MTx1000 MFx1000 MT1000, Тиристор/Диод модулары, Ауа жылыту

VRRM,VDRM

Түрі & Сызба

600В

MT3 (айырма)

MFx1000-06-412F3

800V

MT3 (айырма)

MFx1000-08-412F3

1000В

MT3 (айырма)

MFx1000-10-412F3

1200В

MT3 (айырма)

MFx1000-12-412F3

1400V

MT3 (айырма)

MFx1000-14-412F3

1600V

MTx1000-16-412F3

MFx1000-16-412F3

1800V

MT3 (айырма)

MFx1000-18-412F3

1800V

MT1 - 1 - 2 - 3

Символ

СӘРЕПТІК

Сынақ шарттары

Tj( ℃ )

Мәні

Бірлік

Минуты

ТҮР

Макс

IT(AV)

Орташа қосу күйіндегі ток

180° жартылай синусоидалық 50Hz

Бір жақты салқындатылған, TC=65 ℃

125

1000

А

IT(RMS)

RMS қосу күйіндегі ток

1570

А

Ірррр

Қайталау шыңы ағым

vDRM және VRRM кезінде

125

55

mА

ITSM

Пик қосу күйіндегі ток

VR=60%VRRM, t=10ms жартылай синус,

125

26.0

kA

I ²t

Фузия координациясы үшін I2t

125

3380

10³А ²s

VTO

Төменгі кернеу

125

0.80

V

rT

Қосу күйіндегі көлбеу кедергі

0.18

mΩ

VTM

Пик қосу күйіндегі кернеу

ITM=3000A

25

1.86

V

dv/dt

Өшіру күйіндегі кернеудің критикалық өсу жылдамдығы

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Ағымдағы ағымның жоғарылауының критикалық жылдамдығы

Қақпа көзі 1.5A

tr ≤0.5μs Қайталау

125

200

А/μс

IGT

Қақпа триггерлік тока

VA=12V, IA=1A

25

30

200

mА

Vgt

Қақпа триггерлік кернеу

0.8

3.0

V

IH

Ұстап тұратын ток

10

200

mА

IL

Латчинг ток

1500

mА

VGD

Триггерленбеген қақпа кернеуі

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа

Әр чип үшін бір жақты салқындатылған

0.048

℃ /W

Rth(c-h)

Жылу кедергісі корпусқа дейін радиатор

Әр чип үшін бір жақты салқындатылған

0.020

℃ /W

VISO

Изоляция кернеуі

50Гц,R.M.S,t=1мин,Iiso:1мА(макс)

3000

V

Fm

Терминал қосылысының қозғалтқышы ((M12)

12.0

16.0

Н·м

Қондырғының қозғалыс моменті ((M8)

10.0

12.0

Н·м

TVj

Байланыс температурасы

-40

125

℃

ТСТГ

Сақталған температура

-40

125

℃

Wt

Салмағы

3660

g

Нысан

412F3