

集电极 -발사극 전압

컬렉터-이미터 전압

V GE = 0V, T C = 25 °C

1700

V

V GES

게이트 -발사극 전압

게이트-이미터 전압

T C = 25 °C

± 20

V

I C

集电极电流

컬렉터-이미터 전류

T C = 85 °C, T vj 최대 = 175°C

1800

A

I C(PK)

集电极峰值 전류

피크 컬렉터 전류

t 전 =1ms

3600

A

전 최대

트랜지스터 부분 최대 손실

최대 트랜지스터 전력 소산

T vj = 175°C, T C = 25 °C

9.38

kW

I 2t

다이오드 I 2t 값 다이오드 I 2t

V R =0V, t 전 = 10ms T vj = 175 °C

551

kA 2s

V 단독

绝缘 전압 (模块 )

고립 전압 - 1 모듈

短接 모든端子,端子与基板 사이에 전압을 가집니다 ( 연결 단자 s를 베이스 플레이트), AC RMS1 미니, 50Hz T C = 25 °C

4000

V

参数 상징

설명

설명

값 가치

단위 UNIT

크리핑 거리

크리페이지 거리

단자 -냉각기

단자까지 열기

36.0

mm

단자 -단자

터미널에서 터미널

28.0

mm

절연 간격 정리

단자 -냉각기

단자까지 열기

21.0

mm

단자 -단자

터미널에서 터미널

19.0

mm

상대 누설 전痕 지수

CTI (비교적 추적 지수)

>400

符号 상징

参数名称 매개변수

테스트 조건

시험 조건

최소값 최소.

典型값 전형적인.

최대값 최대.

단위 UNIT

R th(j-c) IGBT

IGBT 접합 케이스 열 저항

열적 저항 – IGBT

16

K \/ kW

R th(j-c) 다이오드

다이오드 결합 케이스 열 저항

열적 저항 – 다이오드

33

K \/ kW

R th(c-h) IGBT

접촉 열 저항 (IGBT)

열적 저항 –

케이스에서 히트싱크까지 (IGBT)

력 전동 5Nm, 열전도 그리스 1W/m·K 장착 토크 5Nm,

와 장착 그리스 1W/m·K

14

K \/ kW

R th(c-h) 다이오드

접촉 열 저항 (Diode)

열적 저항 –

케이스에서 히트싱크까지 (Diode)

력 전동 5Nm, 열전도 그리스 1W/m·K 장착 토크 5Nm,

와 장착 그리스 1W/m·K

17

K \/ kW

T vjop

작업 냉각

운전 접합부 온도

IGBT 칩 ( IGBT )

-40

150

°C

다이오드 칩 ( 다이오드 )

-40

150

°C

T sTG

저장 온도

보관 온도 범위

-40

150

°C

M

력 전동

나사 토크

설치 고정용 – M5 장착 – M5

3

6

Nm

회로 상호 연결용 – M4

전기 연결 – M4

1.8

2.1

Nm

회로 상호 연결용 – M8

전기 연결 – M8

8

10

Nm

符号 상징

参数名称 매개변수

테스트 조건

시험 조건

최소값 최소.

典型값 전형적인.

최대값 최대.

단위 UNIT

R th(j-c) IGBT

IGBT 접합 케이스 열 저항

열적 저항 – IGBT

16

K \/ kW

R th(j-c) 다이오드

다이오드 결합 케이스 열 저항

열적 저항 – 다이오드

33

K \/ kW

R th(c-h) IGBT

접촉 열 저항 (IGBT)

열적 저항 –

케이스에서 히트싱크까지 (IGBT)

력 전동 5Nm, 열전도 그리스 1W/m·K 장착 토크 5Nm,

와 장착 그리스 1W/m·K

14

K \/ kW

R th(c-h) 다이오드

접촉 열 저항 (Diode)

열적 저항 –

케이스에서 히트싱크까지 (Diode)

력 전동 5Nm, 열전도 그리스 1W/m·K 장착 토크 5Nm,

와 장착 그리스 1W/m·K

17

K \/ kW

T vjop

작업 냉각

운전 접합부 온도

IGBT 칩 ( IGBT )

-40

150

°C

다이오드 칩 ( 다이오드 )

-40

150

°C

T sTG

저장 온도

보관 온도 범위

-40

150

°C

M

력 전동

나사 토크

설치 고정용 – M5 장착 – M5

3

6

Nm

회로 상호 연결용 – M4

전기 연결 – M4

1.8

2.1

Nm

회로 상호 연결용 – M8

전기 연결 – M8

8

10

Nm

符号 상징

参数名称 매개변수

테스트 조건

시험 조건

최소값 최소.

典型값 전형적인.

최대값 최대.

단위 UNIT

R 25

명목상의 저항값

정격 저항

T C = 25 °C

5

kΩ

△ R /R

R100 편차

편차 of R100

T C = 100 °C, R 100=493Ω

-5

5

%

전 25

소산 전력

전력 소산

T C = 25 °C

20

mW

B 25/50

B- 값

B값

R 2 = R 25경험치 [B 25/50 1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3375

K

B 25/80

B- 값

B값

R 2 = R 25경험치 [B 25/80 1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3411

K

B 25/100

B- 값

B값

R 2 = R 25경험치 [B 25/100 1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3433

K

符号 상징

参数名称 매개변수

조건

시험 조건

최소값 최소.

典型값 전형적인.

최대값 최대.

단위 UNIT

I CES

集电极截止电流 전류

컬렉터 차단 전류

V GE = 0V, V CE = V CES

1

mA

V GE = 0V, V CE = V CES , T vj =150 °C

40

mA

V GE = 0V, V CE = V CES , T vj =175 °C

60

mA

I GES

极漏电流

포트 누설 전류

V GE = ±20V, V CE = 0V

0.5

μA

V GE (TH)

게이트 -이미터 임계 전압 게이트 임계 전압

I C = 60mA, V GE = V CE

5.1

5.7

6.3

V

V CE (포화) (*1)

集电极 -이미터 포화 전압

컬렉터-이미터 포화

전압

V GE =15V, I C = 1800A

1.70

V

V GE =15V, I C = 1800A, T vj = 150 °C

2.10

V

V GE =15V, I C = 1800A, T vj = 175 °C

2.15

V

I F

다이오드 정방향 직류 전류 다이오드 순방향 전류

DC

1800

A

I FRM

다이오드 정방향 반복 피크 전류 다이오드 정방향 피크 전류 nt

t 전 = 1밀리초

3600

A

V F (*1)

다이오드 정방향 전압

다이오드 순방향 전압

I F = 1800A, V GE = 0

1.60

V

I F = 1800A, V GE = 0, T vj = 150 °C

1.75

V

I F = 1800A, V GE = 0, T vj = 175 °C

1.75

V

I SC

短路 전류

단락 전류

T vj = 175°C, V CC = 1000V, V GE ≤ 15V, t 전 ≤ 10μs,

V CE(최대) = V CES – L (*2) ×di/dt, IEC 60747-9

7400

A

C ies

输入电容

입력 용량

V CE = 25V, V GE = 0V, f = 100KHZ

542

nF

Q g

极电荷

게이트 요금

±15V

23.6

μC

C res

역전달 용량

역전환 용량

V CE = 25V, V GE = 0V, f = 100KHZ

0.28

nF

L sCE

모듈 잡음 인덕턴스

모듈 잡음 inducta nce

8.4

nH

R CC + EE ’

모듈 리드 전阻, 단자 -칩 M 모듈 리드 저항력 터미널-칩

각 스위치당

per switch

0.20

mΩ

R Gint

내부 게이트 저항

내부 관문 저항

1

ω

符号 상징

参数名称 매개변수

테스트 조건

시험 조건

최소값 최소.

典型값 전형적인.

최대값 최대.

단위 UNIT

t d(off)

关断延迟时间

차단 지연 시간

I C =1800A,

V CE = 900V,

V GE = ± 15V, R G(OFF) = 0.5Ω, L S = 25nH,

d v ⁄dt =3800V⁄μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

1000

nS

T vj = 150 °C

1200

T vj = 175 °C

1250

t f

下降时间 하강 시간

T vj = 25 °C

245

nS

T vj = 150 °C

420

T vj = 175 °C

485

이 끄다

차단 손실

차단 에너지 손실

T vj = 25 °C

425

mJ

T vj = 150 °C

600

T vj = 175 °C

615

t d(on)

开通延延时间

턴온 지연 시간

I C =1800A,

V CE = 900V,

V GE = ± 15V, R G(ON) = 0.5Ω, L S = 25nH,

d i ⁄dt = 8500A⁄μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

985

nS

T vj = 150 °C

1065

T vj = 175 °C

1070

t r

上升时间 상승 시간

T vj = 25 °C

135

nS

T vj = 150 °C

205

T vj = 175 °C

210

이 에

개방 손실

턴온 에너지 손실

T vj = 25 °C

405

mJ

T vj = 150 °C

790

T vj = 175 °C

800

Q rr

다이오드 역회복 전하 다이오드 반전

회복 전하

I F =1800A, V CE = 900V,

- d i F /dt = 8500A⁄μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

420

μC

T vj = 150 °C

695

T vj = 175 °C

710

I rr

다이오드 역회복 전류 다이오드 반전

회복 전류

T vj = 25 °C

1330

A

T vj = 150 °C

1120

T vj = 175 °C

1100

이 rec

다이오드 역회복 손실 다이오드 반전

회복 에너지

T vj = 25 °C

265

mJ

T vj = 150 °C

400

T vj = 175 °C

420