IDG75X12T2, IGBT дискрет, STARPOWER

Символ

Сипаттама

Мәндер

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 o C @ T Ц =100 o Ц

150

75

А

I CM

Импульстік Жинақтаушы Жүк t p шектеулі арқылы T vjmax

225

А

P D

Максималды қуаттылық vj =175 o Ц

852

W

Символ

Сипаттама

Мәндер

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

75

А

I Fm

Импульстік Жинақтаушы Жүк t p шектеулі арқылы T vjmax

225

А

Символ

Сипаттама

Мәндер

Бірлік

T vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +175-ке дейін

o Ц

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-55-ден +150-ге дейін

o Ц

T S

Дәнекерлеу температурасы: 1,6 мм үшін 10 секунд

260

o Ц

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =75А,В ГЭ =15В, T vj =25 o Ц

1.75

2.20

V

I Ц =75А,В ГЭ =15В, T vj =150 o Ц

2.10

I Ц =75А,В ГЭ =15В, T vj =175 o Ц

2.20

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =3,00 mА ,V CE = V ГЭ , T vj =25 o Ц

5.0

5.8

6.5

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25 o Ц

250

μA

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25 o Ц

100

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

2.0

ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В

6.58

нФ

Ц лық

Шығарылымдық сыйымдылық

0.40

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.19

нФ

Q G

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15...+15В

0.49

μC

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =75А, R G =4.7Ω,

V ГЭ =±15В, Ls=40nH,

T vj =25 o Ц

41

н

t r

Күтерілу уақыты

135

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

87

н

t f

Күз мезгілі

255

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

12.5

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

3.6

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =75А, R G =4.7Ω,

V ГЭ =±15В, Ls=40nH,

T vj =150 o Ц

46

н

t r

Күтерілу уақыты

140

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

164

н

t f

Күз мезгілі

354

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

17.6

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

6.3

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =75А, R G =4.7Ω,

V ГЭ =±15В, Ls=40nH,

T vj =175 o Ц

46

н

t r

Күтерілу уақыты

140

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

167

н

t f

Күз мезгілі

372

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

18.7

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

6.7

мЖ

I SC

SC деректері

t P ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T vj =175 o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

300

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =75А,В ГЭ =0В,Т vj =2 5o Ц

1.75

2.20

V

I F =75А,В ГЭ =0В,Т vj =15 0o Ц

1.75

I F =75А,В ГЭ =0В,Т vj =17 5o Ц

1.75

trr

Диод кері Қалпына келтіру уақыты

V R = 600В,I F =75А,

-di/dt=370A/μs,V ГЭ =-15 V, Ls=40nH,

T vj =25 o Ц

267

н

Q r

Алынған айыппұл

4.2

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

22

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

1.1

мЖ

trr

Диод кері Қалпына келтіру уақыты

V R = 600В,I F =75А,

-di/dt=340A/μs,V ГЭ =-15 V, Ls=40nH,

T vj =150 o Ц

432

н

Q r

Алынған айыппұл

9.80

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

33

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

2.7

мЖ

trr

Диод кері Қалпына келтіру уақыты

V R = 600В,I F =75А,

-di/dt=320A/μs,V ГЭ =-15 V, Ls=40nH,

T vj =175 o Ц

466

н

Q r

Алынған айыппұл

11.2

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

35

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

3.1

мЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R тЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т) Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.176 0.371

К/W

R тЖЖ

Жарық ортасына қосылу

40

К/W