IGBT 3300V 62.5A IGBT 다이 고전압 IGBT 다이 초저손실 얇은 IGBT 다이 고강도 SPT+ 설계 넓은 SOA 패시베이션: 나이트라이드 + 폴리이미드

매개변수

상징

조건

값

UNIT

분

최대

컬렉터-이미터 전압

V _CES

V _GE = 0 V

3300

V

DC 집합 전류

I _C

63

A

피크 컬렉터 전류

I _센티미터

Tvjmax에 의해 제한됨

125

A

게이트-이미터 전압

V _GES

-20

+20

V

IGBT 단회로 SOA

t _psc

V CC = 2500 V, V CEM ≤ 3300 V, V GE ≤ 15 V,T vj ≤ 150 ° C

10

μs

접점 온도

T _vj

-40

125

°C

매개변수

상징

조건

값

UNIT

최소.

전형적인.

최대.

C 수집기-에미터 파손 전압

V ((BR) CES

VGE = 0 V, IC = 1 mA, Tvj = 25 °C

3300

V

수집기-출사기 포화 전압

VCE(sat)

IC = 63 A, VGE = 15 V

Tvj = 25 °C

2.45

2.95

V

Tvj = 150 °C

3.30

3.80

V

콜렉터-에미터 단절 전류

ICES

VCE = 3300 V,VGE = 0 V

Tvj = 25 °C

100

µA

Tvj = 150 °C

2000

µA

게이트-에미터 누출 전류

IGES

VCE = 0 V,VGE = ±20 V, Tvj = 150 °C

-500

500

부적절함

포트-에미터 임계 전압

VGE (th)

IC = 10 mA, VCE = VGE, Tvj = 25 °C

5.8

6.8

7.8

V

게이트 요금

본부

IC = 63 A, VCE = 1800 V, VGE = -15 V ~ 15 V

500

nC

입력 용량

시스

VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz, Tvj = 25 °C

6.38

nF

출력 용량

코스

0.5

nF

역전환 용량

크레스

0.13

nF

내부 게이트 저항

RGint

5

ω

턴온 지연 시간

td(on)

VCC = 1800 V, IC = 63 A,

RG = 24 Ω, CGE = 13.75 nF, VGE = ±15 V,

Ls = 3600 nH, 인덕티브 부하

Tvj = 25 °C

600

nS

Tvj = 150 °C

680

nS

상승 시간

tr

Tvj = 25 °C

260

nS

Tvj = 150 °C

300

nS

차단 지연 시간

td(off)

Tvj = 25 °C

1700

nS

Tvj = 150 °C

1900

nS

하강 시간

tF

Tvj = 25 °C

1000

nS

Tvj = 150 °C

1500

nS

켜기 전원 전환

EON

VCC = 1800 V, IC = 63 A,

RG = 24 Ω, CGE = 13.75 nF, VGE = ±15 V,

Ls = 3600 nH, 인덕티브 부하,

FWD: ½ DD125F33K2

Tvj = 25 °C

67

mJ

Tvj = 150 °C

91

mJ

그라운드 스위치 에너지

EOFF

Tvj = 25 °C

88

mJ

Tvj = 150 °C

110

mJ

단락 전류

ISC

VGE = 15 V, tpsc ≤ 10 µs, VCC = 2500 V, Tvj = 150 °C, VCEM ≤ 3300 V

270

A