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간략한 소개
고속 차단 사이리스터 모듈 ,MK(H)x 300 MK 300,3 00A .공기 냉각,TECHSEM에서 생산.
VRRM,VDRM |
유형 및 개요 |
|
600V |
MKx300-06-415F3 |
MHx300-06-415F3 |
800V |
MKx300-08-415F3 |
MHx300-08-415F3 |
1000V |
MKx300-10-415F3 |
MHx300-10-415F3 |
1200V |
MKx300-12-415F3 |
MHx300-12-415F3 |
1400V |
MKx300-14-415F3 |
MHx300-14-415F3 |
1600V |
MKx300-16-415F3 |
MHx300-16-415F3 |
1800V |
MKx300-18-415F3 |
MHx300-18-415F3 |
1800V |
MK300-18-415F3G |
|
MKx는 모든 유형의 MKC, MKA, MKK
MHx는 모든 유형의 MHC, MHA, MHK
특징 :
전형적 응용
상징 |
특징 |
시험 조건 |
Tj( °C ) |
가치 |
UNIT |
|||
분 |
유형 |
최대 |
||||||
IT(AV) |
평균 온 상태 전류 |
180° 반 사인파 50Hz 단면 냉각, |
TC=85 。C |
125 |
|
|
300 |
A |
IT(RMS) |
RMS 온 상태 전류 |
|
|
471 |
A |
|||
Idrm Irrm |
반복 피크 전류 |
vDRM에서 VRRM에서 |
125 |
|
|
80 |
mA |
|
ITSM |
서지 온 상태 전류 |
10ms 반 사인파 VR=60%VRRM |
125 |
|
|
7.30 |
kA |
|
I2t |
퓨징 조정을 위한 I2t |
|
|
266 |
103A 2s |
|||
VTO |
임계 전압 |
|
125 |
|
|
1.36 |
V |
|
르티 |
온 상태 기울기 저항 |
|
|
0.38 |
mΩ |
|||
VTM |
피크 온 상태 전압 |
ITM=900A |
25 |
|
|
2.20 |
V |
|
dv/dt |
오프 상태 전압의 비판적 상승 속도 |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
800 |
V/μs |
|
di/dt |
정전 전류의 급격한 증가율 |
게이트 소스 1.5A tr ≤0.5μs 반복 |
125 |
|
|
200 |
A/μs |
|
tq |
회로 전환 차단 시간 |
ITM=300A, tp=4000µs,VR= 100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs |
125 |
20 |
|
40 |
μs |
|
IGT |
게이트 트리거 전류 |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
30 |
|
200 |
mA |
|
Vgt |
게이트 트리거 전압 |
1.0 |
|
3.0 |
V |
|||
IH |
유지 전류 |
20 |
|
200 |
mA |
|||
IL |
래칭 전류 |
|
|
1000 |
mA |
|||
VGD |
비트리거 게이트 전압 |
VDM= 67%VDRM |
125 |
|
|
0.2 |
V |
|
Rth(j-c) |
열 저항 접합부에서 케이스까지 |
칩당 단면 냉각 |
|
|
|
0.080 |
°C /W |
|
Rth(c-h) |
열 저항 케이스에서 방열판까지 |
칩당 단면 냉각 |
|
|
|
0.040 |
°C /W |
|
비소 |
격리 전압 |
50Hz,R.M.S,t= 1분,Iiso:1mA(최대) |
|
2500 |
|
|
V |
|
Fm |
단자 연결 토크(M10) |
|
|
10.0 |
|
12.0 |
N·m |
|
장착 토크(M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·m |
||
TVj |
접점 온도 |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
|
TSTG |
저장 온도 |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
|
Wt |
무게 |
|
|
|
1260 |
|
g |
|
개요 |
415F3 |
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