GD300HFX170C2SA, IGBT 모듈, STARPOWER

상징

설명

가치

단위

볼트 CES

컬렉터-이미터 전압

1700

볼트

볼트 GES

게이트-이미터 전압

±20

볼트

나 C

콜렉터 전류 @ T C=25o C @ T C=100o C

493

300

A

나 Cm

펄스 콜렉터 전류 t p =1ms

600

A

PD

최대 전력 분산 @ T vj =175o C

1829

W

상징

설명

가치

단위

볼트 RRM

반복적 피크 역전압 연령

1700

볼트

나 F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

300

A

나 Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms

600

A

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

나 C= 300A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.30

볼트

나 C= 300A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

나 C= 300A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

볼트 GE (th)

게이트 발산자 문 전압

나 C=12.0mA ,볼트 CE =볼트 GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

볼트

나 CES

수집가 절단 -끄다 현재

볼트 CE =볼트 CES ,볼트 GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

나 GES

게이트 발사자 누출 현재

볼트 GE =볼트 GES ,볼트 CE =0V, T vj =25o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

2.5

ω

Cies

입력 용량

볼트 CE =25V,f=1Mhz, 볼트 GE =0V

36.1

nF

Cres

역전환 용량

0.88

nF

문의 지

게이트 요금

볼트 GE =-15 ...+15V

2.83

μC

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =900V,I C=300A, R 지 =2.4Ω, Ls=42nH, 볼트 GE =±15V,

T vj =25o C

355

nS

t r

상승 시간

71

nS

t d(off)

그림 지연 시간

473

nS

t f

하강 시간

337

nS

E켜짐

켜 전환 손실

89.3

mJ

E끄다

그림 전환 손실

46.3

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =900V,I C=300A, R 지 =2.4Ω, Ls=42nH, 볼트 GE =±15V,

T vj =125o C

383

nS

t r

상승 시간

83

nS

t d(off)

그림 지연 시간

549

nS

t f

하강 시간

530

nS

E켜짐

켜 전환 손실

126

mJ

E끄다

그림 전환 손실

68.5

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =900V,I C=300A, R 지 =2.4Ω, Ls=42nH, 볼트 GE =±15V,

T vj =150o C

389

nS

t r

상승 시간

88

nS

t d(off)

그림 지연 시간

575

nS

t f

하강 시간

585

nS

E켜짐

켜 전환 손실

139

mJ

E끄다

그림 전환 손실

73.4

mJ

나 SC

SC 데이터

t P≤10μs, 볼트 GE =15V,

T vj =150o C,V CC =1000V,

볼트 CEM ≤1700V

1200

A

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

볼트 F

다이오드 앞 전압

나 F = 300A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

볼트

나 F = 300A,V GE =0V,T vj =125o C

1.95

나 F = 300A,V GE =0V,T vj =150o C

1.90

문의 r

회복 전하

볼트 R =900V,I F =300A,

-di⁄dt=3247A⁄μs,V GE =-15V LS =42nH ,T vj =25o C

68

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

202

A

Erec

역회복 에너지

34.5

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 R =900V,I F =300A,

-di⁄dt=2579A⁄μs,V GE =-15V LS =42nH ,T vj =125o C

114

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

211

A

Erec

역회복 에너지

61.2

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 R =900V,I F =300A,

-di⁄dt=2395A⁄μs,V GE =-15V LS =42nH ,T vj =150o C

136

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

217

A

Erec

역회복 에너지

73.9

mJ

상징

사양

최소.

전형적인.

최대.

단위

LCE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.35

mΩ

R thJC

교차점 -~까지 -사례 (perIGBT ) 부대와 부대 (D당) 요오드)

0.082 0.127

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드) 케이스-열기 싱크장 (M당) 오두엘)

0.033 0.051 0.010

K/W

분

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 나사 M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

지

무게 의 모듈

300

지