YMIF250-65, IGBT 모듈, 고전압 싱글 IGBT, CRRC

파라미터

상징

조건

분

최대

UNIT

수집자-출출자 전압

V CES

V GE =0V,T vj ≥ 25°C

6500

V

DC 집합 전류

I C

T C =80°C

250

A

피크 컬렉터 전류

I 센티미터

tp=1ms,Tc=80°C

500

A

게이트-이미터 전압

V GES

-20

20

V

총출력 소산

전 tot

T C =25°C,개발 스위치 (IGBT)

3200

W

동전 전류

I F

250

A

피크 전방 전류

I FRM

tP=1ms

500

A

IGBT 단축 회로 SOA

t psc

V CC =4400V,V CEMCHIP ≤ 6500V V GE ≤ 15V,Tvj≤ 125°C

10

μ 의

격리 전압

V 단독

1분, f=50Hz

10200

V

접점 온도

T vj

125

°C

접합 작동 온도

T vj ((op)

-50

125

°C

케이스 온도

T C

-50

125

°C

보관 온도

T sTG

-50

125

°C

장착 모터

Ms

4

6

Nm

M T1

8

10

파라미터

상징

조건

분

유형

최대

UNIT

수집가 (- 발사자) 내전압

V ((BR) CES

VGE=0V,IC=3mA, TVj=25°C

6500

V

수집자-출출자 포화 전압

VCEsat

IC=250A,V GE=15V

TVj= 25°C

2.6

3

3.4

V

TVj=125°C

3.4

4

4.6

V

수집가 차단 전류

ICES

VCE=6500V,VGE=0V

TVj= 25°C

4

mA

TVj=125°C

50

mA

포트 누설 전류

IGES

VCE=0V,VGE=20V,Tvj=125°C

-500

500

부적절함

게이트 발산자 문 전압

V GE (th)

IC=80mA,VCE=VGE,Tvj=25°C

5.4

6.2

7

V

턴온 지연 시간

t d(on)

VCC=3600V, IC=250A,

RGon=6.8Ω ,

RGoff=33Ω ,

CGE=100nF

VGE=±15V,

Ls=280nH,

感性负载

TVj = 25 °C

1

μ 의

TVj = 125 °C

0.94

상승 시간

tr

TVj = 25 °C

0.76

TVj = 125 °C

0.81

차단 지연 시간

t d(off)

TVj = 25 °C

3.9

μ 의

TVj = 125 °C

4.2

하강 시간

t f

TVj = 25 °C

2.2

TVj = 125 °C

2.8

팅 스위치 에너지 손실

EON

TVj = 25 °C

3081

mJ

TVj = 125 °C

3900

그림 전환 에너지 손실

이 끄다

TVj = 25 °C

2100

mJ

TVj = 125 °C

1236

짧은 회로 전류

I SC

tpsc ≤ 10μ s, V GE

=15V, Tvj=125℃,V CC =

4400V

TVj = 125 °C

940

A