IDG75X12T2, IGBT дискрет, STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C @ T C=100o C

150

75

A

IСм

Импульстік Жинақтаушы Жүк t p шектеулі арқылы T vjmax

225

A

PD

Максималды қуаттылық vj =175o C

852

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

75

A

IFm

Импульстік Жинақтаушы Жүк t p шектеулі арқылы T vjmax

225

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

T vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +175-ке дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-55-ден +150-ге дейін

o C

T С

Дәнекерлеу температурасы: 1,6 мм үшін 10 секунд

260

o C

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=75А,В ГЭ =15В, T vj =25o C

1.75

2.20

V

IC=75А,В ГЭ =15В, T vj =150o C

2.10

IC=75А,В ГЭ =15В, T vj =175o C

2.20

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=3.00mА ,V CE =V ГЭ , T vj =25o C

5.0

5.8

6.5

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25o C

250

μA

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25o C

100

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

2.0

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В

6.58

нФ

Cлық

Шығарылымдық сыйымдылық

0.40

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.19

нФ

С G

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15...+15В

0.49

μC

t d (қосулы )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=75А, R G=4.7Ω,

V ГЭ =±15В, Ls=40nH,

T vj =25o C

41

н

t r

Күтерілу уақыты

135

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

87

н

t f

Күз мезгілі

255

н

Eқосулы

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

12.5

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

3.6

мЖ

t d (қосулы )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=75А, R G=4.7Ω,

V ГЭ =±15В, Ls=40nH,

T vj =150o C

46

н

t r

Күтерілу уақыты

140

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

164

н

t f

Күз мезгілі

354

н

Eқосулы

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

17.6

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

6.3

мЖ

t d (қосулы )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=75А, R G=4.7Ω,

V ГЭ =±15В, Ls=40nH,

T vj =175o C

46

н

t r

Күтерілу уақыты

140

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

167

н

t f

Күз мезгілі

372

н

Eқосулы

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

18.7

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

6.7

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T vj =175o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

300

A

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =75А,В ГЭ =0В,Т vj =25o C

1.75

2.20

V

IF =75А,В ГЭ =0В,Т vj =150o C

1.75

IF =75А,В ГЭ =0В,Т vj =175o C

1.75

trr

Диод кері Қалпына келтіру уақыты

V R = 600В,I F =75А,

-di/dt=370A/μs,V ГЭ =-15V, Ls=40nH,

T vj =25o C

267

н

С r

Алынған айыппұл

4.2

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

22

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

1.1

мЖ

trr

Диод кері Қалпына келтіру уақыты

V R = 600В,I F =75А,

-di/dt=340A/μs,V ГЭ =-15V, Ls=40nH,

T vj =150o C

432

н

С r

Алынған айыппұл

9.80

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

33

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

2.7

мЖ

trr

Диод кері Қалпына келтіру уақыты

V R = 600В,I F =75А,

-di/dt=320A/μs,V ГЭ =-15V, Ls=40nH,

T vj =175o C

466

н

С r

Алынған айыппұл

11.2

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

35

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

3.1

мЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R тЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т) Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.176 0.371

К/W

R тЖЖ

Жарық ортасына қосылу

40

К/W