Қысқаша кіріспе
Жұлдыздар Thyristor модулі ,М F Ц 135，135А, Ауа салқындату ,tECHSEM компаниясымен өндірілген.
VDRM, VRRM |
Түрі & Сызба |
800V |
MFC135-08-229H3 |
MFC135-08-229H3B |
1000В |
MFC135-10-229H3 |
MFC135-10-229H3B |
1200В |
MFC135-12-229H3 |
MFC135-12-229H3B |
1400V |
MFC135-14-229H3 |
MFC135-14-229H3B |
1600V |
MFC135-16-229H3 |
MFC135-16-229H3B |
1800V |
MFC135-18-229H3 |
MFC135-18-229H3B |
Сипаттамалар ：
- Изоляцияланған монтаж базасы 3000V~
-
Тұтынушылық технологиясымен күшейтілген қуат циклдау мүмкіндігі
- Кеңістік пен салмақты үнемдеу
Типілік қолданулар ：
- АЖ/ЖЖ қозғалтқыштар
- Әртүрлі түзеткіштер
- PWM инверторы үшін DC қуат көзі
|
Символ
|
СӘРЕПТІК
|
Сынақ шарттары
|
Tj( ℃ ) |
Мәні |
Бірлік
|
Минуты |
ТҮР |
Макс |
IT(AV) |
Орташа қосу күйіндегі ток |
180° жартылай синусоидалық толқын 50Гц Бір жақты салқындатылған, Tc=85 ℃ |
125 |
|
|
135 |
А |
IT(RMS) |
RMS қосу күйіндегі ток |
125 |
|
|
212 |
А |
Ірррр |
Қайталау шыңы ағым |
vDRM және VRRM кезінде |
125 |
|
|
35 |
mА |
ITSM |
Пик қосу күйіндегі ток |
10мс жартылай синусоидалы толқын VR=60%VRRM |
125
|
|
|
3.5 |
kA |
I2t |
Фузия координациясы үшін I2t |
|
|
61.3 |
A2s*103 |
VTO |
Төменгі кернеу |
|
125
|
|
|
0.95 |
V |
rT |
Қосу күйіндегі көлбеу кедергі |
|
|
1.50 |
mΩ |
VTM |
Пик қосу күйіндегі кернеу |
ITM=410A |
25 |
|
|
1.80 |
V |
dv/dt |
Өшіру күйіндегі кернеудің критикалық өсу жылдамдығы |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
Ағымдағы ағымның жоғарылауының критикалық жылдамдығы |
Қақпа көзі 1.5A
tr ≤0.5μs Қайталау
|
125 |
|
|
200 |
А/μс |
IGT |
Қақпа триггерлік тока |
VA= 12V, IA= 1A
|
25
|
30 |
|
200 |
mА |
Vgt |
Қақпа триггерлік кернеу |
0.6 |
|
2.5 |
V |
IH |
Ұстап тұратын ток |
10 |
|
250 |
mА |
IL |
Латчинг ток |
|
|
1000 |
mА |
VGD |
Триггерленбеген қақпа кернеуі |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.2 |
V |
Rth(j-c) |
Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа |
Әр чип үшін бір жақты салқындатылған |
|
|
|
0.18 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Жылу кедергісі корпусқа дейін радиатор |
Әр чип үшін бір жақты салқындатылған |
|
|
|
0.08 |
℃ /W |
VISO |
Изоляция кернеуі |
50Гц,R.M.S,t= 1мин,Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V |
|
Fm
|
Терминал байланыс моменті (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
Н·м |
Монтаж моменті (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
Н·м |
TVj |
Байланыс температурасы |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
ТСТГ |
Сақталған температура |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Салмағы |
|
|
|
165 |
|
g |
Нысан |
229H3/229H3B |
EN
