비대칭 IGCT 장치,YT-ASC40L6500SC# / YT-ASC40L6500SD#

상징

조건

M 안에

일반적인

M 축

V _DRM

T _Vj =125°C, I _D ≤I DRM, t _p =10ms

-

-

6500

V

이 _DRM

T _Vj =125°C, V _D =V DRM, t _p =10ms

-

-

50

mA

d _v /d_t

T _Vj =125°C, V _D =0.67V _DRM

-

-

1000

V/μs

V _{DClin K}

GCT의 100 FIT 실패율에 대한 영구 동전압

-

-

4000

V

V _RRM

\

-

-

17

V

상징

조건

M 안에

일반적인

M 축

이 _DC

T _C = 85 ℃, DC, 이중 냉각

-

-

2000

A

이 _TSM

이 ²_t

T _Vj = 125 ℃, 죄 cE 반파 10초

V _D =V _R =0

-

-

-

-

26

338

KA

10⁴A ² s

V _TM

T _Vj = 125℃, I _T =41000A

-

3.75

4.11

V

V _에

r _T

T _Vj = 125℃, I _T = 1000... 41000A

-

-

1.88

0.55

V

m ω

상징

시험 조건

M 안에

일반적인

M 축

di _T /dt

TVJ = 125 ℃, IT = 4000A, VD = 2800V, f=0..500Hz

-

-

5000

A/ μ s

t _돈

T _Vj = 125 ℃, 나 _T = 5000A, V _D = 4000V,

di /dt = V _D /L_이 , _CL =20μF, L _이 = 3μH, L _CL = 0.3μH

-

-

3

μ s

t _donSF

-

-

7

μ s

t _r

-

-

1

μ s

E _{에 대해}

-

-

3.3

J

상징

조건

M 안에

일반적인

M 축

이 _TGQM

T _Vj = 125℃, V _Dm ≤ V _DRM , V D =4000V, L _CL = 0.3μH,

C _CL = 20μF, R _S = 0. 4ω ，f=0..300Hz

D _FWD = D _CL = FY _B 1100-60

-

-

4000

A

t _doff

T _Vj = 125℃, 이 _TGQ = 4000A, V _D =4000V,

V _Dm ≤ V _DRM , C _CL = 20μF, R _S = 0.4 오,

L _이 =3μH, L _CL = 0.3μH

D _FWD = D _CL = FYB 1100-60

-

-

8

μ s

t _doffSF

-

-

7

μ s

t _f

-

-

1

μ s

E _끄다

-

442.5

46.3

J

상징

시험 조건

M 안에

일반적인

M 축

T _Vj

T _STG

/

0

-40

-

125

60

℃

℃

R _thJC

R _thCH

이중 냉각

-

-

-

-

8.5

3

K/kW

K/kW

상징

시험 조건

M 안에

일반적인

M 축

V _{GIN RMS}

DC 전압 또는 AC 제곱파 진폭 (15kHz - 100kHz) 전력 회로에 갈바닉 단열이 없습니다.

28

-

40

V

P _{GIN 최대}

/

-

-

130

W

이 _진민

- 아니, 아니 전류가 필요하고 게이트 단위를 전원

2

-

-

A

이 _{GIN MAX}

정정 평균 전류는

게이트 유닛

-

-

8

A

t _on(min)

t _off(min)

/

40

40

-

-

-

-

μ s

μ s

P _{cS에 관한}

P _{O ff CS}

P _{sF에 대해}

P _{끄다 SF}

1mm 플라스틱 광섬유에 유효합니다 (POF)

-15

-

-19

-

-

-

-

-

-1

-45

-1

-50

dBm

dBm

dBm

dBm

t _글리치

t _재트리그

응답 없이 최대 펄스 너비

/

-

700

-

-

400

1100

nS

nS

CS

Agilent ，유형: HFBR-2521

SF

Agilent ，유형: HFBR-1521