MK(H)x300 MK300, 고속 오프 쓰리스토르 모듈, 수냉식 냉각

VRRM,VDRM

유형 및 개요

600V

MKx300-06-415F3

MHx300-06-415F3

800V

MKx300-08-415F3

MHx300-08-415F3

1000V

MKx300-10-415F3

MHx300-10-415F3

1200V

MKx300-12-415F3

MHx300-12-415F3

1400V

MKx300-14-415F3

MHx300-14-415F3

1600V

MKx300-16-415F3

MHx300-16-415F3

1800V

MKx300-18-415F3

MHx300-18-415F3

1800V

MK300-18-415F3G

상징

특징

시험 조건

Tj( °C )

값

UNIT

분

유형

최대

IT(AV)

평균 온 상태 전류

180。반 사인파 50Hz 단면 냉각,

TC=85 °C

125

300

A

IT(RMS)

RMS 온 상태 전류

471

A

Idrm Irrm

반복 피크 전류

vDRM에서 VRRM에서

125

80

mA

ITSM

서지 온 상태 전류

10ms 반 사인파 VR=60%VRRM

125

7.30

kA

I2t

퓨징 조정을 위한 I2t

266

10³A ²s

VTO

임계 전압

125

1.36

V

르티

온 상태 기울기 저항

0.38

mΩ

VTM

피크 온 상태 전압

ITM=900A

25

2.20

V

dv/dt

오프 상태 전압의 비판적 상승 속도

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

정전 전류의 급격한 증가율

게이트 소스 1.5A

tr ≤0.5μs 반복

125

200

A/μs

tq

회로 전환 차단 시간

ITM=300A, tp=4000µs,VR= 100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs

125

20

40

μs

IGT

게이트 트리거 전류

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

게이트 트리거 전압

1.0

3.0

V

IH

유지 전류

20

200

mA

IL

래칭 전류

1000

mA

VGD

비트리거 게이트 전압

VDM= 67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

열 저항 접합부에서 케이스까지

칩당 단면 냉각

0.080

。C/W

Rth(c-h)

열 저항 케이스에서 방열판까지

칩당 단면 냉각

0.040

。C/W

비소

격리 전압

50Hz,R.M.S,t= 1분,Iiso:1mA(최대)

2500

V

Fm

단자 연결 토크(M10)

10.0

12.0

N·m

장착 토크(M6)

4.5

6.0

N·m

TVj

접점 온도

-40

125

°C

TSTG

저장 온도

-40

125

°C

Wt

무게

1260

g

개요

415F3