GD400SGU120C2S, IGBT 모듈, STARPOWER

상징

설명

값

단위

VCES

컬렉터-이미터 전압

1200

볼트

VGES

게이트-이미터 전압

±20

볼트

IC

집합 전류 @ TC=25oC

@ TC=70도C

549

400

A

ICM

펄스 콜렉터 전류 tp=1ms

800

A

PD

최대 전력 소산 @ T =150oC

2659

W

상징

설명

값

단위

VRRM

반복 피크 역전압

1200

볼트

IF

다이오드 연속 전류

400

A

IFM

다이오드 최대 순방향 전류 tp=1ms

800

A

상징

설명

값

단위

Tjmax

최대 분기 온도

150

oC

Tjop

작동점 온도

-40에서 +125

oC

TSTG

보관 온도 범위

-40에서 +125

oC

비소

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1min

2500

볼트

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

나 C=400A,V GE =15V, T j =25o C

2.90

3.35

볼트

나 C=400A,V GE =15V, T j =125o C

3.60

볼트 GE (th)

게이트 발산자 문 전압

나 C= 16.0mA,V CE =V GE , T j =25o C

4.5

5.5

6.5

볼트

나 CES

수집가 절단 -끄다

현재

볼트 CE =볼트 CES ,볼트 GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

나 GES

게이트 발사자 누출 현재

볼트 GE =볼트 GES ,볼트 CE =0V, T j =25o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

0.6

ω

Cies

입력 용량

볼트 CE =25V,f=1Mhz,

볼트 GE =0V

26.0

nF

Cres

역전환

용량

1.70

nF

문의 지

게이트 요금

볼트 GE =- 15...+15V

4.2

μC

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=400A, R 지 =2.2Ω,

볼트 GE =±15V, T j =25o C

76

nS

t r

상승 시간

57

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

529

nS

t f

하강 시간

73

nS

E켜짐

켜 전환

손실

5.2

mJ

E끄다

그림 전환

손실

23.2

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=400A, R 지 =2.2Ω,

볼트 GE =±15V, T j = 125o C

81

nS

t r

상승 시간

62

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

567

nS

t f

하강 시간

81

nS

E켜짐

켜 전환

손실

9.9

mJ

E끄다

그림 전환

손실

31.7

mJ

나 SC

SC 데이터

t P≤ 10μs,V GE =15V,

T j =125o C,V CC =900V, 볼트 CEM ≤1200V

2800

A

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 F

다이오드 앞

전압

나 F =400A,V GE =0V,T j =25o C

1.96

2.31

볼트

나 F =400A,V GE =0V,T j = 125o C

1.98

문의 r

회복 전하

볼트 R =600V,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

24.9

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

317

A

Erec

역회복 에너지

16.0

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 R =600V,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

35.5

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

391

A

Erec

역회복 에너지

21.4

mJ

상징

사양

최소.

전형적인.

최대.

단위

LCE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 레시스타 칩에 터미널

0.18

mΩ

R thJC

부문별 (IGB당) T)

커스 (D) 에 대한 연결 오드)

0.047

0.100

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드)

케이스-열기 싱크장 (M당) 오두엘)

0.015

0.031

0.010

K/W

분

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 나사 M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

지

무게 의 모듈

300

지