홈페이지 / 제품 / IGBT 모듈 / IGBT 모듈 1700V
주요 매개변수:
Vces = 1700V
1700V, 500A, VCE(sat) = 1.85V@25℃
IC = 500A
ICRM = 1000A
주요 기능:
전형적인 응용 프로그램:
| 상징으로 덮여 있습니다 | 시험 조건 | 가치 | 유닛 |
| VCES | Tj=25°C | 1700 | V |
| IC | TC=100°C ，Tjmax=175°C | 500 | A |
| ICRM | tP=1ms | 1000 | A |
| Ptot | TC=25 ℃, Tvjmax=175 ℃ | 4000 | W |
| VGES | -- | ±20 | V |
IGBT, 전기적 파라미터
| 상징 | 시험 조건 | 분 | 일반적 | 최대 | UNIT | |
| VCEsat | IC = 500A, VGE = 15V, Tj = 25℃ | -- | 1.85 | 2.25 | V | |
| IC = 500A, VGE = 15V, Tj = 125℃ | -- | 2.25 | -- | |||
| IC=500A, VGE=15V, Tj=150°C | -- | 2.35 | -- | |||
| VGEth | IC=15mA, VGE=VCE, Tj=25°C | 5.6 | 6.1 | 6.7 | V | |
| ICES | VCE=1700V, VGE=0V, Tj=25°C | -- | -- | 1 | mA | |
| VCE=1700V, VGE=0V, Tj=125°C | -- | -- | 10 | |||
| VCE=1700V, VGE=0V, Tj=150°C | -- | -- | 20 | |||
| IGES | VCE=0V, VGE=±20V, Tj=25°C | -- | -- | 500 | 부적절함 | |
| 본부 | VGE=15V~–15V | -- | 5 | -- | μC | |
| 시스 | f=100kHz, VCE=25V, VGE=0V, Tj=25°C | -- | 74 | -- | nF | |
| 크레스 | -- | 0.52 | -- | |||
| td(on) | IC=500A, | Tj=25°C | -- | 210 | -- | nS |
| VCE=900V, | Tj=125°C | -- | 220 | -- | ||
| VGE=15V/-15V, | Tj=150°C | -- | 220 | -- | ||
| tr | Rgon=1.8Ω, | Tj=25°C | -- | 70 | -- | nS |
| Rgoff=1.8Ω, | Tj=125°C | -- | 80 | -- | ||
| di/dt=7800A/μs(Tj=150°C | Tj=150°C | -- | 80 | -- | ||
| td(off) | dv/dt=4800V/μs(Tj=150°C | Tj=25°C | -- | 740 | -- | nS |
| 유도성 부하 | Tj=125°C | -- | 830 | -- | ||
| Tj=150°C | -- | 850 | -- | |||
| tF | Tj=25°C | -- | 360 | -- | nS | |
| Tj=125°C | -- | 510 | -- | |||
| )Tj=150°C | -- | 550 | -- | |||
| EON | Tj=25°C | -- | 42 | -- | mJ | |
| Tj=125°C | -- | 68 | -- | |||
| Tj=150°C | -- | 80 | -- | |||
| EOFF | Tj=25°C | -- | 110 | -- | mJ | |
| Tj=125°C | -- | 144 | -- | |||
| Tj=150°C | -- | 155 | -- | |||
| ISC | VGE≤15V, | Tj=150°C | -- | 1800 | -- | A |
| VCE=1000V, | ||||||
| tp≤10μs, | ||||||
| RthJC | 각 IGBT당 | -- | 56.9 | 60 | K/kW | |
| Tjop | -- | -40 | 150 | °C | ||
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