IGBT 모듈, GD950HTX75P6HT 스타파워

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

750

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I CN

구현된 집합기 Cu 임대료

950

A

I C

콜렉터 전류 @ T 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =100 o C

450

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t p =1ms

1900

A

P D

최대 전력 소산 이온 @ T 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =75 o C T j =175 o C

1162

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 gE

750

V

I FN

구현된 집합기 Cu 임대료

950

A

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

450

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms

1900

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C =450A,V GE =15V, T j =25 o C

1.35

1.60

V

I C =450A,V GE =15V, T j =150 o C

1.60

I C =450A,V GE =15V, T j =175 o C

1.65

I C =950A,V GE =15V, T j =25 o C

1.75

I C =950A,V GE =15V, T j =175 o C

2.35

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =9.60 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

4.9

5.8

6.5

V

I C =9.60 mA ,V CE = V GE , Tj=175 o C

4.1

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항

0.7

ω

C ies

입력 용량

V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V

69.1

nF

C 소

출력 용량

2.31

nF

C res

역전환 용량

1.05

nF

Q G

게이트 요금

V CE =400V, I C =450A, V GE =-8...+15V

3.29

μC

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =400V, I C =450A, R G =2.4Ω,

V GE =-8V/+15V L S =24nH,

T j =25 o C

191

nS

t r

상승 시간

83

nS

t d(off)

그림 지연 시간

543

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

158

nS

E 에

켜 Switching 손실

16.8

mJ

E 끄다

그림 전환 손실

20.5

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =400V, I C =450A, R G =2.4Ω,

V GE =-8V/+15V L S =24nH,

T j =150 o C

207

nS

t r

상승 시간

96

nS

t d(off)

그림 지연 시간

594

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

190

nS

E 에

켜 Switching 손실

22.5

mJ

E 끄다

그림 전환 손실

24.5

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =400V, I C =450A, R G =2.4Ω,

V GE =-8V/+15V L S =24nH,

T j =175 o C

208

nS

t r

상승 시간

103

nS

t d(off)

그림 지연 시간

613

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

190

nS

E 에

켜 Switching 손실

26.7

mJ

E 끄다

그림 전환 손실

26.9

mJ

I SC

SC 데이터

t P ≤6μs, V GE =15V,

4800

A

T j =25 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

다이오드 앞 전압

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =450A,V GE =0V,T j =25 o C

1.40

1.65

V

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =450A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.35

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =450A,V GE =0V,T j =1 75o C

1.30

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =950A,V GE =0V,T j =25 o C

1.75

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =950A,V GE =0V,T j =1 75o C

1.75

Q r

회복 전하

V R =400V, I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =450A,

-di/dt=5520A/μs,V GE =-8V L S =24 nH ,T j =25 o C

16.4

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

222

A

E rec

역회복 에너지

4.50

mJ

Q r

회복 전하

V R =400V, I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =450A,

-di/dt=4810A/μs,V GE =-8V L S =24 nH ,T j =150 o C

32.2

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

283

A

E rec

역회복 에너지

8.19

mJ

Q r

회복 전하

V R =400V, I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =450A,

-di/dt=4630A/μs,V GE =-8V L S =24 nH ,T j =175 o C

36.3

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

292

A

E rec

역회복 에너지

9.03

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

R 25

등급 저항

5.0

kΩ

∆R/R

오차 of R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

전력

소산

20.0

mW

B 25/50

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

8

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.75

mΩ

p

냉각회로에서 최대 압력 쿠잇

T 베이스플레이트 <40 o C

T 베이스플레이트 40o C

(상대 압력)

2.5 2.0

바

R thJF

교차점 -~까지 -냉각 액체로 세척하세요 (perIGBT )접합-냉각 유체 (per Di 오드) △ V/ △ t=10.0 dm 3/분 ,T 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =75 o C

0.075 0.118

0.086 0.136

K/W

M

단자 연결 토크, 스크루브 M5 장착 토크, 나사 M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

무게 of 모듈

750

g