1700V 3600A,C4
간략한 소개
IGBT 모듈 ,sTARPOWER에서 제작. 1 700V 3600A,C4 .
기능
전형적 응용
절대 최대 등급 T C=25o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
IGBT
상징 |
설명 |
값 |
단위 |
볼트 CES |
컬렉터-이미터 전압 |
1700 |
볼트 |
볼트 GES |
게이트-이미터 전압 |
±20 |
볼트 |
나 C |
콜렉터 전류 @ T C=100o C |
3600 |
A |
나 Cm |
펄스 콜렉터 전류 t p =1ms |
7200 |
A |
PD |
최대 전력 분산 @ T j =175o C |
21.4 |
kW |
다이오드
상징 |
설명 |
값 |
단위 |
볼트 RRM |
반복적 피크 역전압 연령 |
1700 |
볼트 |
나 F |
다이오드 연속 정방향 Cu 임대료 |
3600 |
A |
나 Fm |
다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms |
7200 |
A |
나 FSM |
돌파 전방 전류 V R =0V,T p =10ms, @T j =25o C @T j =150o C |
23.22 19.95 |
kA |
나 2t |
나 2t값,V R =0V,T p =10m s,T j =25o C나 2t값,V R =0V,T p =10ms ,t j =150o C |
2695 1990 |
kA2초 |
모듈
상징 |
설명 |
값 |
단위 |
T jmax |
최대 분기 온도 |
175 |
o C |
T jop |
작동점 온도 |
-40에서 +150 |
o C |
T STG |
보관 온도 범위 |
-40에서 +125 |
o C |
볼트 ISO |
격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분 |
4000 |
볼트 |
IGBT 특성 T C=25o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 |
사양 |
시험 조건 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
단위 |
|
볼트 CE (sat) |
수집자로부터 발산자 포화전압 |
나 C=3600A,V GE =15V, T j =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
볼트 |
나 C=3600A,V GE =15V, T j =125o C |
|
2.25 |
|
|||
나 C=3600A,V GE =15V, T j =150o C |
|
2.30 |
|
|||
볼트 GE (th) |
게이트 발산자 문 전압 |
나 C=144.0mA ,볼트 CE =볼트 GE , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
볼트 |
나 CES |
수집가 절단 -끄다 현재 |
볼트 CE =볼트 CES ,볼트 GE =0V, T j =25o C |
|
|
5.0 |
mA |
나 GES |
게이트 발사자 누출 현재 |
볼트 GE =볼트 GES ,볼트 CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
부적절함 |
R Gint |
내부 게이트 저항 |
|
|
0.7 |
|
ω |
Cies |
입력 용량 |
볼트 CE =25V,f=100kHz, 볼트 GE =0V |
|
427 |
|
nF |
Cres |
역전환 용량 |
|
10.7 |
|
nF |
|
문의 지 |
게이트 요금 |
볼트 GE =-15...+15V |
|
35.3 |
|
μC |
t d (켜짐 ) |
턴온 지연 시간 |
볼트 CC =900V,I C=3600A, R Gon =1.2Ω, R 고프 =0.9Ω, 볼트 GE =-9V/+15V, L초 =65nH ,T j =25o C |
|
1161 |
|
nS |
t r |
상승 시간 |
|
413 |
|
nS |
|
t d(off) |
그림 지연 시간 |
|
4761 |
|
nS |
|
t f |
하강 시간 |
|
430 |
|
nS |
|
E켜짐 |
켜 전환 손실 |
|
1734 |
|
mJ |
|
E끄다 |
그림 전환 손실 |
|
2580 |
|
mJ |
|
t d (켜짐 ) |
턴온 지연 시간 |
볼트 CC =900V,I C=3600A, R Gon =1.2Ω, R 고프 =0.9Ω, 볼트 GE =-9V/+15V, L초 =65nH ,T j =125o C |
|
1370 |
|
nS |
t r |
상승 시간 |
|
547 |
|
nS |
|
t d(off) |
그림 지연 시간 |
|
5303 |
|
nS |
|
t f |
하강 시간 |
|
457 |
|
nS |
|
E켜짐 |
켜 전환 손실 |
|
2679 |
|
mJ |
|
E끄다 |
그림 전환 손실 |
|
2881 |
|
mJ |
|
t d (켜짐 ) |
턴온 지연 시간 |
볼트 CC =900V,I C=3600A, R Gon =1.2Ω, R 고프 =0.9Ω, 볼트 GE =-9V/+15V, L초 =65nH ,T j =150o C |
|
1413 |
|
nS |
t r |
상승 시간 |
|
585 |
|
nS |
|
t d(off) |
그림 지연 시간 |
|
5490 |
|
nS |
|
t f |
하강 시간 |
|
473 |
|
nS |
|
E켜짐 |
켜 전환 손실 |
|
2863 |
|
mJ |
|
E끄다 |
그림 전환 손실 |
|
2960 |
|
mJ |
|
|
나 SC |
SC 데이터 |
t P≤10μs, 볼트 GE =15V, T j =150o C,V CC =1000V, 볼트 CEM ≤1700V |
|
14.0 |
|
kA |
다이오드 특성 T C=25o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 |
사양 |
시험 조건 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
단위 |
|
볼트 F |
다이오드 앞 전압 |
나 F =3600A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.80 |
2.25 |
볼트 |
나 F =3600A,V GE =0V,T j =125o C |
|
1.90 |
|
|||
나 F =3600A,V GE =0V,T j =150o C |
|
1.95 |
|
|||
문의 r |
회복 전하 |
볼트 R =900V,I F =3600A, -di/dt=7000A/μs,V GE =-9V, L초 =65nH ,T j =25o C |
|
207 |
|
μC |
나 RM |
피크 역전 회복 전류 |
|
1030 |
|
A |
|
Erec |
역회복 에너지 |
|
199 |
|
mJ |
|
문의 r |
회복 전하 |
볼트 R =900V,I F =3600A, -di/dt=5700/μs,V GE =-9V, L초 =65nH ,T j =125o C |
|
288 |
|
μC |
나 RM |
피크 역전 회복 전류 |
|
1020 |
|
A |
|
Erec |
역회복 에너지 |
|
339 |
|
mJ |
|
문의 r |
회복 전하 |
볼트 R =900V,I F =3600A, -di/dt=5200A/μs,V GE =-9V, L초 =65nH ,T j =150o C |
|
391 |
|
μC |
나 RM |
피크 역전 회복 전류 |
|
996 |
|
A |
|
Erec |
역회복 에너지 |
|
341 |
|
mJ |
모듈 특성 T C=25o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 |
사양 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
단위 |
LCE |
방랑 인덕턴스 |
|
6.0 |
|
nH |
R CC+EE |
모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로 |
|
0.085 |
|
mΩ |
R thJC |
교차점 -~까지 -사례 (perIGBT ) 커스 (D) 에 대한 연결 오드) |
|
|
7.0 12.8 |
K/kW |
R thCH |
사례 -~까지 -열기 (perIGBT )케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드) 케이스-열기 싱크장 (M당) 오두엘) |
|
6.2 11.3 4.0 |
|
K/kW |
d 크립 |
단자-히트싱크 간 단자-단자 간 |
|
32.2 32.2 |
|
mm |
d 투명 |
단자-히트싱크 간 단자-단자 간 |
|
19.1 19.1 |
|
mm |
|
분 |
단자 연결 토크, 나사 M4 단자 연결 토크, 스크루브 M8 장착 토크, 나사 M6 |
1.8 8.0 4.25 |
|
2.1 10 5.75 |
N.M |
지 |
무게 의 모듈 |
|
2060 |
|
지 |

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