IGBT модулі YMIF250-65, Жоғары кернеу, дара IGBT,CRRC

Параметр

Символ

Шарттары

минуты

макс

Бірлік

Жинақтаушы-шығарғыш кернеу

V CES

V ГЭ =0В,Т vj ≥ 25°C

6500

V

Бірқалыпты коллектордың тогы

I Ц

T Ц =80°C

250

А

Жинақтың ең жоғары тогы

I CM

tp=1ms,Tc=80°C

500

А

Қақпа-эмиттер кернеуі

V ГЭС

-20

20

V

Жалпы қуат диссипация

P tot

T Ц =25°C,perswitch(IGBT)

3200

W

DC алға ағым

I F

250

А

Шың алға жүк

I ҚРМ

tp=1ms

500

А

IGBT қысқа сХЕМА SOA

t пск

V CC =4400V,V CEMCHIP ≤ 6500V V ГЭ ≤ 15V,Tvj≤ 125°С

10

μ s

Изоляция кернеуі

V тұтастығы

1 минут, f=50 Гц

10200

V

Байланыс температурасы

T vj

125

℃

Бүйірдегі жұмыс температурасы

T vj(op)

-50

125

℃

Корпус температурасы

T Ц

-50

125

℃

Сақтау температурасы

T жТГ

-50

125

℃

Орнату моменттері

Мс

4

6

Нм

М T1

8

10

Параметр

Символ

Шарттары

Минуты

тҮР

макс

Бірлік

Жинақтаушы (- эмиттер) бұзылу кернеуі

V(BR) CES

VGE=0V,IC=3mA, Tvj=25°C

6500

V

Жинақтаушы-шығарғыш сатурация кернеу

VCEsat

IC=250A,V GE=15V

Tvj= 25°C

2.6

3

3.4

V

Tvj=125°C

3.4

4

4.6

V

Жинақтаушы тоқтату тогы

ICES

VCE=6500V,VGE=0V

Tvj= 25°C

4

mА

Tvj=125°C

50

mА

Gate сұйынды ток

ИГЭС

VCE=0V,VGE=20V,Tvj=125°C

-500

500

nA

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері кернеу

V ЖЕ (th)

IC=80mA,VCE=VGE,Tvj=25°C

5.4

6.2

7

V

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

t d(on)

VCC=3600V, IC=250A,

RGon=6.8Ω ,

RGoff=33Ω ,

CGE=100nF

VGE=±15V,

Ls=280nH,

感性负载 (сезімтал жүктеме)

TVj = 25 °C

1

μ s

TVj = 125 °C

0.94

Көтерілу уақыт

tr

TVj = 25 °C

0.76

TVj = 125 °C

0.81

Сөндіру кешігу уақыты

t d(оң)

TVj = 25 °C

3.9

μ s

TVj = 125 °C

4.2

Күз мезгілі

t f

TVj = 25 °C

2.2

TVj = 125 °C

2.8

Қосылу ауысу жоғалту энергиясы

Эон

TVj = 25 °C

3081

мЖ

TVj = 125 °C

3900

Оқиғаның орнын ауыстыру жоғалту энергиясы

E ашылған

TVj = 25 °C

2100

мЖ

TVj = 125 °C

1236

Кескін схема тогы

I SC

tpsc ≤ 10 мкм s, V ГЭ

=15V, Tvj=125℃,V CC =

4400V

TVj = 125 °C

940

А