GD400HFF120C2S, IGBT 모듈, STARPOWER

상징

설명

값

단위

볼트 CES

컬렉터-이미터 전압

1200

볼트

볼트 GES

게이트-이미터 전압

±20

볼트

IC

콜렉터 전류 @ T C=25o C

@ T C=90o C

620

400

A

ICm

펄스 콜렉터 전류 t p =1ms

800

A

PD

최대 전력 분산 @ T =175o C

2272

W

상징

설명

값

단위

볼트 RRM

반복 피크 역전압

1200

볼트

IF

다이오드 연속 전면 커 임대료

400

A

IFm

다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms

800

A

상징

설명

값

단위

T jmax

최대 분기 온도

175

o C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

볼트 ISO

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분

4000

볼트

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

IC=400A,V GE =15V, T j =25o C

1.90

2.35

볼트

IC=400A,V GE =15V, T j = 125o C

2.40

IC=400A,V GE =15V, T j =150o C

2.55

볼트 GE (th)

게이트 발산자 문 전압

IC= 10.0mA,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

볼트

ICES

수집가 절단 -끄다

현재

볼트 CE =볼트 CES ,볼트 GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

게이트 발사자 누출 현재

볼트 GE =볼트 GES ,볼트 CE =0V, T j =25o C

100

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

1.9

ω

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=400A, R G=0.38Ω,

볼트 GE =±15V, T j =25o C

1496

nS

t r

상승 시간

200

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

1304

nS

t f

하강 시간

816

nS

E켜짐

켜 전환

손실

27.6

mJ

E끄다

그림 전환

손실

20.8

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=400A, R G=0.38Ω,

볼트 GE =±15V, T j = 125o C

1676

nS

t r

상승 시간

252

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

1532

nS

t f

하강 시간

872

nS

E켜짐

켜 전환

손실

41.6

mJ

E끄다

그림 전환

손실

23.6

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=400A, R G=0.38Ω,

볼트 GE =±15V, T j = 150o C

1676

nS

t r

상승 시간

260

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

1552

nS

t f

하강 시간

888

nS

E켜짐

켜 전환

손실

46.0

mJ

E끄다

그림 전환

손실

24.0

mJ

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 F

다이오드 앞

전압

IF =400A,V GE =0V,T j =25o C

1.90

2.35

볼트

IF =400A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

IF =400A,V GE =0V,T j = 150o C

1.90

문의 r

회복 전하

볼트 R =600V,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

20.4

μC

IRM

피크 역전

회복 전류

180

A

Erec

역회복 에너지

6.8

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 R =600V,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

52.4

μC

IRM

피크 역전

회복 전류

264

A

Erec

역회복 에너지

19.5

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 R =600V,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

60.8

μC

IRM

피크 역전

회복 전류

284

A

Erec

역회복 에너지

22.6

mJ

상징

사양

최소.

전형적인.

최대.

단위

LCE

방랑 인덕턴스

15

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로

0.25

mΩ

R thJC

부문별 (IGB당) T)

부대와 부대 (D당) 요오드)

0.066

0.093

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-히트싱크 (p er 다이오드)

케이스-열기 싱크장 (M당) 오두엘)

0.034

0.048

0.010

K/W

M

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 나사 M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

무게 의 모듈

300

g