YMIF250-65 원래 CRRC IGBT 모듈 6500V 250A 고전압 트랜지스터 챍퍼 이산 반도체 모듈

YMIF250-65 원래 CRRC IGBT 모듈 6500V 250A 고전압 트랜지스터 챍퍼 이산 반도체 모듈

소개

회사 소개

베이징 월드 E 투 테크놀로지 주식회사는 수출입 자격을 갖춘 기술 기반 회사로, 혁신과 우수성을 원칙으로 반도체 대체 솔루션 및 기술의 최전선에 서 있습니다. 반도체 제품 설계, 계약 맞춤형 제작, 유통을 전문으로 합니다. 우리는 협력 파트너 선택에 있어 엄격한 기준을 두며, 일류 설계 및 제조 기술을 보유한 기술 기업 및 제조업체와만 협력합니다. 공장 자동화 전송 라인의 최적화 커스터마이제이션은 우리 계약 제조의 또 다른 중요한 부분입니다.

당사의 제품

1	IGBT 모듈 및 드라이버
2	IGCT 모듈 및 드라이버
3	인버터 코어 보드
4	다이오드 모듈
5	스리스터 모듈
6	전류 센서
7	콘덴시터
8	저항
9	솔리드 스테이트 릴레이
10	산업용 로봇 및 핵심 부품
11	민간 무인 항공기 및 핵심 부품

제품 설명

특징

(1) AISiC 베이스플레이트 고출력 사이클링 능력 용도
(2) AIN 기판 저 열 저항 용
(3) SPT+칩 세트로 낮은 스위칭 손실
(4) 낮은 구동 전력

(5) 저 VCEsat

전형적 응용

(1) 견인동기
(2) 모터 컨트롤러
(3) DC 초퍼
(4) 고전압 인버터/컨버터

YMIF250-65

6500V/250A 고전압 IGBT 모듈

키 파라미터

상징	설명	가치	UNIT
V _CES		6500	V
V _{CE (sat)}	전형적인.	4.3	V
I _C	최대.	250	A
I _센티미터	ICRM	500	A

절대 최대 등급

파라미터	상징	조건	분	최대	UNIT
컬렉터-이미터 전압	VCES	VGE =0V,Tvj 25°C 이상		6500	V
DC 집합 전류	IC	TC =80°C		250	A
피크 컬렉터 전류	ICM	tp=1ms,Tc=80°C		500	A
게이트-이미터 전압	VGES		-20	20	V
총 전력 손실	Ptot	TC =25°C,스위치당(IGBT)		3200	W
동전 전류	IF			250	A
전류 최고	IFRM	tP=1ms		500	A
IGBT 단회로 SOA	tpsc	VCC =4400V,VCEMCHIP ≤ 6500V VGE ≤ 15V,Tvj≤ 125°C		10	μs
격리 전압	Visol	1분, f=50Hz		10200	V
접점 온도	TVj			125	°C
접합 작동 온도	TVj (op)		-50	125	°C
케이스 온도	Tc		-50	125	°C
보관 온도	TSTG		-50	125	°C
장착 모터	Ms		4	6	Nm
	MT1		8	10

왜 저희를 선택해야 하나요

1. 우리는 첫 번째 기술을 가진 중국 제조업체의 제품만 유통합니다. 이것이 우리의 핵심 조치입니다.
2. 우리는 제조업체 선택에 있어 엄격한 요구 사항을 가지고 있습니다.
3. 우리는 고객에게 중국에서 대체 솔루션을 제공할 수 있는 능력이 있습니다.
4. 우리는 책임감 있는 팀을 보유하고 있습니다.

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