CRRC TG1000HF17H1-S300 IGBT 모듈 1700V 인버터 컨버터 드라이브 원본 신규 풍력 터빈 이산 반도체 모듈

회사 소개

베이징 월드 E 투 테크놀로지 주식회사는 수출입 자격을 갖춘 기술 기반 회사로, 혁신과 우수성을 원칙으로 반도체 대체 솔루션 및 기술의 최전선에 서 있습니다. 반도체 제품 설계, 계약 맞춤형 제작, 유통을 전문으로 합니다. 우리는 협력 파트너 선택에 있어 엄격한 기준을 두며, 일류 설계 및 제조 기술을 보유한 기술 기업 및 제조업체와만 협력합니다. 공장 자동화 전송 라인의 최적화 커스터마이제이션은 우리 계약 제조의 또 다른 중요한 부분입니다.

당사의 제품

1	IGBT 모듈 및 드라이버
2	IGCT 모듈 및 드라이버
3	인버터 코어 보드
4	다이오드 모듈
5	스리스터 모듈
6	전류 센서
7	콘덴시터
8	저항
9	에너지 저장 시스템
10	산업용 로봇 및 핵심 부품
11	민간 무인 항공기 및 핵심 부품

제품 설명

특징

(1) AISiC 베이스플레이트 고출력 사이클링 능력 용도
(2) Cu 베이스플레이트
(3) 고 열 사이클링 능력
(4) 높은 전류 밀도

(5) 10μs 단락 내성
(6) 저 VCEsat

전형적 응용

(1) 모터 드라이브
(2) 고전력 변환기
(3) 풍력 터빈
(4) 고신뢰성 인버터

TG1000HF17H1-S300

1700V/1000A 하프 브리지 IGBT

키 파라미터

상징	설명	가치	UNIT
V _CES		1200	V
V _{CE (sat)}	전형적인.	1.85	V
I _C	최대.	1000	A
IC(RM)	최대.	2000	A

최대 허용 사양( Tcase = 25°C 이외의 경우는 별도 명시 )

상징	설명	가치	UNIT
V _CES	컬렉터-이미터 전압	1700	V
V _GES	게이트-이미터 전압	±20	V
I _C	Tcase = 90 °C일 때 컬렉터 전류	1000	A
I _C(PK)	피크 컬렉터 전류, tp=1ms, Tcase = 110 °C	2000	A
전 _최대	최대 트랜지스터 전력 손실, Tvj = 150°C, Tcase = 25 °C	6250	W
I ²t	다이오드 I ²t ,V _R=0V, t _전= 10ms, T _vj= 150°C	144	kA ²의
V _단독	(기판에 공통 단자), AC RMS, 1분, 50Hz	4000	V
I _F	다이오드 전방 전류, DC	1000	A
I _FRM	다이오드 최대 전방 전류, tp=1ms	2000	A
장착 모터	설치 – M5	6	Nm
	설치 – M5	6
		전기적 연결 – M8		10

전기적 특성

상징

파라미터

시험 조건

최소.

유형

최대.

가치

UNIT

V _F

다이오드 순방향 전압

I _F=1000A, V _GE = 0, Tvj = 25 °C

1.80

2.20

V

I _F=1000A, V _GE= 0, Tvj = 125 °C

1.90

2.30

I _F=1000A, V _GE= 0, Tvj = 125 °C

1.90

2.30

I _FRM

다이오드 최고 전류

t _전= 1ms

2000

A

I _F

다이오드 전방 전류,

DC

1000

A

Irr

다이오드 역전
회복 전류

IF =1000A,
VCE = 900V
- diF/dt = 7200A/us
(Tvj= 150 °C).

@Tvj= 25 °C

@Tvj= 125 °C

@Tvj= 150 °C

520

A

620

655

Qrr

다이오드 역전
회복 전하

285

μC

315

340

이 _rec

다이오드 역회복 에너지

IF =900A,
VCE = 600V,
- diF/dt = 6800A/us
(Tvj= 150 °C).@Tvj= 25 °C
@Tvj= 125 °C
@Tvj= 150 °C

110

mJ

235

240

전기적 특성

상징	파라미터	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
V _{CE (sat)}	수집기-출사기 포화 전압	V _GE=15V, I _C= 900A, T _vj= 25°C		1.75	2.15	V
				V _GE=15V, I _C= 900A, T _vj= 125°C			2.1	2.5
				V _GE=15V, I _C= 900A, T _vj= 150°C			2.2	2.6
I _CES	컬렉터 차단 전류	V _GE=15V, I _C= 900A, Tvj= 25°C			1	mA
				V _GE=15V, I _C= 900A, Tvj= 125°C				10
				V _GE=15V, I _C= 900A, Tvj= 150°C				20
I _GES	게이트 누설 전류	V _CE=0V, V _GE= ±20V,			4	μA
V _{GE (TH)}	포트-에미터 임계 전압	I _C= 40mA, V _GE= V _CE	5.0	6.0	7.0	V
t _d(on)	턴온 지연 시간 @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IC =1000A, VCE = 900V VGE = ±15V, RG(OFF) = 1.8Ω, LS = 20nH, dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C). @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C		1320		nS
								1410
								1440
td(off)	차단 지연 시간 @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IC =1000A, VCE = 900V VGE = ±15V, RG(OFF) = 1.8Ω, LS = 20nH, dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C). @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C		500		nS
								470
								450
I _SC	단락 전류	Tvj= 150°C, V _CC= 800V, V _GE≤15V, tp≤10μs, V _CE(최대)= VCES –L(*2)×di/dt, IEC 6074-9		3800		A
시스	입력 용량	V _CE= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		147		nF
크레스	역전환 용량	V _CE= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		1.5		nF
본부	게이트 요금	±15V		11.4		μC
이 _에	켜기 에너지 손실 @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IF =1000A, VCE = 900V - diF/dt = 7200A/us (Tvj= 150 °C).		340		mJ
								370
								385
이 _끄다	턴오프 스위칭 손실 에너지 @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IIF =1000A, VCE = 900V - diF/dt = 7200A/us (Tvj= 150 °C).		350		mJ
								360
								385

왜 저희를 선택해야 하나요

1. 우리는 첫 번째 기술을 가진 중국 제조업체의 제품만 유통합니다. 이것이 우리의 핵심 조치입니다.
2. 우리는 제조업체 선택에 있어 엄격한 요구 사항을 가지고 있습니다.
3. 우리는 고객에게 중국에서 대체 솔루션을 제공할 수 있는 능력이 있습니다.
4. 우리는 책임감 있는 팀을 보유하고 있습니다.

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