GD600HTA120P6HT, IGBT 모듈, STARPOWER

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I CN

구현된 집합기 Cu 임대료

600

A

I C

콜렉터 전류 @ T 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =90 o C

450

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t p =1ms

1200

A

P D

최대 전력 소산 이온 @ T 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =75 o C T j =175 o C

1075

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 gE

1200

V

I FN

구현된 집합기 Cu 임대료

600

A

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

450

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms

1200

A

상징

설명

값

UNIT

T jmax

최대 분기 온도

175

o C

T jop

작동 환절 온도 연속

주기 내 10초 동안 30초의 발생 최대 3000회 수명 동안 나

-40에서 +150 +150 ~ +175

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

V Iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분

2500

V

d 크립

터미널에서 히트싱크로 터미널에서 터미널

9.0 9.0

mm

d 투명

터미널에서 히트싱크로 터미널에서 터미널

4.5 4.5

mm

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C =450A,V GE =15V, T j =25 o C

1.40

V

I C =450A,V GE =15V, T j =150 o C

1.65

I C =450A,V GE =15V, T j =175 o C

1.70

I C =600A,V GE =15V, T j =25 o C

1.60

I C =600A,V GE =15V, T j =150 o C

1.90

I C =600A,V GE =15V, T j =175 o C

2.00

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =15.6 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

6.4

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항

1.67

ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

81.2

nF

C 소

출력 용량

1.56

nF

C res

역전환 용량

0.53

nF

Q G

게이트 요금

V CE =600V,I C =600A, V GE =-8...+15V

5.34

μC

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =600A,

R Gon =1.0Ω, R 고프 =2.2Ω, L S =22nH,

V GE =-8V/+15V T j =25 o C

290

nS

t r

상승 시간

81

nS

t d(off)

그림 지연 시간

895

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

87

nS

E 에

켜 Switching 손실

53.5

mJ

E 끄다

그림 전환 손실

47.5

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =600A,

R Gon =1.0Ω, R 고프 =2.2Ω, L S =22nH,

V GE =-8V/+15V T j =150 o C

322

nS

t r

상승 시간

103

nS

t d(off)

그림 지연 시간

1017

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

171

nS

E 에

켜 Switching 손실

84.2

mJ

E 끄다

그림 전환 손실

63.7

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =600A,

R Gon =1.0Ω, R 고프 =2.2Ω, L S =22nH,

V GE =-8V/+15V T j =175 o C

334

nS

t r

상승 시간

104

nS

t d(off)

그림 지연 시간

1048

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

187

nS

E 에

켜 Switching 손실

89.8

mJ

E 끄다

그림 전환 손실

65.4

mJ

I SC

SC 데이터

t P ≤6μs, V GE =15V,

2000

A

T j =175 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

다이오드 앞 전압

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =450A,V GE =0V,T j =25 o C

1.80

V

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =450A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.75

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =450A,V GE =0V,T j =1 75o C

1.70

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =600A,V GE =0V,T j =25 o C

1.95

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =600A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.95

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =600A,V GE =0V,T j =1 75o C

1.90

Q r

회복 전하

V R =600V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =600A,

-di/dt=7040A/μs,V GE =-8V L S =22 nH ,T j =25 o C

22.5

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

304

A

E rec

역회복 에너지

10.8

mJ

Q r

회복 전하

V R =600V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =600A,

-di/dt=5790A/μs,V GE =-8V L S =22 nH ,T j =150 o C

46.6

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

336

A

E rec

역회복 에너지

18.2

mJ

Q r

회복 전하

V R =600V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =600A,

-di/dt=5520A/μs,V GE =-8V L S =22 nH ,T j =175 o C

49.8

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

346

A

E rec

역회복 에너지

19.8

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

R 25

등급 저항

5.0

kΩ

∆R/R

오차 of R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

전력

소산

20.0

mW

B 25/50

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

8

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로

0.75

mΩ

p

냉각 회로에서의 최대 압력 아뇨

2.5

바

R thJF

교차점 -~까지 -냉각 액체로 세척하세요 (perIGBT )접합부-냉각 유체 (D당) 요오드) △ V/ △ t=10.0 dm 3/분 ,T 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =75 o C

0.081 0.118

0.093 0.136

K/W

M

단자 연결 토크, 스크루브 M5 장착 토크, 나사 M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

무게 of 모듈

750

g