IGBT 모듈,YMIF900-45,단일 스위치 IGBT,CRRC

매개 변수/参数

상징/符号

조건/条件

분

최대

UNIT

컬렉터-이미터 전압 集电极 - 발사압

V CES

V GE =0V,T vj ≥25°C

4500

V

DC 수집기 전류 集电极电流

I C

T C =80°C

900

A

피크 수집기 전류 集电极峰值 전류

I 센티미터

tp=1ms,Tc=80°C

1800

A

게이트-이미터 전압 极 발사极 전압

V GES

-20

20

V

총 전력 소산 총 전력 손실

P tot

T C =25°C,개발 스위치 (IGBT)

8100

W

동전 전류 직류 정류 전류

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

900

A

전류 최고 峰值 정면 전류

I FRM

tP=1ms

1800

A

급증 전류 浪涌电流

I FSM

V R =0V,T vj =125°C,tp=10ms, 반사상파

6700

A

IGBT 단축 회로 SOA IGBT 短路安全工作区

t psc

V CC =3400V,V CEMCHIP ≤4500V V GE ≤15V,Tvj≤125°C

10

μ s

격리 전압 绝缘 전압

V 단독

1분, f=50Hz

10200

V

접점 온도 结温

T vj

150

°C

교차점 작동 온도 부산 작업 냉각

T vj ((op)

-50

125

°C

케이스 온도 温

T C

-50

125

°C

보관 온도 저장 온도

T sTG

-50

125

°C

장착 모터 력 전동

M S

4

6

Nm

M T 1

8

10

M T 2

2

3

매개 변수/参数

상징/符号

조건/条件

분

유형

최대

UNIT

수집가 (- 발사자) 분산 전압

集电极 - 방출极阻断 전압

V (BR) CES

V GE =0V,IC=10mA, TVj=25°C

4500

V

컬렉터-이미터 포화 전압

集电极 - 발사폭과 전압

V CEsat

I C =900A, V GE =15V

TVj= 25°C

2.7

3.2

V

TVj=125°C

3.4

3.8

V

픽터 차단 전류 集电极截止电流 전류

I CES

V CE =4500V, V GE =0V

TVj= 25°C

10

mA

TVj=125°C

100

mA

포트 누설 전류 极漏电流

I GES

V CE =0V,V GE =20V, T vj =125°C

-500

500

부적절함

포트-에미터 임계 전압 极 발사极값 전압

V GE (th)

I C =240mA,V CE =V GE , T vj =25°C

4.5

6.5

V

포트 충전 极电荷

Q g

I C =900A,V CE =2800V, V GE =-15V … 15V

8.1

μC

입력 용량 输入电容

C ies

V CE =25V,V GE =0V, f=1MHz,T vj =25°C

105.6

nF

출력 용량 输出电容

C 소

7.35

역전환 용량 역전환 전력

C res

2.04

켜기 지연 시간 开通延延时间

t d(on)

V CC =2800V,

I C =900A,

R G =2.2 ω ,

V GE =±15V,

L σ =280nH,

感性负载

TVj = 25 °C

680

nS

TVj = 125 °C

700

상승 시간 上升时间

t r

TVj = 25 °C

230

TVj = 125 °C

240

차단 지연 시간 关断延迟时间

t d (끄다 )

TVj = 25 °C

2100

nS

TVj = 125 °C

2300

하강 시간 下降时间

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

TVj = 25 °C

1600

TVj = 125 °C

2800

팅 스위치 에너지 손실 开通 손실 에너지

E 에

TVj = 25 °C

1900

mJ

TVj =125 °C

2500

그림 전환 에너지 손실 断断损耗能量 (단절 에너지 손실)

E 끄다

TVj = 25 °C

3100

mJ

TVj =125 °C

3800

단락 전류 短路 전류

I SC

t psc ≤ 10μ s, V GE =15V, T vj = 125°C,V CC = 3400V

3600

A