IGBT 모듈 GD950HTX75P6H 스타파워

상징

설명

가치

단위

볼트 CES

컬렉터-이미터 전압

750

볼트

볼트 GES

게이트-이미터 전압

±20

볼트

나 CN

구현된 집합기 Cu 임대료

950

A

나 C

콜렉터 전류 @ T F =75o C

450

A

나 Cm

펄스 콜렉터 전류 t p =1ms

1900

A

PD

최대 전력 소산 이온 @ T F =75o C T vj =175o C

877

W

상징

설명

가치

단위

볼트 RRM

반복적 피크 역전압 연령

750

볼트

나 FN

구현된 집합기 Cu 임대료

950

A

나 F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

450

A

나 Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms

1900

A

상징

설명

값

단위

T vjmax

최대 분기 온도

175

o C

T vjop

작동 환절 온도 연속

10초 동안의 주기 내에서 30초 동안 발생 평생 최대 3000회

-40에서 +150 +150 ~ +175

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

볼트 ISO

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분

2500

볼트

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

나 C=450A,V GE =15V, T vj =25o C

1.35

1.60

볼트

나 C=450A,V GE =15V, T vj =150o C

1.60

나 C=450A,V GE =15V, T vj =175o C

1.65

나 C=950A,V GE =15V, T vj =25o C

1.75

나 C=950A,V GE =15V, T vj =175o C

2.35

볼트 GE (th)

게이트 발산자 문 전압

나 C=9.60mA ,볼트 CE =볼트 GE , T vj =25o C

4.9

5.8

6.5

볼트

나 C=9.60mA ,볼트 CE =볼트 GE , T vj =175 o C

4.1

나 CES

수집가 절단 -끄다 현재

볼트 CE =볼트 CES ,볼트 GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

나 GES

게이트 발사자 누출 현재

볼트 GE =볼트 GES ,볼트 CE =0V, T vj =25o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항

0.7

ω

Cies

입력 용량

볼트 CE =50V,f=100kHz, 볼트 GE =0V

69.1

nF

C소

출력 용량

2.31

nF

Cres

역전환 용량

1.05

nF

문의 지

게이트 요금

볼트 CE =400V, I C =450A, 볼트 GE =-8...+15V

3.29

μC

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =400V, I C=450A, R 지 =2.4Ω,

볼트 GE =-8V/+15V L초 =24nH,

T vj =25o C

191

nS

t r

상승 시간

83

nS

t d(off)

그림 지연 시간

543

nS

t f

하강 시간

158

nS

E켜짐

켜 전환 손실

16.8

mJ

E끄다

그림 전환 손실

20.5

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =400V, I C=450A, R 지 =2.4Ω,

볼트 GE =-8V/+15V L초 =24nH,

T vj =150o C

207

nS

t r

상승 시간

96

nS

t d(off)

그림 지연 시간

594

nS

t f

하강 시간

190

nS

E켜짐

켜 전환 손실

22.5

mJ

E끄다

그림 전환 손실

24.5

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =400V, I C=450A, R 지 =2.4Ω,

볼트 GE =-8V/+15V L초 =24nH,

T vj =175o C

208

nS

t r

상승 시간

103

nS

t d(off)

그림 지연 시간

613

nS

t f

하강 시간

190

nS

E켜짐

켜 전환 손실

26.7

mJ

E끄다

그림 전환 손실

26.9

mJ

나 SC

SC 데이터

t P≤6μs,V GE =15V,

4800

A

T vj =25o C,V CC =400V, 볼트 CEM ≤750V

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 F

다이오드 앞 전압

나 F =450A,V GE =0V,T vj =25o C

1.40

1.65

볼트

나 F =450A,V GE =0V,T vj =150o C

1.35

나 F =450A,V GE =0V,T vj =175o C

1.30

나 F =950A,V GE =0V,T vj =25o C

1.75

나 F =950A,V GE =0V,T vj =175o C

1.75

문의 r

회복 전하

볼트 R =400V, I F =450A,

-di/dt=5520A/μs,V GE =-8V L초 =24nH ,T vj =25o C

16.4

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

222

A

Erec

역회복 에너지

4.50

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 R =400V, I F =450A,

-di/dt=4810A/μs,V GE =-8V L초 =24nH ,T vj =150o C

32.2

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

283

A

Erec

역회복 에너지

8.19

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 R =400V, I F =450A,

-di/dt=4630A/μs,V GE =-8V L초 =24nH ,T vj =175o C

36.3

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

292

A

Erec

역회복 에너지

9.03

mJ

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

R 25

등급 저항

5.0

kΩ

∆R/R

오차 의 R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

전력

소산

20.0

mW

B 25/50

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

상징

사양

최소.

전형적인.

최대.

단위

LCE

방랑 인덕턴스

8

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.75

mΩ

△p

△V/ △t=10.0 dm 3/분 ,T F =75o C

64

마바르

p

냉각회로에서 최대 압력 쿠잇

T 베이스플레이트 <40o C

T 베이스플레이트 40o C

(상대 압력)

2.5 2.0

봉재

R thJF

교차점 -~까지 -냉각 액체로 세척하세요 (perIGBT )접합부-냉각 유체 (D당) 요오드) △V/ △t=10.0 dm 3/분 ,T F =75o C

0.098 0.140

0.114 0.160

K/W

분

단자 연결 토크, 스크루브 M5 장착 토크, 나사 M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

지

무게 의 모듈

750

지