IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц

@ Т Ц = 100O Ц

1410

900

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1800

А

p D

Максималды қуаттылық =175 O Ц

5000

W

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

O Ц

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц =900A,V ГЭ =15В, t ж =25 O Ц

1.80

2.25

V

I Ц =900A,V ГЭ =15В, t ж =125 O Ц

2.10

I Ц =900A,V ГЭ =15В, t ж =150 O Ц

2.15

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =22.5 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 O Ц

5.2

6.0

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

t ж =25 O Ц

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

0.6

Ω

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15В...+15В

7.40

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =900A,

R Қон = 1.5Ω,R Гофф =0,9Ω, V ГЭ =±15В,Т ж =25 O Ц

257

н

t R

Күтерілу уақыты

96

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

628

н

t F

Күз мезгілі

103

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

43

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

82

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =900A,

R Қон = 1.5Ω,R Гофф =0,9Ω,

V ГЭ =±15В,Т ж = 125O Ц

268

н

t R

Күтерілу уақыты

107

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

659

н

t F

Күз мезгілі

144

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

59

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

118

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =900A,

R Қон = 1.5Ω,R Гофф =0,9Ω,

V ГЭ =±15В,Т ж = 150O Ц

278

н

t R

Күтерілу уақыты

118

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

680

н

t F

Күз мезгілі

155

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

64

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

134

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

t ж =150 O C,V CC =800V,

V КЕМ ≤ 1200В

3600

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =900A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.71

2.16

V

I F =900A,V ГЭ =0В,Т ж = 125O Ц

1.74

I F =900A,V ГЭ =0В,Т ж = 150O Ц

1.75

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V ГЭ =- 15В t ж =25 O Ц

76

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

513

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

38.0

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V ГЭ =- 15В t ж = 125O Ц

143

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

684

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

71.3

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V ГЭ =- 15В t ж = 150O Ц

171

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

713

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

80.8

МЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.18

mΩ

R ТЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.030

0.052

К/W

R ТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.016

0.027

0.010

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Салмақ туралы Модуль

300

g