iGBT 모듈
IGBT(절연 게이트 양극성 트랜지스터) 모듈은 전력 전자 기술의 획기적인 발전을 상징하며, MOSFET과 양극성 트랜지스터 기술의 장점을 결합하고 있습니다. 이 고도로 발달된 반도체 소자는 현대 전력 제어 응용 분야에서 핵심적인 구성 요소로 작용하며 뛰어난 스위칭 성능과 효율적인 전력 관리를 제공합니다. 이 모듈은 다양한 배열 구조로 배치된 여러 개의 IGBT 칩으로 구성되어 있으며, 역병렬 다이오드와 최적화된 열 관리를 위한 특수 패키징으로 보완되고 있습니다. IGBT 모듈은 1kHz에서 100kHz 범위의 주파수에서 작동하며, 600V에서 6500V의 전압과 수천 암페어에 달하는 전류를 처리할 수 있습니다. 이러한 모듈은 높은 전압 및 전류 처리 능력이 요구되는 응용 분야에서 탁월한 성능을 발휘하므로 산업용 모터 드라이브, 재생 가능 에너지 시스템 및 전기차 파워트레인 분야에서 필수적인 존재입니다. 최신 게이트 제어 회로를 통합하여 정밀한 스위칭 제어가 가능하며, 과전류, 단락, 과열 상태로부터 보호하는 내장 보호 기능을 통해 안정성을 높였습니다. 또한 현대의 IGBT 모듈에는 직접구리본딩(DCB) 기판과 고급 냉각 시스템을 포함한 정교한 열 관리 솔루션을 채택하여 혹독한 조건에서도 신뢰성 있게 작동할 수 있도록 설계되었습니다.